Методом МВЕ выращены многослойные структуры Ge/Si переменной толщины (от 0,1 до 15 нм) с результирующей толщиной 80 – 150 нм на Si (111). При температуре 7000С формируется полностью релаксированный слой Ge0,25Si0,75 на Si (111) с плотностью дефектов не выше 3.105 см-2.
BondorenkoV.I., LebedevO.I., AntipovM.V., VasilievA.G., OrlikovskyA.A. HRENinvestigationofGexSiheterostructuresformation.ICEM 13, Paris, 1994, p.153-154.
Антипов М.В., Васильев А.Г., Васильев А.Л., Киселев Н.А., Лебедев О.И., Орликовский А.А. Исследования мноослойных структур Ge/Si переменной толщины. Труды ФТИАН, ред. К.А.Валиев, “Наука” т.8, 1994, с.110-127.
KiselevN.A., LebedevO.I., VasilievA.L., AntipovM.V., ValievK.A., VasilievA.G., OrlikovskyA.A. InvestigationofmultilayeredGe/Sistructureswithvaryingthicknesses. Vacuum,v.46, N3, p.269-276, 1995.