Руководитель лаборатории — с.н.с., к.ф-м.н. Рогожин А.Е.
rogozhin@ftian.ru
Основные напрвления исследования
- Разработка новых резистов и характеризация доступных резистов в интересах микроэлектронной промышленности РФ
- Создание базы данных производителей резистов
- Оптимизация литографических процессов во ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
Сотрудники лаборатории
Шишлянников Антон Валерьевич, к.ф.-м.н., ведущий инженер
Исаев Александр Геннадьевич, м.н.с.
Фетисенкова Ксения Алексеевна, инженер, студентка МФТИ
Киселевский Всеволод Алексеевич, инженер, студент МГУ
Звонов Петр Петрович, инженер, студент МЭИ
Глаз Олег Геннадьевич, студент МЭИ
Публикации
- Sidorov F., Rogozhin A., Bruk M., Zhikharev E. Direct Monte-Carlo simulation of dry e-beam etching of resist // Microelectronic Engineering – 2020 – V.227 – 111313. DOI: 10.1016/j.mee.2020.111313
- Isaev A.G., Sidorov F.A., Rogozhin A.E. Influence of Resist Spreading during Its Dry Electron-Beam Etching on a Lateral Resolution // Russian Microelectronics – 2021 – V.50(1) – p. 19–23. DOI: 10.1134/S1063739721010066
- Miakonkikh A., Lomov A., Rogozhin A., Rudenko K., Lukichev V., Kiselev D., Tikhonenlo F., Antonov V., Popov V. Phase transformation in ALD hafnia based layers for silicon-on-ferroelectric devices // 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, EUROSOI-ULIS – 2020, art. no. 9365298. DOI: 10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365298
- Miakonkikh A.V., Shishlyannikov A.V., Tatarintsev,A.A., Kuzmenko V.O., Rudenko K.V., Gornev E.S. Study of the Plasma Resistance of a High Resolution e-Beam Resist HSQ for Prototyping Nanoelectronic Devices // Russian Microelectronics – 2021 – V.50(5) – p. 297-302. DOI: 10.1134/S1063739721050048
- Permyakova O.O., Rogozhin A.E. Modelling electroforming process under constant bias voltage conditions // J. Phys.: Conf. Ser. – 2021 – V.2086 – 012030. DOI: 10.1088/1742-6596/2086/1/012030
- Rogozhin A., Miakonkikh A., Smirnova E., Lomov A., Simakin S. Rudenko K. Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Ruthenium Films Using Ru(EtCp)2 Precursor // Coatings – 2021 – V.11 – p.117. DOI: 10.3390/coatings 11020117
- Smirnova E.A., Miakonkikh A.V., Rogozhin A.E., Rudenko K.V. Properties of plasma enhanced atomic layer deposited ruthenium thin films from Ru(EtCp)2 // J. Phys.: Conf. Ser. – 2021 – V.2086 – 012209. DOI: 10.1088/1742-6596/2086/1/012209
- V P Popov, V A Antonov, F V Tikhonenko, S M Tarkov, A K Gutakovskii, I E Tyschenko, A V Miakonkikh, A A Lomov, A E Rogozhin, K V Rudenko, Robust semiconductor-on-ferroelectric structures with hafnia–zirconia–alumina UTBOX stacks compatible with CMOS technology // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2021 – 54 225101. DOI: 10.1088/1361-6463/abe6cb
- Chesnokov Y.M., Miakonkikh A.V., Rogozhin A.E., Rudenko K.V., Vasiliev A.L. Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition // (2018) Journal of Materials Science, 53 (10), pp. 7214-7223. DOI: 10.1007/s10853-018-2099-5
- Tatarintsev, A.A., Shishlyannikov, A.V., Rudenko, K.V. et al. The Effect of Temperature on the Development of a Contrast HSQ Electronic Resist. // Russ Microelectron 49, 151–156 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720030063
- Мяконьких А.В., Орликовский Н.А., Рогожин А.Е., Татаринцев А.А., Руденко К.В., Влияние дозы экспонирования на стойкость негативного электронного резиста HSQ в процессах плазмохимического и химического травления // Микроэлектроника, Том 47 (2018), с. 179-186. DOI: 10.7868/S0544126918030018