Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Главная | Дисс. совет | Конкурсы | Разработки | Издания и публикации | Семинары | Контакты

Спискок публикаций сотрудников ФТИАН за 2009 год

Статьи:
  1. Шумилов, С.А. Моделирование эффектов формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом циклическом процессе / С.А.Шумилов, И.И.Амиров, В.Ф.Лукичев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. №6. С.428-435.
  2. Zimin, S.P. Micromasking efert and nanostuctures self-formation on the surface of lead chalcoenide epitaxial films on Si substrates during argon plasma treatment / S.P.Zimin, E.S.Gorlachev, I.I.Amirov, H. Zong // J.Phys.D: Appl. Phys. 2009. V.42. N16. P.165205
  3. Амиров, И.И. Плазменные процессы глубокого травления кремния в технологии микросистемной техники / И.И. Амиров, О.В.Морозов, А.В.Постников, В.А.Кальнов, А.А.Орликовский, К.А.Валиев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование.Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . - ISBN 978-5-02-036976-4. - С.159-174.
  4. Shumilov, A.S. SIMULATION OF THE EFFECTS OF DEEP GROOVING IN SILICON IN THE PLASMOCHEMICAL CYCLIC PROCESS / A.S.Shumilov, I.I.Amirov, V.F.Lukichev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P.385-392.
  5. Бачурин, В.И. Влияние облучения ионами аргона на образование интерметаллических соединений в системе никель-алюминий / В.И.Бачурин, С.А.Кривелевич // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 4. С. 63-66.
  6. Moreva, E. V. Optimal protocol for polarization ququart state tomography / E.V.Moreva, Yu I. Bogdanov, A.K. Gavrichenko, I.V. Tikhonov and S.P. Kulik // Applied Mathematics & Information Sciences. - 2009. - 3(1). - C.1-12.
  7. Богданов, Ю.А. Унифицированный метод статистического восстановления квантовых состояний, основанный на процедуре очищения / Ю.А.Богданов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2009. Т.135. Вып.6. C.1068-1078.
  8. Bogdanov, Yu.I. UNIFIED STATISTICAL METHOD FOR RECONSTRUCTING QUANTUM STATES BY PURIFICATION / Yu.I.Bogdanov // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2009. V. 108. № 6. P. 928-935.
  9. Бочкарев, В.Ф. ПОЛУЧЕНИЕ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОК ПЛАЗМОСТИМУЛИРУЮЩИМ МЕТОДОМ / В.Ф.Бочкарев, В.В.Овчаров // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 176-180.
  10. Бочкарев, В.Ф. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХТОНКИХ FE-NI ПЛЕНОК ПРИ ПЛАЗМОСТИМУЛИРОВАННОМ МЕТОДЕ ОСАЖДЕНИЯ / В.Ф.Бочкарев, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 181-187.
  11. Валиев, К.А. Перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах / К.А.Валиев, А.А.Кокин // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование.Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . -ISBN 978-5-02-036976-4. - С.17-35.
  12. Khomyakov, A.N. A SEMIANALYTICAL MODEL OF A THIN-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR / A.N.Khomyakov, V.V.V'yurkov // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 393-405.
  13. Хомяков, А.Н. ПОЛУАНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ТОНКИМ КАНАЛОМ / А.Н.Хомяков, В.В.Вьюрков // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 6. С. 436-448.
  14. Семенихин, И.А. Межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны / И.А.Семенихин, А.А.Захарова, К.А.Чао // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . - ISBN 978-5-02-036976-4. - С. 57.
  15. Изюмов, М.О. Электростатический прижим с температурной стабилизацией полупроводниковых пластин при плазменной обработке / М.О.Изюмов // Приборы и техника эксперимента. 2009. № 6. С. 131-132.
  16. Zvezdin, A.K. Toroidal moment in the molecular magnet V15. / A.K.Zvezdin, V.V.Kostyuchenko, A.I.Popov, A.F.Popkov, and A.Ceulemans // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. 172404.
  17. Kostyuchenko, V.V. Finite Size Effects in Field-Induced Transitions in Magnetic Multilayers / V.V.Kostyuchenko // Solid State Phenomena. 2009. V. 152-153. P. 245-248 .
  18. Костюченко, В.В. Индуцированные магнитным полем переходы в анизотропных магнетиках с двумя точками компенсации / В.В.Костюченко // Физика твердого тела. 2009. Т.51. Вып. 2. С. 316-319.
