Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Главная | Дисс. совет | Конкурсы | Разработки | Издания и публикации | Семинары | Контакты

Спискок публикаций сотрудников ФТИАН за 2009 год

Статьи:
  1. Шумилов, С.А. Моделирование эффектов формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом циклическом процессе / С.А.Шумилов, И.И.Амиров, В.Ф.Лукичев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. №6. С.428-435.
  2. Zimin, S.P. Micromasking efert and nanostuctures self-formation on the surface of lead chalcoenide epitaxial films on Si substrates during argon plasma treatment / S.P.Zimin, E.S.Gorlachev, I.I.Amirov, H. Zong // J.Phys.D: Appl. Phys. 2009. V.42. N16. P.165205
  3. Амиров, И.И. Плазменные процессы глубокого травления кремния в технологии микросистемной техники / И.И. Амиров, О.В.Морозов, А.В.Постников, В.А.Кальнов, А.А.Орликовский, К.А.Валиев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование.Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . - ISBN 978-5-02-036976-4. - С.159-174.
  4. Shumilov, A.S. SIMULATION OF THE EFFECTS OF DEEP GROOVING IN SILICON IN THE PLASMOCHEMICAL CYCLIC PROCESS / A.S.Shumilov, I.I.Amirov, V.F.Lukichev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P.385-392.
  5. Бачурин, В.И. Влияние облучения ионами аргона на образование интерметаллических соединений в системе никель-алюминий / В.И.Бачурин, С.А.Кривелевич // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 4. С. 63-66.
  6. Moreva, E. V. Optimal protocol for polarization ququart state tomography / E.V.Moreva, Yu I. Bogdanov, A.K. Gavrichenko, I.V. Tikhonov and S.P. Kulik // Applied Mathematics & Information Sciences. - 2009. - 3(1). - C.1-12.
  7. Богданов, Ю.А. Унифицированный метод статистического восстановления квантовых состояний, основанный на процедуре очищения / Ю.А.Богданов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2009. Т.135. Вып.6. C.1068-1078.
  8. Bogdanov, Yu.I. UNIFIED STATISTICAL METHOD FOR RECONSTRUCTING QUANTUM STATES BY PURIFICATION / Yu.I.Bogdanov // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2009. V. 108. № 6. P. 928-935.
  9. Бочкарев, В.Ф. ПОЛУЧЕНИЕ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОК ПЛАЗМОСТИМУЛИРУЮЩИМ МЕТОДОМ / В.Ф.Бочкарев, В.В.Овчаров // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 176-180.
  10. Бочкарев, В.Ф. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХТОНКИХ FE-NI ПЛЕНОК ПРИ ПЛАЗМОСТИМУЛИРОВАННОМ МЕТОДЕ ОСАЖДЕНИЯ / В.Ф.Бочкарев, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 181-187.
  11. Валиев, К.А. Перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах / К.А.Валиев, А.А.Кокин // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование.Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . -ISBN 978-5-02-036976-4. - С.17-35.
  12. Khomyakov, A.N. A SEMIANALYTICAL MODEL OF A THIN-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR / A.N.Khomyakov, V.V.V'yurkov // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 393-405.
  13. Хомяков, А.Н. ПОЛУАНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ТОНКИМ КАНАЛОМ / А.Н.Хомяков, В.В.Вьюрков // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 6. С. 436-448.
  14. Семенихин, И.А. Межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны / И.А.Семенихин, А.А.Захарова, К.А.Чао // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . - ISBN 978-5-02-036976-4. - С. 57.
  15. Изюмов, М.О. Электростатический прижим с температурной стабилизацией полупроводниковых пластин при плазменной обработке / М.О.Изюмов // Приборы и техника эксперимента. 2009. № 6. С. 131-132.
  16. Zvezdin, A.K. Toroidal moment in the molecular magnet V15. / A.K.Zvezdin, V.V.Kostyuchenko, A.I.Popov, A.F.Popkov, and A.Ceulemans // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. 172404.
