Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники (Page 9)

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
О. А. Рубан («Московский технологический университет» МИРЭА)
Частотные характеристики нитрид-галлиевых полевых транзисторов с учетом структурной релаксации барьерного слоя AlGaN
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
С. Ю. Купреенко (МГУ им. М.В. Ломоносова)
Электронная спектроскопия материалов и микроструктур в сканирующем электронном микроскопе
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
Ю. В. Федоров (ИСВЧПЭ)
Нитрид-галлиевые гетероструктуры электроники миллиметрового диапазона: анализ возможностей, технологии и приборы

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
П. С. Захаров (НИИМЭ)
Эффект обратимого переключения электрической проводимости в тонких пленках нестехиометрического оксида кремния
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук )

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
А. Г. Черникова (МФТИ)
Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических 
HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
А. С. Грязев (МЭИ)
Неразрушающие методы анализа неоднородных образцов на основе электронной спектроскопии

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:30
А. А. Малых (Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»)
Микроэлектронные датчики с частотным выходом на основе КНИ чувствительного элемента транзисторного типа
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
C.B. Михайлович (ИСВЧПЭ РАН)
Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN с разной толщиной барьерного слоя
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук )

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:40
И. Н. Мищенко (ФТИАН РАН)
Развитие многоуровневых моделей магнитной динамики однодоменных частиц для описания кривых намагничивания и мёссбауэровских спектров магнитных наноматериалов
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)