  19. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование наклонного канала нейтрализации плазменного источника нейтральных пучков / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. №3. С.188-197.
  20. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование канала нейтрализации источника пучков быстрых нейтральных частиц / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . - ISBN 978-5-02-036976-4. - С.136-158.
  21. Маишев, Ю.П. ИСТОЧНИКИ ИОНОВ И ИОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ НАНЕСЕНИЯ И ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ / Ю.П.Маишев, Ю.П.Терентьев, С.Л.Шевчук // Интеграл. 2009. № 5. С. 10-12.
  22. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовой газовый сенсор / М.И.Маковийчук, А.Л.Чапкевич, А.А.Чапкевич, В.А.Винокуров // Медицинская техника. – 2009. – Т.43. - №3. – С.5-10.
  23. Валиев, К.А. Теория и моделирование нано- и микропроцессов разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации интегральных микросхем. Часть 1. Общая теория переноса вакансий, генерации механических напряжений и зарождения микрополостей при электромиграции. Деградация и разрушение многоуровневой металлизации / К.А.Валиев, Р.В.Гольдштейн, Ю.В.Житников, Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. № 6. С.404-427.
  24. Гольдштейн, Р.В. Влияние примесей на работу отрыва по границе соединенных материалов / Р.В.Гольдштейн, Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Поверхность. 2009. № 12. С. 73-78.
  25. Махвиладзе, Т.М. Теория электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников и ее приложения / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175с.- ISBN 978-5-02-036976-4. - С.85-110.
  26. Махвиладзе, Т.М. Термодинамический анализ прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175с.- ISBN 978-5-02-036976-4. - С.111-134.
  27. Valiev, K.A. NANO- AND MICROMETER-SCALE THIN-FILM-INTERCONNECTION FAILURE THEORY AND SIMULATION AND METALLIZATION LIFETIME PREDICTION, PART 1: A GENERAL THEORY OF VACANCY TRANSPORT, MECHANICAL-STRESS GENERATION, AND VOID NUCLEATION UNDER ELECTROMIGRATION IN RELATION TO MULTILEVEL-METALLIZATION DEGENERATION AND FAILURE / K.A.Valiev, R.V.Goldstein, Yu.V.Zhitnikov, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 364-384.
  28. Gol'dshtein, R.V. INFLUENCE OF IMPURITIES ON THE WORK OF SEPARATION ALONG THE INTERFACE OF JOINED MATERIALS / R.V.Gol'dshtein, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2009. V. 3. № 6. P. 956-961.
  29. Можаев, А.В. Трехмерное моделирование динамических процессов формирования микрокластеров в кристаллической матрице / А.В.Можаев, Э.Ю.Бучин, А.В.Проказников // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 3. С. 1-7.
  30. Можаев, А.В. Расчет потенциала в моделях кластерного роста / А.В.Можаев, А.В.Проказников // Вычислительные методы и программирование. 2009. Т. 10. С. 24-27.
  31. Можаев, А.В. Компьютерное моделирование процессов формирования микрокластеров на основе масштабной инвариантности случайных блужданий / А.В.Можаев, А.В.Проказников // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 5. С. 323-330.
  32. Мордвинцев, В. М. Электроформовка как процесс самоформирования проводящих наноструктур для элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти / В. М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев, В. Л.Левин // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 174-182.
  33. Мордвинцев, В. М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводящих наноструктурах / В. М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев, В. Л.Левин // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 183-191.
  34. Наумов, В.В. Увеличение адгезии металлических пленок к кремнию с помощью ионной бомбардировки в процессе их роста / В.В.Наумов, В.Ф.Бочкарев, Э.Ю.Бучин // ЖТФ. 2009. Том 79. Вып. 7. С. 146-149.
  35. Наумов, В.В. Магнетосопротивление многослойных структур, полученных магнетронным методом / В.В.Наумов, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Том 38. № 5. С. 369-373.
  36. Наумов, В.В. Зависимость экваториального эффекта Керра от угла падения света для сверхтонких пленок кобальта и мультислоев Сo/Сu/Сo. / В.В.Наумов, В.А.Папорков, М.В. Лоханин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 4. С. 273-279.