  17. Kostyuchenko, V.V. Finite Size Effects in Field-Induced Transitions in Magnetic Multilayers / V.V.Kostyuchenko // Solid State Phenomena. 2009. V. 152-153. P. 245-248 .
  18. Костюченко, В.В. Индуцированные магнитным полем переходы в анизотропных магнетиках с двумя точками компенсации / В.В.Костюченко // Физика твердого тела. 2009. Т.51. Вып. 2. С. 316-319.
  19. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование наклонного канала нейтрализации плазменного источника нейтральных пучков / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. №3. С.188-197.
  20. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование канала нейтрализации источника пучков быстрых нейтральных частиц / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . - ISBN 978-5-02-036976-4. - С.136-158.
  21. Маишев, Ю.П. ИСТОЧНИКИ ИОНОВ И ИОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ НАНЕСЕНИЯ И ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ / Ю.П.Маишев, Ю.П.Терентьев, С.Л.Шевчук // Интеграл. 2009. № 5. С. 10-12.
  22. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовой газовый сенсор / М.И.Маковийчук, А.Л.Чапкевич, А.А.Чапкевич, В.А.Винокуров // Медицинская техника. – 2009. – Т.43. - №3. – С.5-10.
  23. Валиев, К.А. Теория и моделирование нано- и микропроцессов разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации интегральных микросхем. Часть 1. Общая теория переноса вакансий, генерации механических напряжений и зарождения микрополостей при электромиграции. Деградация и разрушение многоуровневой металлизации / К.А.Валиев, Р.В.Гольдштейн, Ю.В.Житников, Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. № 6. С.404-427.
  24. Гольдштейн, Р.В. Влияние примесей на работу отрыва по границе соединенных материалов / Р.В.Гольдштейн, Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Поверхность. 2009. № 12. С. 73-78.
  25. Махвиладзе, Т.М. Теория электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников и ее приложения / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175с.- ISBN 978-5-02-036976-4. - С.85-110.
  26. Махвиладзе, Т.М. Термодинамический анализ прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175с.- ISBN 978-5-02-036976-4. - С.111-134.
  27. Valiev, K.A. NANO- AND MICROMETER-SCALE THIN-FILM-INTERCONNECTION FAILURE THEORY AND SIMULATION AND METALLIZATION LIFETIME PREDICTION, PART 1: A GENERAL THEORY OF VACANCY TRANSPORT, MECHANICAL-STRESS GENERATION, AND VOID NUCLEATION UNDER ELECTROMIGRATION IN RELATION TO MULTILEVEL-METALLIZATION DEGENERATION AND FAILURE / K.A.Valiev, R.V.Goldstein, Yu.V.Zhitnikov, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 364-384.
  28. Gol'dshtein, R.V. INFLUENCE OF IMPURITIES ON THE WORK OF SEPARATION ALONG THE INTERFACE OF JOINED MATERIALS / R.V.Gol'dshtein, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2009. V. 3. № 6. P. 956-961.
  29. Можаев, А.В. Трехмерное моделирование динамических процессов формирования микрокластеров в кристаллической матрице / А.В.Можаев, Э.Ю.Бучин, А.В.Проказников // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 3. С. 1-7.
  30. Можаев, А.В. Расчет потенциала в моделях кластерного роста / А.В.Можаев, А.В.Проказников // Вычислительные методы и программирование. 2009. Т. 10. С. 24-27.
  31. Можаев, А.В. Компьютерное моделирование процессов формирования микрокластеров на основе масштабной инвариантности случайных блужданий / А.В.Можаев, А.В.Проказников // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 5. С. 323-330.
  32. Мордвинцев, В. М. Электроформовка как процесс самоформирования проводящих наноструктур для элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти / В. М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев, В. Л.Левин // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 174-182.
  33. Мордвинцев, В. М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводящих наноструктурах / В. М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев, В. Л.Левин // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 183-191.
