Ольга (Page 6)

Руководство и коллектив Отделения физико-технологических исследований им. К.А. Валиева поздравляет нашего коллегу старшего научного сотрудника Мяконьких Андрея Валерьевича с присуждением ученой степени доктора физико-математических наук.

В НИЦ «Курчатовский институт» стартовал прием от подразделений заявок на участие молодых ученых в конкурсе на соискание премии Президента Российской Федерации в области науки и инноваций для молодых учёных за 2025 год. СПУ первого уровня должны сдать документы в СГУС в срок до 25 августа. С вопросами обращаться к заместителю руководителя Отделения по научной работе Хорину И.А.

12 апреля стартовал прием заявок от молодых (до 35 лет включительно, доктора наук — до 40 лет включительно) ученых (индивидуально или в составе научного коллектива не более трех человек) на соискание премии Правительства Москвы. Конкурс продлится до 18 июля. Подробнее о Конкурсе можно узнать на официальном сайте http://nauka.mos.ru. Желающие участвовать должны в кратчайшие сроки прислать все необходимые материалы заместителю руководителя Отделения ФТИ им. К.А. Валиева по научной работе Хорину И.А. для согласования в НИЦ «Курчатовский институт».

24 апреля (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

Измерение оптических квантовых состояний с использованием неидеальных детекторов

Докладчики: Ю.И. Богданов, И.К. Голышев, И.А. Дмитриев (ФТИАН)

 

По вопросам оформления пропусков писать Кокшарову Кириллу Борисовичу или заполнить форму.

 

17 апреля (четверг) 2025 года в 15-00 состоится семинар.

Томография кудитов с учётом неидеальности измерений

Докладчики: Ю.И. Богданов, К.Б. Кокшаров (ФТИАН)

 

По вопросам оформления пропусков писать Кокшарову Кириллу Борисовичу или заполнить форму.