  37. Gavrilenko, V.P. Measurement of dimentions of resist mask elements below 100 nm with help of a scanning electron microscope / V.P.Gavrilenko, V.A.Kalnov, Yu.A.Novikov, A.A.Orlikovsky, A.V.Rakov, P.A.Todua, K.A.Valiev, E.N.Zhikharev // Proc. SPIE. - 2009. - V.7272 (Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXIII, ed. вy John A.Allgair, Christopher J. Raymond). - P.727227.
  38. Валиев, К.А. НАНОЭЛЕКТРОНИКА, ч.1. Введение в наноэлектроннику / К.А.Валиев, В.В.Вьюрков, В.А.Гридчин, В.П.Драгунов, А.А.Кокин, И.Г.Неизвестный, А.А.Орликовский, Ю.С.Протасов, И.А.Семенихин; под ред.А.А.Орликовского . - М: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2009. - 720 с. - ISBN 978-5-7038-3392-6.
  39. Валиев, К.А. От микро- и наноэлектроники к твердотельным квантовым компьютерам / К.А.Валиев, А.А.Орликовский. - В кн.: Базовые лекции по электронике. Под ред. В.М.Пролейко. Том 2. Твердотельная электроника. Техносфера. М: 2009. - С.72-95.
  40. Вьюрков, В.В. Эволюция моделей транзистора: от классических к квантовым / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, И.А.Семенихин, А.Н.Хомяков // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . - ISBN 978-5-02-036976-4. - С.66-84.
  41. Орликовский, А.А. Эволюция транзистора: от классического к квантовому / А.А.Орликовский, В.В.Вьюрков // В кн.: Очерки истории российской электроники, Гл.11, Вып.1., 60 лет отечественному транзистору. - М. - Изд-во: Техносфера. - С.128-139.
  42. Васильев, А.Г. Электрофизические характеристики затворных структур с HfO2, сформированных методом электронно-лучевого испарения / А.Г.Васильев, Р.А.Захаров, А.А.Орликовский, А.Е.Рогожин, М.С.Сонин, И.А.Хорин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 5. С. 361-368.
  43. Shcherbachev, K.D. DEFECT STRUCTURE OF ZINC DOPED SILICON STUDIED BY X-RAY DIFFUSE SCATTERING METHOD / K.D.Shcherbachev, V.V.Privezentsev // Physica B: Condensed Matter. 2009. V. 404. № 23-24. P. 4630-4633.
  44. Privezentsev, V. DEFECTS IN ZINC DOPED SILICON STUDIED ON BASE OF X-RAY DIFFUSE SCATTERING ANALYSIS / V.Privezentsev // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2009. V. 6. № 8. P. 1897-1900.
  45. Бучин, Э.Ю. Усиление экваториального эффекта Керра в наноперфорированных пленках кобальта / Э.Ю.Бучин, Е.И.Ваганова, В.В.Наумов, В.А.Папорков, А.В.Проказников // Письма в ЖТФ. 2009. Т.35. Вып.13. С. 8-17.
  46. Rudenko, K.V. DIAGNOSTICS OF PLASMA PROCESSES IN MICRO- AND NANOELECTRONICS / K.V.Rudenko // High Energy Chemistry. 2009. Т. 43. № 3. С. 196-203.
  47. Руденко, К.В. ДИАГНОСТИКА ПЛАЗМЕННЫХ ПРОЦЕССОВ В МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ / К.В.Руденко // Химия высоких энергий. 2009. Т. 43. № 3. С. 242-249.
  48. Овчаров, В.В. Феноменологическая модель диффузии атомов примеси в ультратонких слоях кремния с неоднородным распределением температуры / В.В.Овчаров, В.И.Рудаков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 8. С. 76-80.
  49. Рудаков, В.И. Расчет профиля распределения концентрации меди в контактной системе TiN/CoSi2/Si при термическом нагреве / В.И.Рудаков, В.Н.Гусев // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 4. С. 309-314.
  50. Рудаков, В.И. Осаждение пленок А4В6 методом горячей стенки на кремниевые подложки диаметром 100 мм / В.И.Рудаков, А.Л.Куреня, А.А.Шорников, М.Л.Гитлин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 5. С. 374-380.
  51. Трушин, О.С. Автоматизированный стенд для экспресс диагностики магниторезистивных структур / О.С.Трушин, Д.А.Коканов, В.Ф.Бочкарев, В.В.Наумов, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 4. С. 280-283.
  52. Rabbering, F. Dispersed Forces from Measured Shape Anisotropy of Adatom Islands: Revelations from an Accelerated Simulation Scheme / F.Rabbering, A. Kara, H. Wormeester,T. Warnaar, O. Trushin, T. S. Rahman, B. Poelsema // Phys. Rev. Lett. - 2009.- V.103. - 096105.
  53. Trushin, O. Atomistic studies of strain relaxation in heteroepitaxial systems / O.Trushin, J. Jalkanen, E. Granato, S. C. Ying and T. Ala-Nissila // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V.21. No 084211.
