Семинары (Page 4)

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

24 июля (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

В программе семинара рассмотрение следующих материалов:

  1. Доклад по материалам статьи «Precise reconstruction of polarization quantum states under noisy measurement conditions» – «Прецизионная реконструкция поляризационных квантовых состояний в условиях зашумленных измерений». Авторы:И.К. Голышев, Н.А. Богданова, Ю.И. Богданов, В.Ф. Лукичев. Докладчик: инженер Голышев И.К. Статья подготовлена для публикации в журнале Russian Microelectronics.
  2. Доклад по материалам статьи «Mitigation of errors in the preparation, transformation, and measurement of a two-qubit state in the Gate Melmer-Sorensen tomography procedure» – «Ослабление ошибок приготовления, преобразования и измерения двухкубитового состояния в процедуре томографии гейта Мёльмера-Соренсена». Авторы: И.А. Дмитриев, Ю. И. Богданов, Б. И. Бантыш, К. Б. Кокшаров, В. Ф. Лукичев. Докладчик: Дмитриев И.А. Статья подготовлена для публикации в журнале Russian Microelectronics.
  3. Доклад по материалам статьи «Developmentof Fuzzy Quantum Measurement Protocols for Ionic-Based Qudits» – «Разработка протоколов нечётких квантовых измерений для ионных кудитов». Авторы: К.Б. Кокшаров, Ю.И. Богданов, Б.И. Бантыш, В.Ф. Лукичев. Докладчик: Кокшаров К.Б. Статья подготовлена для публикации в журнале Russian Microelectronics.

Также будут рассмотрены следующие материалы:

  1. Доклад по материалам РИД «Программа численного моделирования томографии оптических квантовых состояний с учётом неидеальностей PNR-детекторов». Докладчик: Дмитриев И.А.
  2. Доклад по материалам РИД «Программа численного моделирования томографии квантовых состояний кудитов с учётом ошибки считывания путём применения матрицы несоответствий». Докладчик: Кокшаров К.Б.
  3. Доклад по материалам РИД «Программа численного моделирования томографии квантовых состояний поляризационных кубитов с учетом инструментальных ошибок измерений». Докладчик: Голышев И.К.

Для очного участия заполните форму (для оформления пропуска)

