Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения

15:00
А. Г. Черникова (МФТИ)
Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических 
HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.