  54. Kara, А. Off-lattice self-learning kinetic Monte Carlo: application to 2D cluster diffusion on the fcc(111) surface / А.Kara, O. Trushin, H. Yildirim and T.S. Rahman // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 21. 084213.
  55. Nandipati, G. Parallel kinetic Monte Carlo simulations of Ag(111) island coarsening using a large database / G.Nandipati, Y. Shim, J.G. Amar, A. Karim, A. Kara, T.S. Rahman and O. Trushin // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 21. 084214.
  56. Trushin, O.S. A STUDY OF THE MAGNETIC CHARACTERISTICS OF PERMALLOY NANOSTRUCTURES BY MICROMAGNETIC SIMULATION / O.S.Trushin, N.Barabanova, V.P.Alekseev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 3. P. 180-185.
  57. Трушин, О.С. ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПЕРМАЛЛОЕВЫХ НАНОСТРУКТУР МЕТОДОМ МИКРОМАГНИТНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ / О.С.Трушин, Н.Барабанова, В.П.Алексеев // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 198-203.
  58. Fadeev, A.V. EMISSION TOMOGRAPHY OF PLASMA IN TECHNOLOGICAL REACTORS OF MICROELECTRONICS / A.V.Fadeev, K.V.Rudenko, V.F.Lukichev, A.A.Orlikovskii // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 2. P. 95-109.
  59. Фадеев, А.В. ЭМИССИОННАЯ ТОМОГРАФИЯ ПЛАЗМЫ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕАКТОРАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ / А.В.Фадеев, К.В.Руденко, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 2. С. 107-121.
  60. Цуканов, А.В. Резонансный перенос электрона в одномерных многоямных структурах / А.В.Цуканов // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . - ISBN 978-5-02-036976-4. - С. 35-56.
  61. Tsukanov, A.V. CONTROLLED-PHASE OPERATION ON TWO REMOTE CHARGE QUBITS VIA CONDITIONAL ELECTRON DYNAMICS IN AUXILIARY STRUCTURE / A.V.Tsukanov // Optics Communications. 2009. V. 282. № 20. P. 4175-4181.
  62. Tsukanov, A.V. CHARGE QUBIT ENTANGLEMENT VIA CONDITIONAL SINGLE-ELECTRON TRANSFER IN AN ARRAY OF QUANTUM DOTS / A.V.Tsukanov // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 21. № 5.
  63. Chernyavskiy, A.Yu. THE COMPUTABLE MEASURE OF QUANTUM ENTANGLEMENT OF MULTIQUBIT STATES / A.Yu.Chernyavskiy // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 3. P. 199-205.
  64. Чернявский, А.Ю. ВЫЧИСЛИМАЯ МЕРА КВАНТОВОЙ ЗАПУТАННОСТИ МНОГОКУБИТНЫХ СОСТОЯНИЙ / А.Ю.Чернявский // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 217-223.
  65. Chernyavskii, A.Yu. NONEQUIVALENCE OF BIPARTICLE AND MULTIPARTICLE QUANTUM ENTANGLEMENTS / A.Yu.Chernyavskii // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 406-408.
  66. Чернявский, А.Ю. НЕЭКВИВАЛЕНТНОСТЬ ДВУХЧАСТИЧНОЙ И МНОГОЧАСТИЧНОЙ КВАНТОВОЙ ЗАПУТАННОСТИ / А.Ю.Чернявский // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 6. С. 449-451.
  67. Чуев, М.А. Неланжевеновская высокотемпературная намагниченность наночаcтиц в слабом магнитном поле / М.А.Чуев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2009. Т. 135. № 2. С. 280-292.
  68. Chuev, M.A. NON-LANGEVIN HIGH-TEMPERATURE MAGNETIZATION OF NANOPARTICLES IN A WEAK MAGNETIC FIELD / M.A.Chuev // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2009. V. 108. № 2. P. 249-259.
  69. Суздалев, И.П. Магнитные фазовые переходы в наноструктурах с различными кластерными упорядочениями / И.П.Суздалев, Ю.В.Максимов, В.К.Имшенник, С.В.Новичихин, В.В.Матвеев, Е.Н.Гудилин, О.В.Петрова, Ю.Д.Третьяков, М.А.Чуев // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. Вып.7-8. С. 102-108.
  70. Панков, М.А. Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs с двумерным дырочным газом / М.А.Панков, Б.А.Аронзон, В.В.Рыльков, А.Б.Давыдов, Е.З.Мейлихов, Р.М.Фарзетдинова, Э.М.Пашаев, М.А.Чуев , И.А.Субботин, И.А.Лихачев, Б.Н.Звонков, А.В.Лашкул, Р.Лайхо // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2009. Т. 136. № 2. С. 346-355.
  71. Chuev, M.A. Structural, magnetic and transport properties of quantum well GaAs/d-Mn/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs heterostructures / M.A.Chuev, E.Pashaev, M.Kovalchuk, V.Kvardakov, I.Subbotin, I.Likhachev // Int. J. Mat. Res. 2009. Т. 100. № 9. С. 1222-1225.
  72. Pashaev, E. X-ray characterization of magnetic digital alloys / E.Pashaev, M.A.Chuev, V.Kvardakov, I.Subbotin, A.Golovanov // J. Mat. Res. 2009. Т. 100. № 9. С. 1197-1199.
