Выполнен цикл исследований по молекулярно-пучковой эпитаксии арсенида галлия на кремнии (с замыслом о создании оптических связей на больших кремниевых кристаллах). Благодаря применению изовалентного легирования (In) на начальных стадиях роста получены тонкие (100 нм) слои арсенида галлия на кремнии с низкой плотностью дислокаций.
Joshkin V.A., Oktyabrsky S.R., Orlikovsky A.A., Bogonin I.A. Low temperature preannealing for carbon removal from Si surfase in GaAs-on-Si molecular beam epitaxial growth. JournalofCrystalGrowth, 132 (1993), p.209-214.
Богонин И.А., Иошкин В.А., Квит А.В., Орликовский А.А. Влияние легирования индием на рост арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии. Микроэлектроника, 1993, т.22, с.71-81.
Joshkin V., Orlikovsky A., Oktyabrsky S., Dovidenko K., Kvit A. Biaxial compression in GaAs thin films grown on SI. Journal of Crystal Growth.147 (1995), p.13-18.
V.A.Joshkin, A.V.Kvit, I.E.Givargizov, A.A.Orlikovsky, B.G.Zhurkin.Redistribution and incorporation of Si in GaAs due to indium doping.MatherialsScienceandEngineering.B26 (1994), p.7 – 11.