15:00
C.B. Михайлович (ИСВЧПЭ РАН)
Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN с разной толщиной барьерного слоя
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук )
2016-06-28