  73. Чуев, М.А. Фазовые соотношения и форма кривых рентгеновской дифракции от гетероструктур с квантовыми ямами / М.А.Чуев, Э.М.Пашаев, М.В.Ковальчук, В.В.Квардаков // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т.90. Вып.3. С. 204-209.
  74. Chuev, M.A. PHASE RELATIONS AND THE SHAPE OF THE X-RAY ROCKING CURVES FROM HETEROSTRUCTURES WITH QUANTUM WELLS / M.A.Chuev, E.M.Pashaev, M.V.Koval'chuk, V.V.Kvardakov // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2009. V. 90. № 3. P. 186-190.
  75. Пашаев, Э.М. Аппаратная функция двухкристального рентгеновского дифрактометра / Э.М.Пашаев, И.А.Субботин, М.А.Чуев, В.В.Квардаков, А.Е.Голованов, И.А.Лихачев // Приборы и техника эксперимента. 2009. Вып.5. С.107-115.
  76. Pashaev, E.M. THE RESOLUTION FUNCTION OF A DOUBLE-CRYSTAL X-RAY DIFFRACTOMETER / E.M.Pashaev, I.A.Subbotin, V.V.Kvardakov, A.E.Golovanov, I.A.Likhachev, M.A. Chuev // Instruments and Experimental Techniques. 2009. Т. 52. № 5. С. 712-720.
  77. Likhachev, I.A. X-RAY DIAGNOSTICS OF MAGNETIC SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL STRUCTURES / I.A.Likhachev, E.M.Pashaev, M.A.Chuev, I.A.Subbotin, V.V.Kvardkov, B.A.Aronzon, V.V.Rylkov, A.Ye.Golovanov, M.A. Pankov // Solid State Phenomena. 2009. Т. 152-153. С. 537-540.
  78. Chuev, M.A. Non-Equilibrium magnetism of single-domain particles for characterization of magnetic nanomaterials / M.A.Chuev, J.Hesse // In: Magnetic Properties of Solids. - ed. K. B. Tamayo. - New York: Nova Science Publishers. – 2009. – С. 1-104.
Конференции:
  1. Богданов, Ю.И. Интерференция квантовых состояний и кубит на основе малонового альдегида / Ю.И. Богданов, С.А. Нуянзин // Труды международной научно-технической конференции "Нанотехнологии и наноматериалы". М.: изд-во МГОУ. 2009. С. 327-334.
  2. Брук, М.А. Нанесение на твердые субстраты тонких полимерных пленок и наноструктур методом электронно-лучевой полимеризации и полирекомбинации из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, А.В.Спирин, И.А.Волегова, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов // Аннотации докладов XXI Симпозиума "Современная химическая физика" (25 сентября - 6 октября 2009, г.Туапсе). - С.38.
  3. Брук, М.А. Прямое нанесение рисунка литографической маски путем осаждения из паровой фазы под действием сфокусированного электронного луча / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, А.В.Спирин, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Аннотации докладов XXI Симпозиума "Современная химическая физика" (г.Туапсе, 25 сентября-6 октября 2009). - С.90.
  4. Брук, М.А. Прямое нанесение рисунка литографической маски путем электронно-лучевого осаждения из паров тетрафторэтилена / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, Ю.П. Маишев // Сб. тез.XVI Всероссийской конференции "Структура и динамика молекулярных систем". Москва - Йошкар-Ола - Уфа - Казань. 29 июня – 4 июля 2009 г. Выпуск XVI. Ч.3. - С.272.
  5. Vyurkov, V. Impact of channel inhomogeneities on characteristics of a quantum field-effect transistor / V.Vyurkov , I. Semenikhin, V. Lukichev, A. Orlikovsky // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.O3-09.
  6. Вьюрков, В.В. Проблемы энерговыделения и многоуровневых соединений в СБИС с минимальными размерами в глубоком суб-100 нм диапазоне / В.В.Вьюрков, Т.М.Махвиладзе, А.А. Орликовский // Межд. Научный Форум «Наука и общество. Информационные технологии» (Санкт-Петербург, 22–27 июня 2009г.). - Санкт-Петербург, 2009.
  7. Denisenko, Yu.I. Hf-based barrier layers for Cu-metallization / Yu.I.Denisenko, V.N.Gusev, A.I.Khorin, A.A.Orlikovsky, A.E.Rogozhin, V.I.Rudakov, A.G. Vasiliev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. -
  8. Zhikharev, E.N. Electron Beam Lithography using PMMA as negative resist / E.N.Zhikharev, S.N.Averkin, V.A.Kalnov // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P2-24.
  9. Semenikhin, I. Laser generation in broken-gap heterostructures / I.Semenikhin, K.A.Chao, A.Zakharova // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P2-11.
  10. Zakharova, A. Electron optical spin polarization in broken-gap heterostructures/ A.Zakharova, K.A.Chao, I.Semenikhin // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.O3-11.