  34. Наумов, В.В. Увеличение адгезии металлических пленок к кремнию с помощью ионной бомбардировки в процессе их роста / В.В.Наумов, В.Ф.Бочкарев, Э.Ю.Бучин // ЖТФ. 2009. Том 79. Вып. 7. С. 146-149.
  35. Наумов, В.В. Магнетосопротивление многослойных структур, полученных магнетронным методом / В.В.Наумов, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Том 38. № 5. С. 369-373.
  36. Наумов, В.В. Зависимость экваториального эффекта Керра от угла падения света для сверхтонких пленок кобальта и мультислоев Сo/Сu/Сo. / В.В.Наумов, В.А.Папорков, М.В. Лоханин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 4. С. 273-279.
  37. Gavrilenko, V.P. Measurement of dimentions of resist mask elements below 100 nm with help of a scanning electron microscope / V.P.Gavrilenko, V.A.Kalnov, Yu.A.Novikov, A.A.Orlikovsky, A.V.Rakov, P.A.Todua, K.A.Valiev, E.N.Zhikharev // Proc. SPIE. - 2009. - V.7272 (Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXIII, ed. вy John A.Allgair, Christopher J. Raymond). - P.727227.
  38. Валиев, К.А. НАНОЭЛЕКТРОНИКА, ч.1. Введение в наноэлектроннику / К.А.Валиев, В.В.Вьюрков, В.А.Гридчин, В.П.Драгунов, А.А.Кокин, И.Г.Неизвестный, А.А.Орликовский, Ю.С.Протасов, И.А.Семенихин; под ред.А.А.Орликовского . - М: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2009. - 720 с. - ISBN 978-5-7038-3392-6.
  39. Валиев, К.А. От микро- и наноэлектроники к твердотельным квантовым компьютерам / К.А.Валиев, А.А.Орликовский. - В кн.: Базовые лекции по электронике. Под ред. В.М.Пролейко. Том 2. Твердотельная электроника. Техносфера. М: 2009. - С.72-95.
  40. Вьюрков, В.В. Эволюция моделей транзистора: от классических к квантовым / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, И.А.Семенихин, А.Н.Хомяков // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . - ISBN 978-5-02-036976-4. - С.66-84.
  41. Орликовский, А.А. Эволюция транзистора: от классического к квантовому / А.А.Орликовский, В.В.Вьюрков // В кн.: Очерки истории российской электроники, Гл.11, Вып.1., 60 лет отечественному транзистору. - М. - Изд-во: Техносфера. - С.128-139.
  42. Васильев, А.Г. Электрофизические характеристики затворных структур с HfO2, сформированных методом электронно-лучевого испарения / А.Г.Васильев, Р.А.Захаров, А.А.Орликовский, А.Е.Рогожин, М.С.Сонин, И.А.Хорин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 5. С. 361-368.
  43. Shcherbachev, K.D. DEFECT STRUCTURE OF ZINC DOPED SILICON STUDIED BY X-RAY DIFFUSE SCATTERING METHOD / K.D.Shcherbachev, V.V.Privezentsev // Physica B: Condensed Matter. 2009. V. 404. № 23-24. P. 4630-4633.
  44. Privezentsev, V. DEFECTS IN ZINC DOPED SILICON STUDIED ON BASE OF X-RAY DIFFUSE SCATTERING ANALYSIS / V.Privezentsev // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2009. V. 6. № 8. P. 1897-1900.
  45. Бучин, Э.Ю. Усиление экваториального эффекта Керра в наноперфорированных пленках кобальта / Э.Ю.Бучин, Е.И.Ваганова, В.В.Наумов, В.А.Папорков, А.В.Проказников // Письма в ЖТФ. 2009. Т.35. Вып.13. С. 8-17.
  46. Rudenko, K.V. DIAGNOSTICS OF PLASMA PROCESSES IN MICRO- AND NANOELECTRONICS / K.V.Rudenko // High Energy Chemistry. 2009. Т. 43. № 3. С. 196-203.
