Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники (Page 13)

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
Фадеев А.В. (ФТИАН РАН)
Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии
(По материалам диссертации на соискание степени кандидата физико-математических наук)

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:30
А. С. Степанов (НИЦ “Курчатовский институт”)
Исследование электронного транспорта в планарных наноструктурах молекулярного масштаба
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
М. Н. Миннекаев (НИЯУ МИФИ)
Cтруктурные и химические особенности и электронные свойства ультратонких слоев BaTiO3, полученных методом импульсного лазерного осаждения
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
М. А. Брук (Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова)
Новый метод формирования маскирующего изображения (рельефа) путем прямого электронно-лучевого травления резиста

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
А. А. Ломов (ФТИАН РАН)
Рентгеновская диагностика приповерхностных и внутренних пористых слоев кремния

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

15:00
А. В. Бабичев (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН)
Влияние интерфейсов и поликристаллической структуры CVD-графена на транспорт носителей заряда
(по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

On:
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

16:00
В. П. Кудря, Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, Ю. П. Терентьев (ФТИАН РАН)
Разработка, исследование и применение в технологии микроэлектроники источников пучков быстрых нейтральных частиц