  11. Kokin, A.A. The qubit states decoherence in antiferromagnet-based nuclear spin model of quantum register / A.A.Kokin, V.A.Kokin // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. q2-07.
  12. Degtyarev, A.V. Mathematical modeling of a fast neutrals beam source neutralization channel / A.V.Degtyarev, V.P.Kudrya, Yu.P.Maishev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. O2-07.
  13. Kudrya, V.P. Excitation Mechanism of the B+ Emission Line at 345.1 nm in Low-Temperature Plasma / V.P.Kudrya // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.O3-25.
  14. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование эффекта фокусировки в плазменном источнике быстрых нейтральных частиц / Дегтярёв, А.В., В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // Мат. XV Международной науч.-технической конф. "Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)", (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 9-11 сентября2009). - М.: ОАО "ЦНИТИ "Техномаш". - С.293-297.
  15. Lukichev, V. Problems of nano-sized and high aspect ratio features plasma etching / V.Lukichev, K.Rudenko, A.Orlikovsky, V.Yunkin // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.O2-16.
  16. Lukichev, V. Ultra shallow plasma immersion implantation of Boron in Silicon: side effect of surface plasma etching and peculiarities of PAI step / V.Lukichev, K. Rudenko, A. Orlikovsky, A. Lomov // Proc. of 2nd International Workshop “Plasma Etch and Strip in Microelectronics” (PESM-2009). Leuven, Belgium, Feb. 26-27, 2009.
  17. Maishev, Y. Fast atom beam formation of inert and chemically active substances in an extensive source of ions for application in the technological processes / Y.Maishev, S.Shevchuk, T.Matveev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P2-29.
  18. Alekseev, I. Modeling of the interfacial separation work in relation to impurity concentrations in adjoining materials / I.Alekseev, T.Makhviladze, A.Minushev, M.Sarychev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. Р2-04.
  19. Goldstein, R. The thermodynamic theory of interfacial adhesion between materials containing point defects / R.Goldstein, T.Makhviladze, M.Sarychev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. О1-21.
  20. Makhviladze, Т. Electromigration theory and its applications to integrated circuit metallization / T.Makhviladze, M.Sarychev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. P. L1-04.
  21. Makhviladze, T. Advanced atomic-scale simulation of silicon nitride CVD from dichlorosilane and ammonia / T.Makhviladze, A.Minushev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. О1-07.
  22. Makhviladze, T. Projection photolithography modeling using the finite-difference time-domain approach / T.Makhviladze, M.Sarychev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. О1-01.
  23. Makhviladze, T.M. Modeling of IC Metallization Lines Fracture at the Mesoscopic Scale / T.M.Makhviladze, A.A.Orlikovsky, M.E.Sarychev // Abstract of European Congress on Advanced Materials and Processes, Glasgow, 2009. P. D32-2.
  24. Махвиладзе, Т.М. Проблемы надежности межсоединений: моделирование нано- и микропроцессов деградации и разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации / Т.М.Махвиладзе // Совещание «Материаловедение для нанотехнологий», Тезисы докладов, Зеленоград, 2009, С. 13.
  25. Rogozhin, A.E. CoSi2/TiO2/SiO2/Si gate structure formation / A.E.Rogozhin, I.A Khorin, V.V. Naumov, A.A. Orlikovsky, V.V. Ovcharov, V.I. Rudakov, A.G. Vasiliev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. -
  26. Fadeev, A.V. Emission Tomography Algorithm Optimization: Applications for Microelectronic Plasma Equipment / A.V.Fadeev, K.V.Rudenko, V.F.Lukichev, A.A.Orlikovsky // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.P2-37.
  27. Chuev, M.A. High-temperature magnetization and Mossbauer spectra of nanoparticles in a weak magnetic field / M.A.Chuev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. O3-12.
  28. Chuev, M.A. Mossbauer spectra and magnetization curves of nanoparticles in a weak magnetic field / M.A.Chuev // XI Int. Conf. on the applications of the Mossbauer effect. Vienna, Austria, 2009. Programme and abstracts. P.33.