15 апреля (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. A.S. Babushkin , A.N. Kupriyanov, «A molecular dynamics study of mechanical stress changes in Cr and Cu polycrystalline films due to low energy Ar ion bombardment» (А.С. Бабушкин, А.Н. Куприянов «Исследование методом молекулярной динамики изменения механических напряжения в поликристаллических пленках Cr и Cu в результате низкоэнергетической бомбардировки ионами Ar»,). Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «IonSurface Interactions», RyazanRussia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25  29 августа 2025 г.). Докладчик Бабушкин Артем Сергеевич, ЯФ ФТИАН
  2. A.VTsukanov Exciton qubit on spatial states of a triple quantum dot”. (А.В. Цуканов, «Экситонный кубит на пространственных состояниях тройной квантовой точки»). Опубликование в виде статьи в журнале “ Optical and Quantum Electronics” издательства “Springer”. Докладчик Цуканов Александр Викторович, ФТИАН
  3. A.VTsukanovIYuKateev Tunneloptical electron transitions in an asymmetric double quantum dot under correction field” (А.В. Цуканов и И.Ю. Катеев «Туннельно-оптические электронные переходы в асимметричной двойной квантовой точке с корректирующим полем») Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале “Laser Physics Lettres” издательства   IOP PublishingДокладчик Цуканов Александр Викторович, ФТИАН
  4. И.И. Амиров, А.Н. Куприянов, М.О. Изюмов, Л.А. Мазалецкий. НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ РАСПЫЛЕНИЕ Al-Cu В АРГОНОВОЙ ПЛАЗМЕ. ЭКСПЕРИМЕНТ И МОДЕЛИРОВАНИЕ. Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25  29 августа 2025 г. Докладчик Амиров Ильдар Искандерович, ЯФ ФТИАН
  5. Д.Э. Пухов, М.Е. Лебедев «Неразрушающий электронно-зондовый энергодисперсионный анализ массовой толщины и коэффициента ослабления рентгеновского излучения тонких пленок». Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Журнал технической физики»  издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Докладчик Пухов Денис Эдуардович, ЯФ ФТИАН
  6. А.С. Бабушкин*, Р.В. Селюков, Моделирование самосборки микроиндукторов производимой за счет остаточных механических напряжений. Для опубликования в открытой печати в виде: статьи в журнале «Микроэлектроника» издательства «НАУКА». Докладчик Бабушкин Артем Сергеевич, ЯФ ФТИАН
  7. Халилуллин Р. Р., Кузьменко В. О., Мяконьких А.В. «Влияние технологических параметров процесса травления на энергетический спектр ионов.» Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Журнал технической физики» издательства ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Докладчик Мяконьких Андрей Валерьевич, ФТИАН
  8. Isaev AG., Permyakova O. О., Kalimova I.F., Lomov A.A., Chesnokov Y.M., Miakonkikh AV., Rogozhin A. Е. «Crystallization and conductive filament growth in HfOand HfOxNybased structures». (Исаев А.Г., Пермякова О.О., Калимова И.Ф., Ломов А.А., Чесноков Ю.М., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е. «Кристаллизация и рост проводящих филаментов в структурах на основе HfO2 и HfOxNy»). Для опубликования в открытой печати в виде статьи в журнале «Nanomaterials» издательства “MDPI”. Докладчик Исаев Александр Геннадьевич, ФТИАН
  9. М.А. Смирнова, В.И. Бачурин, М.Е. Лебедев, К.Н. Лобзов, Л.А. Мазалецкий, Д.Э. Пухов, С.Г. Симакин, А.Б. Чурилов «Развитие топографии поверхности полупроводников А3В5 при облучении фокусированным ионным пучком галлия». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion-Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Смирнова Мария Александровна, ЯФ ФТИАН
  10. А.С. Рудый, М.А. Смирнова, В. И. Бачурин, А.Н. Куликов «Формирование террасированного рельефа на поверхности кремния при облучении ионами галлия». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г. Докладчик Смирнова Мария Александровна, ЯФ ФТИАН
  11. В.К. Смирнов, Д.С. Кибалов, В.И. Бачурин, А.Б. Чурилов, А.С. Рудый «Периодические наноструктуры на поверхности GaAs и AlGaAs самофмируемые распылением ионами азота». Для опубликования в виде тезисов в трудах конференции «Ion-Surface Interactions», Ryazan, Russia, 25–29 August 2025 («Взаимодействие ионов с поверхностью», Рязань. Россия, 25 – 29 августа 2025 г.). Докладчик Бачурин Владимир Иванович, ЯФ ФТИАН
  12. Ю.А. Данилов, И.Н. Антонов, В.И. Бачурин, М.В. Ведь, О.В. Вихрова, Ю.А. Дудин, И.Л. Калентьева, Р.Н. Крюков, А.В. Нежданов, А.Е. Парафин, С.Г. Симакин, П.А. Юнин «Формирование ферромагнитных слоев GaMnAs имплантацией ионов Mn в ускорителе с вакуумно-дуговым источником» для публикации в Журнале технической физики. Докладчик: Бачурин Владимир Иванович, ЯФ ФТИАН
  13. «Quantum register based on double quantum dots in semiconductor nanowires» (перевод «Квантовый регистр на основе двойных квантовых точек в полупроводниковых нанопроводах» В.В. Вьюрков, Л.Е. Федичкин, И.А. Семенихин, Д.А. Дрожжин, К.В. Руденко, В.Ф.Лукичев. 1) в открытой печати в виде статьи в журнале “Physical Review” (BX Quantum) издательства “American Physical Society”. 2) в виде препринта на сайте ArXiv (https://arxiv.org/), Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.
  14. Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В., Федичкин Л.Е., «Применение квантового компьютера в Арктике», Презентация (без опубликования в печати) представлена для выступления на 9-ом Международном Арктическом саммите «Арктика: перспективы, инновации и развитие регионов» (Саммит Арктика 2025) 23 апреля, Москва, докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.
  15. Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В., Федичкин Л.Е., «Квантовый компьютер: достижения и перспективы. Презентация (без опубликования в печати) представлена для выступления на XXIX форуме Связь-2025, 25 апреля, Москва, докладчик Вьюрков Владимир Владимирович, ФТИАН.