По остальным вопросам обращаться к Кокшарову К.Б.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
15 июля (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. Р.В. Селюков, А.В. Проказников, В.А. Папорков, М.А. Лях, В.В. Наумов «Метод исследования магнитооптического отклика отдельных магнитных нанослоев трехслойной системы», статья в журнал «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования» издательства «НАУКА», выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт» тема 3Ф-ФТИАН.4, Докладчик Селюков Роман Вячеславович, ОФТИ Ярославль.
  2. Бучин Э.Ю., «Термомиграция кластеров на поверхности наноматериалов», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.», выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт» тема 3Ф-ФТИАН.4, Докладчик Бучин Эдуард Юрьевич, ОФТИ Ярославль.
  3. О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, Д.Р. Титов, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, А.С. Федоров, М.В. Логунов “Круговой дихроизм в киральных метаматериалах на основе наноструктурированных пленок кобальта”, статья в журнал “Микроэлектроника” издательства «Наука», Работа проведена в рамках выполнения государственного задания НИЦ «Курчатовский институт» тема 3Ф-ФТИАН.3, докладчик Трушин Олег Станиславович, ОФТИ Ярославль.
  4. О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, А.С. Федоров, М.В. Логунов «Перспективные киральные метаматериалы на основе наноструктрированных тонких пленок для фотоники и биосенсорики», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа проведена в рамках выполнения государственного задания НИЦ «Курчатовский институт» тема 3Ф-ФТИАН.3, докладчик Трушин Олег Станиславович, ОФТИ Ярославль.
  5. И.С. Фаттахов, О.С. Трушин, А.А. Попов, Е.А. Грушевский, Л.А. Мазалецкий, М.В. Логунов, А.С. Федоров, «Влияние наношаблона из пористого алюминия на рост и оптическую активность наноспиралей, полученных методом наклонного напыления», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа проведена в рамках выполнения государственного задания НИЦ «Курчатовский институт» тема 3Ф-ФТИАН.3 при финансовой поддержке Правительства Ярославской области, проект № 12NP/2024, докладчик Трушин Олег Станиславович, ОФТИ Ярославль.
  6. И.С. Фаттахов, О.С. Трушин, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, М.В. Логунов, А.С. Федоров, «Циркулярный дихроизм и вращение плоскости поляризации в  киральных наноструктурах меди и никеля», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа проведена в рамках выполнения государственного задания НИЦ «Курчатовский институт» тема 3Ф-ФТИАН.3, при финансовой поддержке Правительства Ярославской области, проект № 12NP/2024, докладчик Трушин Олег Станиславович, ОФТИ Ярославль.
  7. Е.А. Грушевский, Н.Г. Савинский, Л.А. Мазалецкий, О.C.Трушин, Л.А.Шендрикова «Особенности технологии электрохимической кристаллизации наноцилиндрических высокоаспектных ферромагнетиков Fe, Ni, Co в порах анодного окисла алюминия», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа проведена в рамках выполнения государственного задания НИЦ «Курчатовский институт» тема 3Ф-ФТИАН.3, докладчик Грушевский Егор Алексеевич, ОФТИ Ярославль.
  8. Е.А. Грушевский, Н.Г. Савинский, О.С.Трушин, «Микромагнитное моделирование гексагональных ансамблей высокоаспектных нанопроволок ферромагнетиков железа, никеля и кобальта», для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «16-я Валиевская Международная конференция “Микро- и наноэлектроника, 2025”, г. Ярославль, 6-10 октября 2025 г.». Работа проведена в рамках выполнения государственного задания НИЦ «Курчатовский институт» тема 3Ф-ФТИАН.3, докладчик Грушевский Егор Алексеевич, ОФТИ Ярославль.
  9. E. A. Grushevsky, N. G. Savinski, O. S. Trushin, V. V. Naumov, L. A. Shendrikova. «Magnetic properties of iron nanowires in a porous aluminum oxide matrix» (Е. А. Грушевский, Н. Г. Савинский, О. С. Трушин, В. В. Наумов, Л. А. Шендрикова «Магнитные свойства железных нанопроволок в пористой матрице оксида алюминия») для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале “St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics” (“Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки” издательства “Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”). Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Грушевский Егор Алексеевич, ОФТИ Ярославль.

 