  29. Medvedev, P.G. Experimental scheme for observation of anomalous Kossel effect in semiconductor structure / P.G. Medvedev, M.A.Chuev, M.A.Kovalchuk, E.M.Pashaev, I.A.Subbotin, S.N.Yakunin // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.O3-28.
  30. Polikarpov, M.A. Mossbauer spectra of magnetite nanoparticles in polimer composites / M.A.Polikarpov, V.M.Cherepanov, M.A.Chuev, S.Yu.Shishkov, S.S.Yakimov // XI Int. Conf. on the applications of the Mossbauer effect. Vienna, Austria, 2009. Programme and abstracts. P.295.
  31. Polikarpov, M.A. Super-ferrimagnetism of magnetite nanoparticles in a weak magnetic field / M.A.Polikarpov, V.M.Cherepanov, M.A.Chuev, S.Yu.Shishkov, S.S.Yakimov // XI Int. Conf. on the applications of the Mossbauer effect. Vienna, Austria, 2009. Programme and abstracts. P.297.
  32. Subbotin, I.A. Structural investigation of magnetic digital alloys. / I.A.Subbotin, М.А.Чуев, V.V.Kvardakov, I.A.Likhachev, E.M.Pashaev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. O3-29.
  33. Tebeneva, N.A. Mossbauer study of tris-(methyldiethoxysiloxy) iron and its derivatives / N.A.Tebeneva, A.M.Muzafarov, E.S.Trofimchuk, M.A.Chuev, S.K.Dedushenko, L.A.Kulikov, Yu.D.Perfiliev // XI Int. Conf. on the applications of the Mossbauer effect. Vienna, Austria, 2009. Programme and abstracts. P.153.
  34. Ковальчук, М.В. Экспериментальное наблюдение аномальных линий Косселя / М.В.Ковальчук, П.Г.Медведев, И.А.Субботин, В.В.Квардаков, Э.М.Пашаев, М.А.Чуев, С.Н.Якунин // VII Национальная Конференция "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-био-инфо-когно технологии"(РСНЭ-НБИК 2009) (Москва, 16-21 ноября 2009 г.) - Москва, 2009. - Тез. докл. -С. 126.
  35. Лихачев, И.А. Аппаратная функция двухкристального рентгеновского дифрактометра / И.А.Лихачев, И.А.Субботин, Э.М.Пашаев, М.А.Чуев, В.В.Квардаков // VII Национальная Конференция "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-био-инфо-когно технологии" (РСНЭ-НБИК 2009) (Москва, 16-21 ноября 2009 г.) - Москва, 2009. - Тез. докл. - С. 592.
  36. Пашаев, Э.М. Рентгеновская диагностика наноразмерных гетероструктур / Э.М.Пашаев, М.В.Ковальчук, В.В.Квардаков, М.А.Чуев // Тез. докл. Второго Международного форума по нанотехнологиям (Москва, 6-8 октября 2009). - М :Роснано, 2009. - С. 215-217.
  37. Пашаев, Э.М. Фазовые соотношения и форма кривых рентгеновской дифракции от гетероструктур с квантовыми ямами / Э.М.Пашаев, В.В.Квардаков, И.А.Лихачев, И.А.Субботин, М.А.Чуев // VII Национальная Конференция "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-био-инфо-когно технологии"(РСНЭ-НБИК 2009) (Москва, 16-21 ноября 2009 г.) - Москва, 2009. - Тез. докл. - С. 131.
  38. Поликарпов, М.А. Индуцированный внешним полем суперферримагнетизм в наночастицах магнетита / М.А.Поликарпов, В.М.Черепанов, М.А.Чуев, С.Ю.Шишков, С.С.Якимов. // XI Int. Conf. “Mossbauer spectroscopy and its applications”. Ekaterinburg, 2009. - Book of abstracts. Р. 57.
  39. Поликарпов, М.А. Релаксационные мессбауэровские спектры полимерных композитов с наночастицами магнетита / М.А.Поликарпов, В.М.Черепанов, М.А.Чуев, С.Ю.Шишков, С.С.Якимов.// XI Int. Conf. “Mossbauer spectroscopy and its applications”. Ekaterinburg, 2009. - Book of abstracts. Р. 56.
  40. Чуев, М.А. Высокотемпературная намагниченность наночастиц в «статических» и гамма-резонансных измерениях в слабом магнитном поле / М.А.Чуев // XI Int. Conf. “Mossbauer spectroscopy and its applications”. Ekaterinburg, 2009. - Book of abstracts. Р.45.
  41. Чуев, М.А. Магнитная динамика наночастиц в «статических» и радиочастотных экспериментах для диагностики магнитных наноматериалов / М.А.Чуев // Тез. докл. Второго Международного форума по нанотехнологиям (Москва, 6-8 октября 2009). - М :Роснано, 2009. - С. 224-226.
  42. Чуев, М.А. Мессбауэровские спектры и кривые намагничивания наночастиц в слабом магнитном поле для диагностики магнитных наноматериалов / М.А.Чуев // VII Национальная Конференция "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-био-инфо-когно технологии"(РСНЭ-НБИК 2009) (Москва, 16-21 ноября 2009 г.) - Москва, 2009. - Тез. докл. - С. 141.
Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Симпозиум «Квантовая информатика»
Симпозиум «Квантовая информатика»

