Федор Сидоров (01.10.1992)
Образование:
Окончил Московский физико-технический институт (НИУ):
- 2014 г. – бакалавриат (Факультет общей и прикладной физики)
- 2016 г. – магистратура (Факультет физической и квантовой электроники)
- 2020 г. – аспирантура (Физтех-школа электроники, фотоники и молекулярной физики)
Квалификация – исследователь; преподаватель-исследователь.
Карьера:
2015–2020 г.: инженер в К.А. Валиева РАН (ФТИАН им. К.А. Валиева);
2020–н. в.: м. н. с. в К.А. Валиева РАН (ФТИАН им. К.А. Валиева);
Научные интересы:
электронно-лучевая литография, сухое электронно-лучевое травление резиста, термическая деполимеризация, математическое моделирование взаимодействия электронного луча с веществом
Основные публикации по темам исследований:
- Nanophotonic structure formation by dry e-beam etching of the resist: resolution limitation origins / A. Rogozhin, M. Bruk, E. Zhikharev, F. Sidorov // Computer Optics. — 2017. — т. 41, № 4. — с. 499—503.
- Fabrication of microlens arrays and planar photonic crystals using thermal amplification of resist / F. Sidorov, M. Bruk, E. Zhikharev, A. Rogozhin. 2018.
- Simulation of dry e-beam etching of resist and experimental evidence / A. Rogozhin, F. Sidorov, M. Bruk, E. Zhikharev. — 2019.
- Sidorov F., Rogozhin A. Detailed Monte-Carlo simulation of PMMA chain scissions in e-beam lithography. — 2019.
- Rogozhin A., Sidorov F. E-beam lithography simulation techniques // Russian Microelectronics. — 2020. — т. 49, № 2. — с. 108—122.
- Direct Monte-Carlo simulation of dry e-beam etching of resist / F. Sidorov, A. Rogozhin, M. Bruk, E. Zhikharev // Microelectronic Engineering. — 2020. т. 227. — с. 111313.
- Sidorov F., Rogozhin A. Microscopic simulation of e-beam induced PMMA chain scissions with temperature effect. — 2020.
- Sidorov F., Rogozhin A. New microscopic approach to e-beam lithography simulation. — 2020.
- Isaev A., Sidorov F., Rogozhin A. Influence of Resist Spreading during Its Dry Electron-Beam Etching on a Lateral Resolution // Russian Microelectronics. — т. 50, № 1. — с. 19—23.