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
2 июля (среда) 2025 года в 13-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. M. O. Morozov, I. V. Uvarov ”MEMS switch with an intermediate electrode for high-speed communication networks” ( М. О. Морозов, И. В. Уваров “МЭМС-переключатель с дополнительным электродом для систем высокоскоростной связи”) для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале “St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics” (“Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки” издательства “Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”). Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Морозов Матвей Олегович, ОФТИ Ярославль.
  2. Y. D. Belov, S. P. Zimin, I. I. Amirov «Calculation of the volume of nano- and microstructures formed on the surface of PbTe during ion-plasma treatment using machine learning» (Я. Д. Белов, С. П. Зимин, И. И. Амиров «Расчет объема нано- и микроструктур, образующихся на поверхности PbTe при ионно-плазменной обработке с использованием машинного обучения ») для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале “St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics” (“Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки” издательства “Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”). Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.4. Докладчик Белов Ярослав Дмитриевич, ОФТИ Ярославль.
  3. Belozerov I. A., Uvarov I. V. “A compact MEMS switch based on a cantilever with three elastic elements (Белозеров И.А., Уваров И.В.”Компактный МЭМС-переключатель на основе кантилевера с тремя упругими элементами”) для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале “St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics” (“Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки” издательства “Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”). Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ, проект № 25-19-20107. Докладчик Белозеров Игорь Александрович, ОФТИ Ярославль.
  4. Бобков С.Г., Змеев Д.Н., Климов А.В., Левченко Н.Н. “Оптимизация процесса сопоставлений в вычислительных системах, реализующих потоковую модель вычислений с динамически формируемым контекстом” для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Информационные технологии» ООО «Издательство «Новые технологии» Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт». Докладчик Левченко Николай Николаевич, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике).
  5. В.А. Скиданов, «Поперечный магнитооптический эффект Керра в бислоях магнитных и нормальных переходных металлов с различным заполнением d-оболочки», для опубликования в тезисах конференции «9-й Евро-Азиатский симпозиум «Тренды в магнетизме» (EASTMAG 2025)» Южно-Сахалинск, Россия, 13–17 сентября 2025 г.. Работа выполнена в рамках государственного задания НИЦ «Курчатовский институт». Докладчик В.А. Скиданов, ОППМ (Отделение проблем проектирования в микроэлектронике).
  6. P. S. Shlepakov, V. B. Svetovoy, I. V. Uvarov «Methods for increasing the performance of a microactuator based on a hydrogen–oxygen mixture explosion» (П. С. Шлепаков, В. Б. Световой, И. В. Уваров «Методы повышения быстродействия микроактюатора на основе взрыва водород-кислородной смеси») для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале “St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics” (“Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки” издательства “Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”). Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ, проект № 25-29-00292. Докладчик Шлепаков Павел Сергеевич, ОФТИ Ярославль.
  7. В.М. Мордвинцев, Е.С. Горлачев, «Электроформовка мемристоров на основе открытых «сэндвич»-структур TiN-SiO2-Mo в смягченном режиме», для опубликования в открытой печати в виде тезисов в трудах конференции, «Микро- и наноэлектроника – 2025» (ICMNE-2025), Ярославль, 6-10 октября 2025 г. Работа выполнена в рамках плановой темы Отделения ФТИАН им. К.А. Валиева НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Е.С. Горлачев, ОФТИ Ярославль.
  8. В.М. Мордвинцев, Е.С. Горлачев, «Аномальная электроформовка и переключения мемристоров на основе открытых «сэндвич»-структур TiN‑SiO2‑Mo» журнале “Микроэлектроника”издательства “НАУКА”, Работа выполнена в рамках плановой темы Отделения ФТИАН им. К.А. Валиева НИЦ «Курчатовский институт», тема 3Ф-ФТИАН.3. Докладчик Мордвинцев Виктор Матвеевич, ОФТИ Ярославль.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
10 июня (вторник) 2025 года в 13-00 состояиться семинар.
 
В программе семинара три доклада по диссертациям, выполненным в ОФТИ им. К.А. Валиева:
 

1. Шлепаков Павел Сергеевич, «Разработка микрофлюидного насоса на основе электрохимического актюатора» , по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

2. Гайдукасов Рафаэль Алексеевич «Характеризация наноструктурированных материалов микроэлектроники методами спектральной эллипсометрии и рефлектометрии», по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

3. Исаев Александр Геннадьевич “Процессы кристаллизации и образования проводящих филаментов в структурах на основе оксида и оксинитрида гафния”, по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

5 июня (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

В программе рассмотрение материалов для выступлений со стендовыми докладами на 8-ой Международной конференции по квантовым технологиям (ICQT-2025), которая состоится в Москве в период с 21 по 25 июля 2025 года:

  1. доклад «Measurement of Optical Quantum States UsingNonIdeal Detectors» – «Измерение оптических квантовых состояний с использованием неидеальных детекторов», докладчик м.н.с. Дмитриев И.А.

Также в программе рассмотрение материалов для выступления с устными докладами на 11-м Российском форуме «Микроэлектроника2025», который пройдёт 21-27 сентября 2025 года на Федеральной территории «Сириус», г. Сочи:

  1. доклад «Qudit State Tomography with Imperfect Readout» – «Томография кудитов с учётом неидеальности измерений», докладчик м.н.с. Кокшаров К.Б.;
  2. доклад «Reconstruction of polarization quantum states taking into account finite spectral bandwidth and non-Markovian features of quantum operations» – «Реконструкция поляризационных квантовых состояний с учетом конечной ширины спектра и немарковости квантовых операций», докладчик инженер Голышев И.К
  3. доклад «Measurementof optical quantum states using non-ideal detectors» – Измерение оптических квантовых состояний с использованием неидеальных детекторов», докладчик м.н.с. Дмитриев И.А.;
  4. доклад «Theformalism of generating functions of probability amplitudes in optical quantum information technologies» – «Формализм производящих функций амплитуд вероятностей в оптических квантовых информационных технологиях», докладчик гл.н.с. Богданов Ю.И.;
  5. доклад «Thecentenary of quantum mechanics and prospects for the development of quantum information technologies» – «Столетний юбилей квантовой механики и перспективы развития квантовых информационных технологий», докладчик ст.н.с. Богданова Н.А.