Библиотека ФТИАН
Библиотека ФТИАН

Аспирантура ФТИАН

 18.06.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичев
(ФТИАН)

Томография квантовых систем в условиях ограниченной статистической устойчивости
(Онлайн семинар Для записи обращайтесь к Юрий Кузнецову yurii.a.kuznetsov@gmail.com)

 16.06.2020 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

С.А. Двинин, О. А. Синкевич, Д. К. Солихов и З. А. Кодирзода
(МГУ имени М.В. Ломоносова)

Особенности возбуждения электромагнитного поля в емкостном ВЧ разряде
(Семинар состоится в режиме ОНЛАЙН. Для записи обращайтесь к Андрею Мяконьких miakonkikh@ftian.ru)

 11.06.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


И. А. Семериков
(ФИАН)

Ионная платформа для квантовых вычислений
(Онлайн семинар)

 28.05.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


Е. О. Киктенко
(РКЦ)

Применение кудитов в квантовых вычислениях
(Онлайн семинар )

 21.05.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


И. А. Лучников
(МФТИ)

Тензорные сети и машинное обучение для динамических и стационарных квантовых систем (по материалам кандидатской диссертации)
(Онлайн-семинар )

 14.05.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


А.И. Зенчук
(Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка)

Квантовые корреляции в процессах переноса и создания квантовых состояний в системах частиц со спином ½ (по материалам докторской диссертации)
(Онлайн семинар )

 07.05.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


Д.В. Фастовец, Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичев
(ФТИАН)

Разложение Шмидта и когерентность многомерных состояний кота Шредингера
(Онлайн семинар )

 30.04.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, К.Г. Катамадзе, Г.В. Авосопянц, В.Ф. Лукичев
(ФТИАН)

Гиперпуассоновская статистика фотонов
(Онлайн семинар )

 23.04.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


Б. И. Бантыш, А. Ю. Чернявский, Ю. И. Богданов
(ФТИАН)

Сравнение методов томографии чистых и почти чистых квантовых состояний
(Онлайн семинар )

 12.03.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


Г. И. Стручалин
(Центр квантовых технологий МГУ имени М. В. Ломоносова)

Теневая томография

 27.02.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Эталонное оценивание методов квантовой томографии


Г. В. Авосопянц
(Центр квантовых технологий МГУ имени М. В. Ломоносова)

Характеризация линейно-оптических интегральных схем посредством корреляционных измерений тепловых полей

 25.02.2020 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Н. А. Симонов
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Концепция пятен для задач искусственного интеллекта и построения нейроморфных систем

 18.02.2020 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Спектроскопическое измерение зарядового кубита на двойной квантовой точке с помощью фотонной молекулы

 21.11.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»


С. В. Винцкевич
(ИОФАН, МФТИ)

Лоренц инвариантная масса классических импульсов излучения и перепутанных состояний бифотонов
(По материалам кандидатской диссертации)


Архив семинаров
На главную страницу
Написать письмо
Мобильная версия Мобильная версия  

© 2001-2020 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования