2001

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2001 год

  1. С. Н. Аверкин, Т. И. Аверкина, К. А. Валиев, А. С. Кабановский, В. А. Наумов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. А. Рылов, Я. Н. Суханов, А. В. Фадеев. Плазменно-иммерсионный имплантер для формирования супермелкозалегающих p-n переходов. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 1, с О1-5.
  2. К. В. Руденко, А. А. Орликовский. Проблемы мониторинга плазменных технологических процессов: диагностика плазмы и поверхности. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 1, с О3-6. А.А. Орликовский, К.В. Руденко. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть I. Микроэлектроника, т.30, № 2, с.85-105 (2001).
  3. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть II. Микроэлектроника, т.30, № 3, с. 163-182 (2001).
  4. А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть III. Микроэлектроника, т.30, № 5, с.323-344 (2001).
  5. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть IV. Микроэлектроника, т.30, № 6 (2001).
  6. А. П. Ершов, В. Ф. Лукичев, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Влияние электрического поля в плазме на электронную ветвь ВАХ Ленгмюровского зонда: моделирование методом Монте-Карло. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 2, с Р3-27.
  7. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Осаждение алмазоподобных пленок из пучков ионов углеродсодержащих веществ. Труды VI Международной конференции «Пленки и покрытия», Санкт – Петербург, 2001г., с. 176 ?180;
  8. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Применение многопучкового источника ионов в ионно – лучевой технологии осаждения и травления тонких пленок. Труды IV Международного симпозиума «Вакуумные технологии и оборудование», Харьков, 2001г.;
  9. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, В. А. Кальнов, П. А. Аверичкин. Синтез тонких пленок из пучка ионов кремнийорганических соединений. Тезисы Всероссийской научно – технической конференции «Микро – и наноэлектроника – 2001», Звенигород, 2001г., Р1 – 43.
  10. A. A. Kokin, K. A. Valiev. “Problems in realization of large-scale ensemble silicon-based NMR quantum computers.” // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника», 2001, т.1, с.О4-1.
  11. Ю. И. Ожигов, Н. Б. Викторова. “Преобразование диффузии и квантовое ускорение алгоритмов”, Письма в ЖЭТФ, 2001, 2, стр. 23-30.
  12. Y. Ozhigov. “Fast quantum algorithm for iterated search”, Complex systems, 2001, 5, pp. 55-59.
  13. Ю. И. Ожигов. “Быстрый квантовый алгоритм распознавания логических формул”, сдано в редакцию ДАН 2001г.
  14. A. A. Larionov, L. E. Fedichkin, K. A. Valiev. “Silicon-based quantum computer using single electron”. // Proceedings of 9th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, 2001, pp. 400-402.
  15. А. А. Ларионов, Л. Е. Федичкин, К. А. Валиев. «Кремниевый ЯМР квантовый компьютер, управляемый с помощью единичного электрона», // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника», 2001, т.1, с.О3-2.
  16. A. A. Larionov, L. E. Fedichkin, K. A. Valiev. “Silicon-based NMR quantum computer using resonant transfer of the single electron for inter qubit interaction.” // To be published in Nanotechnology.
  17. А. М. Афанасьев, М. А. Чуев, Ю. Гессе. Сдвиг релаксационно-стимулированных резонансов в мессбауэровских спектрах поглощения при наложении постоянного магнитного поля, Письма в ЖЭТФ, 2001, т.73, N10, с.588-592;
  18. М. А. Чуев, А. М. Афанасьев. Релаксационно-стимулированные резонансы в мессбауэровских спектрах поглощения при воздействии РЧ-поля, Известия РАН, сер. физическая, 2001, т.65, N7, с.936-940.
  19. А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, М. А. Чуев. Линии Косселя для предельно асимметричных схем дифракции. Письма в ЖЭТФ, 2001, т. 73, N6, с.309-311;
  20. М. А. Чуев, А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, П. Г. Медведев. Аномальное усиление интенсивности линии Косселя для предельно асимметричной схемы дифракции. Поверхность, 2002, в печати.
  21. А. М. Афанасьев, М. А. Чуев, Р. М. Имамов, Э. М. Пашаев, С. Н. Якунин, Дж. Хорват. Двухкристальная рентгеновская дифрактометрия в роли метода стоячих рентгеновских волн. Письма в ЖЭТФ, 2001, в печати;
  22. А. М. Афанасьев, А. П. Болтаев, Р. М. Имамов, Э. Х. Мухамеджанов, М. М. Рзаев, М. А. Чуев. Характеристики квантовой ямы Si1-xGex/Si по данным рентгенодифракционного анализа. Микроэлектроника, 2002, в печати.
  23. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Hybridization of electron, light-hole and heavy-hole states in InAs/GaSb quantum wells. Phys. Rev. B, 2001, in press.
  24. Е. И. Голант, А. Б. Пашковский, Г. Ю. Хренов. Когерентное туннелирование электронов по расщепленным квазиуровням трехбарьерных наноструктур в резонансном высокочастотном поле. “Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III”, Труды ФТИАН, т.17, с.3-12, 2001.
  25. Г. А. Бабушкин, Ю. В. Житников, М. Е. Сарычев. Моделирование эффективных зарядов ионов в межзеренных границах металлов. “Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III”, Труды ФТИАН, т.17, с.82-96, 2001.
  26. Р. В. Гольдштейн, Н. М. Осипенко. Модель разрушения соединительного элемента при термоциклических нагрузках (пример анализа). “Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III”, Труды ФТИАН, т.17, с.97-107, 2001.
  27. А. Г. Васильев, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Кинетика фазообразования тонких пленок Ti-Co-Si-N на Si и SiO2, Пленки и покрытия’ 2001, С.-Петербург, 2001, 299-306
  28. А. Г. Васильев, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Реакционно-диффузионные процессы взаимодействия сплавов Ti-Co-Si-N и Ti-Co-N с Si при магнетронном сораспылении металлов и кремния на нагретую подложку// Всероссийская научно-техническая конференция МНЭ-2001, Т.2, Р1-19.
  29. А. Г. Васильев, Р. А. Захаров, В. В. Родатис, А. В. Лобинцов, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Фазообразование в многокомпонентных системах Ti-Co-Si-N и Ti-Co-N при поверхностно-диффузионном механизме формирования тонких пленок на Si и SiO2// Микроэлектроника, 2001, Т.30, № 5, с. 345-352
  30. А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. «Моделирование кремниевых полевых транзисторов». Микро- и наноэлектроника-2001, Звенигород. Тезисы докладов, том 1, с. О3-24.
  31. А. А. Ветров, И. М. Скирневская, М. В. Янченко, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский. «Моделирование структур твердотельного квантового компьютера». Микро- и наноэлектроника-2001, Звенигород. Тезисы докладов, том 2, с. Р3-4.
  32. V. V’yurkov and A. Vetrov. Spontaneous Magnetisation of a Two-Dimensional Electron Gas. LANL preprint cond-mat/0105361, May, 2001.
  33. В. В. Вьюрков, А. А. Ветров. Спонтанная магнетизация двумерного электронного газа. V Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 2001. Тезисы докладов, с.306.
  34. V. V. Protopopov. “Focusing of X rays by flexible mirrors under arbitrary loading”, Optics Communications, vol. 199, No.1-4 (2001), pp.1-15.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.