Также будут рассмотрены материалы для выступления с устными докладами в Школе молодых учёных в рамках Российского форума «Микроэлектроника 2025»:

  1. доклад «High-precisiontomography of polarization quantum states taking into account instrumental measurement errors» – «Высокоточная томография поляризационных квантовых состояний с учетом инструментальных ошибок измерений», докладчик инженер Голышев И.К.;
  2. доклад «Investigationof an iterative maximum likelihood algorithm in problems of reconstruction of quantum states» – «Исследование итерационного алгоритма максимального правдоподобия в задачах реконструкции квантовых состояний», докладчик инженер Голышев И.К.

И рассмотрение следующих материалов:

  1. доклад «Квантовый компьютер: достижения и перспективы», авторы Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В., Федичкин Л.Е. Презентация (без опубликования) представлена для выступления на Международном военно-техническом форуме «Армия-2025», 11-14 августа 2025г., Москва (докладчик В.В. Вьюрков).
  2. доклад по материалам статьи “Benchmarking single-qubit gates on a neutral atom quantum processor” – “Бенчмаркинг однокубитных гейтов на квантовом процессоре на основе нейтральных атомов”. Авторы: A. Rozanov, B. Bantysh, I. Bobrov, G. Struchalin, S. Straupe. Докладчик: с.н.с. Бантыш Б.И. Статья подготовлена для публикации в журнале Physical Review A.

Для очного участия заполните форму (для оформления пропуска)

По остальным вопросам обращаться к Кокшарову К.Б.

 

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
14 мая (среда) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. “О корректности модельного описания состава плазмы в смеси SF6 + He + O2” А. В. Мяконьких, В. О. Кузьменко, А. М. Ефремов, К. В. Руденко, статья для опубликования в Журнале “Микроэлектроника” издательства “Наука”. Мяконьких Андрей Валерьевич, ФТИАН
  2. “Сегнетоэлектрические свойства легированного HfO2 и перспективы создания транзисторов FeFET и нейроморфных интегральных схем”. Руденко К.В., Мяконьких А.В., Ломов А.А., Лукичев В.Ф., В.А. Антонов, М.С. Тарков, В.П. Попов,   материалы доклада на  конференции посвященной 80-летию академика РАН, Президента РТУ МИРЭА Александра Сергеевича Сигова.  3 июня 2025 г. РТУ МИРЭА, Москва (по приглашению оргкомитета). Мяконьких Андрей Валерьевич, ФТИАН
  3. “Моделирование влияния технологических параметров на рост киральных метаповерхностей” М. М. Чебохин, О. С. Трушин, опубликование в трудах конференции “Физика, техника и технология сложных систем”, Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, Ярославль, 23 апреля по 7 мая 2025 года. Чебохин Максим Михайлович , ЯФ ФТИАН
  4. «Влияние ионной бомбардировки на структуру тонких пленок Pt и напряжения в них»  Р.В. Селюков, В.В. Наумов, М.О. Изюмов, С.В. Васильев, Л.А. Мазалецкий. Статья в журнал «Письма в Журнал технической физики» издательства “ФТИ им. А.Ф.Иоффе”. Селюков Роман Вячеславович, ЯФ ФТИАН
  5. “Метод тестирования радиационной стойкости материалов полупроводниковой электроники в электронном микроскопе» В.А. Киселевский, А. А. Татаринцев, статья в журнал “Микроэлектроника” издательства “Наука”. Киселевский Всеволод Алексеевич, ФТИАН
  6. “ИОННО-СТИМУЛИРОВАННАЯ ПОВЕРХНОСТНАЯ ДИФФУЗИЯ” А.В. Фадеев, Ю.Н. Девятко статья в журнал “Микроэлектроника” издательства “Наука”. Фадеев Алексей Владимирович, ФТИАН

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

24 апреля (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

Измерение оптических квантовых состояний с использованием неидеальных детекторов

Докладчики: Ю.И. Богданов, И.К. Голышев, И.А. Дмитриев (ФТИАН)

 

По вопросам оформления пропусков писать Кокшарову Кириллу Борисовичу или заполнить форму.