Со 2 апреля по 16 мая 2025 года Минобрнауки проводит приема заявок на X Всероссийский конкурс научно-исследовательских работ студентов и аспирантов (в возрасте не старше 35 лет).

Условия подачи заявок, требования к участникам определены Положением о конкурсе, которое опубликовано на сайте https://sfy-conf.ru/  .

Если есть желающие участвовать в этом конкурсе от НИЦ «Курчатовский институт», просьба сообщить об этом Хорину И.А. не позже 10 апреля 2025 года, предоставив ФИО, тему НИР, номер мобильного телефона, электронную почту.

1 апреля (вторник) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. V. Popov, M. Tarkov, V. Antonov, F. Tikhonenko, A. Miakonkikh, K. Rudenko, Energy-efficient VLSI ferroelectric elements for neuromorphic AI systems (В. Попов, М. Тарков, В. Антонов, Ф. Тихоненко, А. Мяконьких, К. Руденко,  Энергоэффективные сегнетоэлектрические элементы СБИС для нейроморфных систем искусственного интеллекта). 2025 IEEE 26th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials June 27 — July 1, 2025, The Altai Republic, Russia, IEEE Xplore Digital Library (2025 IEEE (Институт инженеров электротехники и электроники) 26-я Международная конференция молодых специалистов в области электронных приборов и материалов 27 июня — 1 июля 2025, Республика Алтай, Россия), Докладчик Мяконьких А.В. ФТИАН
  2. Термостабильный сегнетоэлектрик HfO2:Al2O3 (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением (В.П. Попов, В.А. Антонов, В.Е. Жилицкий, А.А. Ломов, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко) Статья в журнал ”Письма В ЖЭТФ” издательства ”Наука”,   Докладчик Мяконьких А.В. ФТИАН
  3. “Стабилизация состояний мемристорной ячейки в процессе начальных переключений после формовки” (Фадеев А.В., Руденко К.В.)  Статья в журнал ”Микроэлектроника” издательства ”Наука”, Докладчик Фадеев А.В., ФТИАН
  4. Морозов М.О. МЭМС-переключатель для высокоскоростных систем связи, тезисы в трудах конференции Физика, техника и технология сложных систем, г. Ярославль, Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, 23.04.2025 – 07.05.2025, Докладчик Морозов М.О. ЯФ ФТИАН
  5. Исаев А. Г., Фетисенкова К. А., Мельников А. Е., Бобров Г. В., Рогожин А. Е. «Исследование нанесения, экспонирования и плазмостойкости отечественных фоторезистов ФП-9120 и ФП-05Ф», статья в журнал Микроэлектроника издательства «Наука», докладчик Исаев А.Г. ФТИАН

19 марта (среда) 2025 года в 15-00 состоится семинар.
 
