Семинары

06.10.2020

15:00

М.С. Рогачев (ФТИАН им. К. А. Валиева РАН) Моделирование оптического отклика фотонных молекул на основе алмазных микродисков с NV-центрами (по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (Семинар состоится в режиме ОНЛАЙН. Для записи обращайтесь к Андрею Мяконьких miakonkikh@ftian.ru))

29.09.2020

15:00

Ф. А. Сидоров (ФТИАН им. К. А. Валиева РАН) Физические механизмы сухого электронно-лучевого травления (Семинар состоится в режиме ОНЛАЙН. Для записи обращайтесь к Андрею Мяконьких miakonkikh@ftian.ru)

16.06.2020

15:00

С.А. Двинин, О. А. Синкевич, Д. К. Солихов и З. А. Кодирзода (МГУ имени М.В. Ломоносова) Особенности возбуждения электромагнитного поля в емкостном ВЧ разряде (Семинар состоится в режиме ОНЛАЙН. Для записи обращайтесь к Андрею Мяконьких miakonkikh@ftian.ru)

25.02.2020

15:00

Н. А. Симонов (ФТИАН им. К. А. Валиева РАН) Концепция пятен для задач искусственного интеллекта и построения нейроморфных систем

18.02.2020

15:00

А. В. Цуканов (ФТИАН им. К. А. Валиева РАН) Спектроскопическое измерение зарядового кубита на двойной квантовой точке с помощью фотонной молекулы

25.06.2019

15:00

Д. А. Абдуллаев (РТУ МИРЭА) Вакуумно-плазменное травление тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца и структур на их основе

28.05.2019

15:00

К. В. Егоров (МФТИ (ГУ)) Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением

16.04.2019

15:00

А. В. Цуканов (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН) Измерение зарядового кубита с помощью одноэлектронного транзистора на тройной квантовой точке

19.02.2019

15:00

Ю. М. Чесноков (Национальный исследовательский центр Курчатовский институт) Определение микроструктуры материалов кремниевой микро- и оптоэлектроники методами электронной микроскопии

27.11.2018

15:00

А.В. Цуканов (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН) Одноэлектронный транзистор на линейной структуре из трех туннельно-связанных КТ с электрическим и оптическим управлением

23.10.2018

15:00

Г. В. Баранов (АО «НИИМЭ» и МФТИ (ГУ)) Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации (По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

19.06.2018

15:00

Ю. Д. Сибирмовский (НИЯУ МИФИ) Механизмы формирования, оптические и электронные транспортные свойства ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs (По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

15:00

И. В. Черноусов (МФТИ (ГУ)) Особенности кинетики носителей заряда в кристаллах со структурой алмаза (По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

10.04.2018

15:00

О. А. Рубан (МИРЭА) Разработка физических основ метода входного контроля гетероструктур на основе GaN с использованием измерений вольт-фарадных характеристик (По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)

20.03.2018

15:00

О. С. Трушин (ЯФ ФТИАН) Атомные механизмы поверхностной диффузии и структурной релаксации в системах металл/металл и германий/кремний (По материалам диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук)

05.12.2017

14:00

Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов (ООО "Квантовый кремний" г. Ярославль) Полевые транзисторы с наноструктурированным каналом

28.11.2017

15:00

К.С. Гришаков (Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ) Статические и динамические характеристики резонансно-туннельных диодов в когерентной модели (по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

31.10.2017

15:30

С. Зайцев, Я Шабельникова ( ИПТМ РАН) Ионная стерео-литография с суб-10нм разрешением

15:00

Трунькин И.Н. (НИЦ Курчатовский институт) Определение атомной структуры гетеросистем на основе A3B5 комплексом методов электронной микроскопии (По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

03.10.2017

15:00

О. А. Рубан («Московский технологический университет» МИРЭА) Частотные характеристики нитрид-галлиевых полевых транзисторов с учетом структурной релаксации барьерного слоя AlGaN (По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)