 

On:
In: Квантовые компьютеры, Семинары

17 апреля (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

Томография кудитов с учётом неидеальности измерений

Докладчики: Ю.И. Богданов, К.Б. Кокшаров (ФТИАН)

 

По вопросам оформления пропусков писать Кокшарову Кириллу Борисовичу или заполнить форму.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
15 апреля (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. A.S. Babushkin , A.N. Kupriyanov, «A molecular dynamics study of mechanical stress changes in Cr and Cu polycrystalline films due to low energy Ar ion bombardment» (А.С. Бабушкин, А.Н. Куприянов «Исследование методом молекулярной динамики изменения механических напряжения в поликристаллических пленках Cr и Cu в результате низкоэнергетической бомбардировки ионами Ar»,). Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion–Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Бабушкин Артем Сергеевич, ЯФ ФТИАН
  2. A.V. Tsukanov “Exciton qubit on spatial states of a triple quantum dot”. (А.В. Цуканов, «Экситонный кубит на пространственных состояниях тройной квантовой точки»). Опубликование в виде статьи в журнале “ Optical and Quantum Electronics” издательства “Springer”. Докладчик Цуканов Александр Викторович, ФТИАН
  3. A.V. Tsukanov, I. Yu. Kateev “Tunnel–optical electron transitions in an asymmetric double quantum dot under correction field” (А.В. Цуканов и И.Ю. Катеев «Туннельно-оптические электронные переходы в асимметричной двойной квантовой точке с корректирующим полем») Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале “Laser Physics Lettres” издательства   IOP Publishing, Докладчик Цуканов Александр Викторович, ФТИАН
  4. И.И. Амиров, А.Н. Куприянов, М.О. Изюмов, Л.А. Мазалецкий. НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ РАСПЫЛЕНИЕ Al-Cu В АРГОНОВОЙ ПЛАЗМЕ. ЭКСПЕРИМЕНТ И МОДЕЛИРОВАНИЕ. Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г. Докладчик Амиров Ильдар Искандерович, ЯФ ФТИАН
  5. Д.Э. Пухов, М.Е. Лебедев «Неразрушающий электронно-зондовый энергодисперсионный анализ массовой толщины и коэффициента ослабления рентгеновского излучения тонких пленок». Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Журнал технической физики»  издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Докладчик Пухов Денис Эдуардович, ЯФ ФТИАН
  6. А.С. Бабушкин*, Р.В. Селюков, Моделирование самосборки микроиндукторов производимой за счет остаточных механических напряжений. Для опубликования в открытой печати в виде: статьи в журнале «Микроэлектроника» издательства «НАУКА». Докладчик Бабушкин Артем Сергеевич, ЯФ ФТИАН
  7. Халилуллин Р. Р., Кузьменко В. О., Мяконьких А.В. «Влияние технологических параметров процесса травления на энергетический спектр ионов.» Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Журнал технической физики» издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Докладчик Мяконьких Андрей Валерьевич, ФТИАН
  8. Isaev A. G., Permyakova O. О., Kalimova I.F., Lomov A.A., Chesnokov Y.M., Miakonkikh A. V., Rogozhin A. Е. «Crystallization and conductive filament growth in HfO2 and HfOxNy–based structures». (Исаев А.Г., Пермякова О.О., Калимова И.Ф., Ломов А.А., Чесноков Ю.М., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е. «Кристаллизация и рост проводящих филаментов в структурах на основе HfO2 и HfOxNy»). Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Nanomaterials» издательства “MDPI”. Докладчик Исаев Александр Геннадьевич, ФТИАН
  9. М.А. Смирнова, В.И. Бачурин, М.Е. Лебедев, К.Н. Лобзов, Л.А. Мазалецкий, Д.Э. Пухов, С.Г. Симакин, А.Б. Чурилов «Развитие топографии поверхности полупроводников А3В5 при облучении фокусированным ионным пучком галлия». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion-Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Смирнова Мария Александровна, ЯФ ФТИАН
  10. А.С. Рудый, М.А. Смирнова, В. И. Бачурин, А.Н. Куликов «Формирование террасированного рельефа на поверхности кремния при облучении ионами галлия». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г. Докладчик Смирнова Мария Александровна, ЯФ ФТИАН
  11. В.К. Смирнов, Д.С. Кибалов, В.И. Бачурин, А.Б. Чурилов, А.С. Рудый «Периодические наноструктуры на поверхности GaAs и AlGaAs самофмируемые распылением ионами азота». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion-Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Бачурин Владимир Иванович, ЯФ ФТИАН
  12. Ю.А. Данилов, И.Н. Антонов, В.И. Бачурин, М.В. Ведь, О.В. Вихрова, Ю.А. Дудин, И.Л. Калентьева, Р.Н. Крюков, А.В. Нежданов, А.Е. Парафин, С.Г. Симакин, П.А. Юнин «Формирование ферромагнитных слоев GaMnAs имплантацией ионов Mn в ускорителе с вакуумно-дуговым источником» для публикации в Журнале технической физики. Докладчик: Бачурин Владимир Иванович, ЯФ ФТИАН
  13. «Quantum register based on double quantum dots in semiconductor nanowires» (перевод «Квантовый регистр на основе двойных квантовых точек в полупроводниковых нанопроводах» В.В. Вьюрков, Л.Е. Федичкин, И.А. Семенихин, Д.А. Дрожжин, К.В. Руденко, В.Ф.Лукичев. 1) в открытой печати в виде статьи в журнале “Physical Review” (B, X Quantum) издательства “American Physical Society”. 2) в виде препринта на сайте ArXiv (https://arxiv.org/), Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.
  14. Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В., Федичкин Л.Е., «Применение квантового компьютера в Арктике», Презентация (без опубликования в печати) представлена для выступления на 9-ом Международном Арктическом саммите «Арктика: перспективы, инновации и развитие регионов» (Саммит Арктика 2025) 23 апреля, Москва, докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.
  15. Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В., Федичкин Л.Е., «Квантовый компьютер: достижения и перспективы. Презентация (без опубликования в печати) представлена для выступления на XXIX форуме Связь-2025, 25 апреля, Москва, докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары
1 апреля (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. V. Popov, M. Tarkov, V. Antonov, F. Tikhonenko, A. Miakonkikh, K. Rudenko, Energy-efficient VLSI ferroelectric elements for neuromorphic AI systems (В. Попов, М. Тарков, В. Антонов, Ф. Тихоненко, А. Мяконьких, К. Руденко,  Энергоэффективные сегнетоэлектрические элементы СБИС для нейроморфных систем искусственного интеллекта). 2025 IEEE 26th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials June 27 — July 1, 2025, The Altai Republic, Russia, IEEE Xplore Digital Library (2025 IEEE (Институт инженеров электротехники и электроники) 26-я Международная конференция молодых специалистов в области электронных приборов и материалов 27 июня — 1 июля 2025, Республика Алтай, Россия), Докладчик Мяконьких А.В. ФТИАН
  2. Термостабильный сегнетоэлектрик HfO2:Al2O3 (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением (В.П. Попов, В.А. Антонов, В.Е. Жилицкий, А.А. Ломов, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко) Статья в журнал ”Письма В ЖЭТФ” издательства ”Наука”,   Докладчик Мяконьких А.В. ФТИАН
  3. “Стабилизация состояний мемристорной ячейки в процессе начальных переключений после формовки” (Фадеев А.В., Руденко К.В.)  Статья в журнал ”Микроэлектроника” издательства ”Наука”, Докладчик Фадеев А.В., ФТИАН
  4. Морозов М.О. МЭМС-переключатель для высокоскоростных систем связи, тезисы в трудах конференции Физика, техника и технология сложных систем, г. Ярославль, Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, 23.04.2025 – 07.05.2025, Докладчик Морозов М.О. ЯФ ФТИАН
  5. Исаев А. Г., Фетисенкова К. А., Мельников А. Е., Бобров Г. В., Рогожин А. Е. «Исследование нанесения, экспонирования и плазмостойкости отечественных фоторезистов ФП-9120 и ФП-05Ф», статья в журнал Микроэлектроника издательства «Наука», докладчик Исаев А.Г. ФТИАН