Разработка физических основ метода входного контроля гетероструктур на основе GaN с использованием измерений вольт-фарадных характеристик

15:00
О. А. Рубан (МИРЭА)
Разработка физических основ метода входного контроля гетероструктур на основе GaN с использованием измерений вольт-фарадных характеристик
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.