Blog (Page 2)

 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

– главного научного сотрудника, д/н в области физики и технологии приборов наноэлектроники.

– младшего научного сотрудника в области атомно-слоевого осаждения рутения.

Требования к кандидатам размещены в «Положении о конкурсной комиссии и порядке проведения конкурсов на замещение должностей научных работников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН» по ссылке.

Конкурс будет проводиться 18 сентября 2024 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.

Дата окончания приема заявок 15.00 17.09.2024 г.

Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)125-76-20

Алгоритм подачи заявки

Шаг 1. Изучите предложения о целевом обучении от заказчиков на платформе «Работа в России».

Шаг 2. Подайте документы в приемную комиссию ФТИАН им. К.А. Валиева РАН:

заявка на целевое обучение,

— заявление о приеме на обучение (форму заявления можно найти на сайте ФТИАН им. К.А. Валиева РАН).

Важно! Заявка и заявление должны быть поданы на один и тот же конкурс (согласно условиям приема).

Шаг 3. Отслеживайте свое место в конкурсном списке на сайте ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.

Шаг 4. В случае прохождения конкурсного отбора представьте оригинал документа об образовании в приемную комиссию ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.

Шаг 5. Дождитесь информации о зачислении. Она доступна на сайте ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.

Шаг 6. Заключите договор о целевом обучении с заказчиком до начала учебного года (для заключения договора необходимо обратиться к заказчику).

Для предприятий оборонно-промышленного комплекса предусмотрены особенности размещения предложений на целевое обучение. Наличие предложений необходимо уточнять у интересующего вас работодателя или в приемной комиссии вуза.

Если у вас остались вопросы, обращайтесь за консультациями:

Горячая линия Единого контакт-центра «Прием в вуз»: 8-800-301-44-55

Горячая линия Минобрнауки России:

    8-800-222-55-71

    8-800-100-20-17 (поступление в вуз онлайн)

 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности:

– научного сотрудника, к/н по специальности микро- и наноэлектроника.

Требования к кандидату размещены в «Положении о конкурсной комиссии и порядке проведения конкурсов на замещение должностей научных работников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН» по ссылке.

Конкурс будет проводиться 15 августа 2024 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.

Дата окончания приема заявок 16.47 05.08.2024 г.

Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)125-76-20

Сотрудники ФТИАН Лукичёв В.Ф., Руденко К.В., Вьюрков В.В. и Федичкин Л.Е. 22 мая 2024г. (Москва, МАДИ) выступили с докладом «Квантовый компьютер: достижения и перспективы» на 8-ом Международном Арктическом Саммите «Арктика: перспективы, инновации и развитие регионов» (САММИТ АРКТИКА-2024) в рамках специальной сессии, посвященной 300-летие Российской академии наук.

Целевое обучение

Что такое целевое обучение?

Целевое обучение – это обучение в аспирантуре ФТИАН им. К.А. Валиева РАН по договору о целевом обучении с заказчиком целевого обучения.

Если гражданин заключил такой договор, то:

  • заказчик обязан оказывать обучающемуся меры поддержки в период обучения и после окончания обучения трудоустроить его;
  • гражданин обязан освоить образовательную программу и отработать от 3 до 5 лет.

 

Как поступить на места в пределах целевой квоты?

Поступление на места в пределах целевой квоты – это особый формат приема в вуз, который позволяет поступить на обучение по отдельному конкурсу.

Гражданин должен изучить полный перечень предложений, которые будут опубликованы заказчиками до 10 июня в сети Интернет на Единой цифровой платформе в сфере занятости и трудовых отношений «Работа в России», выбрать предложение, которое наиболее соответствует его пожеланиям, и подать заявку на заключение договора о целевом обучении в соответствии с этим предложением.

Гражданин должен самостоятельно ознакомиться с предложениями заказчиков на Единой цифровой платформе в сфере занятости и трудовых отношений «Работа в России» и подать заявку на заключение договора о целевом обучении в аспирантуру в сроки, установленные в ФТИАН им. К.А. Валиева РАН для приема заявлений о приеме на обучение.


Скачать памятку

5 июня (среда) 2024 в 16-00

 

Фундаментальные основы плазменных технологий структурирования для наноэлектроники

Докладчик: Мяконьких Андрей Валерьевич (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

(по материалам диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук)

5 июня (среда) 2024 в 15-00

 

Технология формирования мемристорных структур для резистивной памяти и нейроморфных систем, не требующих этапа электроформовки

Докладчик: Пермякова Ольга Олеговна (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

(по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

Патент на изобретение RU 2817337 C1

«Квантовый регистр на пространственных состояниях электронов в полупроводниковых двойных квантовых точках»

Вьюрков В. В., Дрожжин Д. А., Лукичев В. Ф., Рогожин А. Е., Руденко К. В., Руденко М. К., Свинцов Д. А., Семин Ю. Ф., Федичкин Л. Е., Филиппов С. Н.

Приоритет от 04 июля 2023 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 15.04.2024

Патент на изобретение RU 2657096 C2

«Способ формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости»

Рудый А. С., Бердников А. Е., Гусев В. Н., Попов А. А., Черномордик В. Д., Изюмов М. О.

Приоритет от 07 июня 2016 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 08.06.2018