|
Семинары
Все семинары | Семинары «Микро- и наноэлектроника» | Семинары «Квантовые компьютеры»28.05.2019 | 15:00 | К. В. Егоров (МФТИ (ГУ))
Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением
|
16.04.2019 | 15:00 | А. В. Цуканов (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)
Измерение зарядового кубита с помощью одноэлектронного транзистора на тройной квантовой точке |
19.02.2019 | 15:00 | Ю. М. Чесноков (Национальный исследовательский центр Курчатовский институт)
Определение микроструктуры материалов кремниевой микро- и оптоэлектроники методами электронной микроскопии |
27.11.2018 | 15:00 | А.В. Цуканов (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)
Одноэлектронный транзистор на линейной структуре из трех туннельно-связанных КТ с электрическим и оптическим управлением |
23.10.2018 | 15:00 | Г. В. Баранов (АО «НИИМЭ» и МФТИ (ГУ))
Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
19.06.2018 | 15:00 | И. В. Черноусов (МФТИ (ГУ))
Особенности кинетики носителей заряда в кристаллах со структурой алмаза
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
| 15:00 | Ю. Д. Сибирмовский (НИЯУ МИФИ)
Механизмы формирования, оптические и электронные транспортные свойства ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
10.04.2018 | 15:00 | О. А. Рубан (МИРЭА)
Разработка физических основ метода входного контроля гетероструктур на основе GaN с использованием измерений вольт-фарадных характеристик
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук) |
20.03.2018 | 15:00 | О. С. Трушин (ЯФ ФТИАН)
Атомные механизмы поверхностной диффузии и структурной релаксации
в системах металл/металл и германий/кремний
(По материалам диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук) |
05.12.2017 | 14:00 | Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов (ООО "Квантовый кремний" г. Ярославль)
Полевые транзисторы с наноструктурированным каналом |
28.11.2017 | 15:00 | К.С. Гришаков (Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ)
Статические и динамические характеристики резонансно-туннельных диодов в когерентной модели
(по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
31.10.2017 | 15:30 | С. Зайцев, Я Шабельникова ( ИПТМ РАН)
Ионная стерео-литография с суб-10нм разрешением |
| 15:00 | Трунькин И.Н. (НИЦ Курчатовский институт)
Определение атомной структуры гетеросистем на основе
A3B5 комплексом методов электронной микроскопии
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
03.10.2017 | 15:00 | О. А. Рубан («Московский технологический университет» МИРЭА)
Частотные характеристики нитрид-галлиевых полевых транзисторов с учетом структурной релаксации барьерного слоя AlGaN
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук) |
25.04.2017 | 15:00 | С. Ю. Купреенко (МГУ им. М.В. Ломоносова)
Электронная спектроскопия материалов и микроструктур в сканирующем электронном микроскопе
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
07.02.2017 | 15:00 | Ю. В. Федоров (ИСВЧПЭ)
Нитрид-галлиевые гетероструктуры электроники миллиметрового диапазона: анализ возможностей, технологии и приборы |
16.01.2017 | 15:00 | П. С. Захаров (НИИМЭ)
Эффект обратимого переключения электрической проводимости в тонких пленках нестехиометрического оксида кремния
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук ) |
06.12.2016 | 15:00 | А. Г. Черникова (МФТИ)
Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических
HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
18.10.2016 | 15:30 | А. А. Малых (Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»)
Микроэлектронные датчики с частотным выходом на основе КНИ чувствительного элемента транзисторного типа
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
| 15:00 | А. С. Грязев (МЭИ)
Неразрушающие методы анализа неоднородных образцов на основе электронной спектроскопии |
[1] [2] [3] [4] [5]
|
|
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»
Симпозиум «Квантовая информатика»
Библиотека ФТИАН
| 28.05.2019 - 15:00 |  |
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)
К. В. Егоров
(МФТИ (ГУ))
Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением
|
| 16.05.2019 - 15:00 |  |
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)
В. М. Акулин.
(Университет Орсе)
Нелинейное взаимодействие двух оптических фотонов через коллективную
моду прозрачного сверхпроводника |
| 16.04.2019 - 15:00 | |
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)
А. В. Цуканов
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)
Измерение зарядового кубита с помощью одноэлектронного транзистора на тройной квантовой точке |
| 11.04.2019 - 15:00 | |
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)
Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)
Томография квантовых процессов с неидеальными измерениями |
| 19.02.2019 - 15:00 | |
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)
Ю. М. Чесноков
(Национальный исследовательский центр Курчатовский институт)
Определение микроструктуры материалов кремниевой микро- и оптоэлектроники методами электронной микроскопии |
| 07.02.2019 - 15:00 | |
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)
И. Беседин
(МИСиС)
Реализация и исследование
двухкубитных вентилей на сверхпроводниковых структурах |
| 24.01.2019 - 15:00 | |
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)
И. А. Семенихин
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)
Квантовомеханическое моделирование нанотранзистора |
| 13.12.2018 - 15:00 | |
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)
Н. А. Борщевская
(МГУ)
Многофотонные неклассические состояния света
(по материалам научно-квалификационной работы) |
| 06.12.2018 - 15:00 | |
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)
Р. С. Щуцкий
(Сколтех)
Классическая симуляция квантовых программ |
| 29.11.2018 - 15:00 | |
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)
Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, НИУ МИЭТ)
Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений
(по материалам кандидатской диссертации) |
| 27.11.2018 - 15:00 | |
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)
А.В. Цуканов
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)
Одноэлектронный транзистор на линейной структуре из трех туннельно-связанных КТ с электрическим и оптическим управлением |
| 23.10.2018 - 15:00 | |
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)
Г. В. Баранов
(АО «НИИМЭ» и МФТИ (ГУ))
Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
| 28.06.2018 - 15:00 | |
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)
А. Б. Квасный
(МИФИ, ФТИАН)
Адаптивная высокоточная томография зашумленных квантовых состояний
(по материалам магистерской работы) |
| 19.06.2018 - 15:00 | |
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)
Ю. Д. Сибирмовский
(НИЯУ МИФИ)
Механизмы формирования, оптические и электронные транспортные свойства ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
И. В. Черноусов
(МФТИ (ГУ))
Особенности кинетики носителей заряда в кристаллах со структурой алмаза
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) |
Архив семинаров
|
| |