В программе рассмотрение следующих материалов:
  1. Метод исследования магнитооптического отклика отдельных магнитных нанослоев трехслойной системы (Р.В. Селюков, А.В. Проказников, В.А. Папорков, М.А. Лях, В.В. Наумов) тезисы доклада на научном мероприятии: XXVII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» ВИП-2025. Рязань, Россия. 25 – 29 августа 2025 г., докладчик Р.В. Селюков ЯФ ФТИАН
  2. «Application of the Spot Apparatus for Representation of Semantic Information and Consciousness with Mental Imagery and Cognitive Modeling» (перевод Применение аппарата пятен для представления семантической информации и сознания с помощью ментальных образов и когнитивного моделирования). Представлена для опубликования в открытой печати в виде: статьи в материалах конференции “Science and Spirituality for Global Peace and Harmony”, April 9-12 2025, Hyderabad, India.  («Наука и духовность для всеобщего мира и гармонии», 9-12 апреля 2025 г., Хайдарабад, Индия) издательства «Institute of Ancient Philosophy Trust, Hyderabad, India» , докладчик Симонов Н.А. ФТИАН
  3. «Капиллярные силы между шероховатыми поверхностями, полученными методами микро/нанотехнологии» И.В. Уваров, В.Б. Световой,  статья в журнал «Коллоидный журнал» , докладчик Уваров И.В., ЯФ ФТИАН
  4. Разработка методов повышения быстродействия микроактюатора на основе взрыва водород-кислородной смеси, Шлепаков П. С., Уваров И. В. Тезисы в трудах конференции 32 Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Микроэлектроника и информатика – 2025» с международным участием, Зеленоград, Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 24-25 апреля 2025 года, докладчик Шлепаков П.С., ЯФ ФТИАН
  5. Methods for increasing the performance of a microactuator based on a hydrogen-oxygen mixture explosion, Shlepakov P. S., Svetovoy V. B., Uvarov I. V. (Перевод Методы повышения быстродействия микроактюатора на основе взрыва водород-кислородной смеси, Шлепаков П. С., Световой В. Б., Уваров И. В.) тезисы в трудах конференции 12 th International School and Conference “Saint-Petersburg OPEN 2025” on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, Saint-Petersburg, Higher School of Economics, 20-23 may 2025 (12-ая Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам Saint Petersburg OPEN, г. Санкт-Петербург, НИУ ВШЭ, 20-23 мая 2025 г.), докладчик Шлепаков П.С., ЯФ ФТИАН
  6. Эффекты маски в приповехностной области микроструктур при глубоком криогенном травлении кремния в плазме SF6/O2, К.В. Руденко, А.Е. Мельников, А.В. Мяконьких, тезисы в трудах  ВИП-2025 XXVII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» 25 – 29 августа 2025 г.Рязань, Россия) , докладчик Руденко К.В., ФТИАН
  7. Реализация ионно-стимулированного атомно-слоевого травления в ICP реакторе: влияние распределения ионов по энергиям на поверхности А.В. Мяконьких, В.О. Кузьменко, Р.Р. Халилуллин, К.В. Руденко, тезисы в трудах  ВИП-2025 XXVII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» 25 – 29 августа 2025 г.Рязань, Россия) , докладчик Мяконьких А.В., ФТИАН
  8. Microelectronic technologies for elements of silicon refractive X-ray optics, Kuzmenko V., Miakonkikh A., Rudenko K.,  Zverev D., Snigirev A. (Микроэлектронные технологии для элементов кремниевой преломляющей рентгеновской оптики, Кузьменко В., Мяконьких А., Руденко К., Зверев Д., Снигирев А.) Для публикации в онлайн издании 2025 IEEE 26th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials June 27 — July 1, 2025, The Altai Republic, Russia, Издательство (только электронная версия) IEEE Xplore Digital Library (2025 IEEE (Институт инженеров электротехники и электроники) 26-я Международная конференция молодых специалистов в области электронных приборов и материалов 27 июня — 1 июля 2025, Республика Алтай, Россия) , докладчик Мяконьких А.В., ФТИАН

В период с 21 по 22 мая 2025 года в наукограде Фрязино Московской области состоится Всероссийская научно-техническая конференция «СВЧ-электроника–2025».

Контактная информация, программа проведения Конференции, требования по оформлению докладов и тезисов докладов прилагаются и размещены на сайте www.istokmw.ru.

Организационный взнос за участие в Конференции составляет 25 000 рублей. Для аспирантов и студентов ВУЗов участие в Конференции бесплатное (при наличии подтверждающего документа).

Срок подачи заявки (Регистрационная карточка участника, фамилии авторов, названия, электронные версии тезисов докладов и электронные копии экспертных заключений о возможности опубликования тезисов докладов в открытой печати) от организации – до 28 марта 2025 года.