  47. Руденко, К.В. ДИАГНОСТИКА ПЛАЗМЕННЫХ ПРОЦЕССОВ В МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ / К.В.Руденко // Химия высоких энергий. 2009. Т. 43. № 3. С. 242-249.
  48. Овчаров, В.В. Феноменологическая модель диффузии атомов примеси в ультратонких слоях кремния с неоднородным распределением температуры / В.В.Овчаров, В.И.Рудаков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 8. С. 76-80.
  49. Рудаков, В.И. Расчет профиля распределения концентрации меди в контактной системе TiN/CoSi2/Si при термическом нагреве / В.И.Рудаков, В.Н.Гусев // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 4. С. 309-314.
  50. Рудаков, В.И. Осаждение пленок А4В6 методом горячей стенки на кремниевые подложки диаметром 100 мм / В.И.Рудаков, А.Л.Куреня, А.А.Шорников, М.Л.Гитлин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 5. С. 374-380.
  51. Трушин, О.С. Автоматизированный стенд для экспресс диагностики магниторезистивных структур / О.С.Трушин, Д.А.Коканов, В.Ф.Бочкарев, В.В.Наумов, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 4. С. 280-283.
  52. Rabbering, F. Dispersed Forces from Measured Shape Anisotropy of Adatom Islands: Revelations from an Accelerated Simulation Scheme / F.Rabbering, A. Kara, H. Wormeester,T. Warnaar, O. Trushin, T. S. Rahman, B. Poelsema // Phys. Rev. Lett. - 2009.- V.103. - 096105.
  53. Trushin, O. Atomistic studies of strain relaxation in heteroepitaxial systems / O.Trushin, J. Jalkanen, E. Granato, S. C. Ying and T. Ala-Nissila // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V.21. No 084211.
  54. Kara, А. Off-lattice self-learning kinetic Monte Carlo: application to 2D cluster diffusion on the fcc(111) surface / А.Kara, O. Trushin, H. Yildirim and T.S. Rahman // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 21. 084213.
  55. Nandipati, G. Parallel kinetic Monte Carlo simulations of Ag(111) island coarsening using a large database / G.Nandipati, Y. Shim, J.G. Amar, A. Karim, A. Kara, T.S. Rahman and O. Trushin // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 21. 084214.
  56. Trushin, O.S. A STUDY OF THE MAGNETIC CHARACTERISTICS OF PERMALLOY NANOSTRUCTURES BY MICROMAGNETIC SIMULATION / O.S.Trushin, N.Barabanova, V.P.Alekseev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 3. P. 180-185.
  57. Трушин, О.С. ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПЕРМАЛЛОЕВЫХ НАНОСТРУКТУР МЕТОДОМ МИКРОМАГНИТНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ / О.С.Трушин, Н.Барабанова, В.П.Алексеев // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 198-203.
  58. Fadeev, A.V. EMISSION TOMOGRAPHY OF PLASMA IN TECHNOLOGICAL REACTORS OF MICROELECTRONICS / A.V.Fadeev, K.V.Rudenko, V.F.Lukichev, A.A.Orlikovskii // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 2. P. 95-109.
  59. Фадеев, А.В. ЭМИССИОННАЯ ТОМОГРАФИЯ ПЛАЗМЫ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕАКТОРАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ / А.В.Фадеев, К.В.Руденко, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 2. С. 107-121.
  60. Цуканов, А.В. Резонансный перенос электрона в одномерных многоямных структурах / А.В.Цуканов // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. - М.: Наука, 2009. - 175 с . - ISBN 978-5-02-036976-4. - С. 35-56.
  61. Tsukanov, A.V. CONTROLLED-PHASE OPERATION ON TWO REMOTE CHARGE QUBITS VIA CONDITIONAL ELECTRON DYNAMICS IN AUXILIARY STRUCTURE / A.V.Tsukanov // Optics Communications. 2009. V. 282. № 20. P. 4175-4181.
  62. Tsukanov, A.V. CHARGE QUBIT ENTANGLEMENT VIA CONDITIONAL SINGLE-ELECTRON TRANSFER IN AN ARRAY OF QUANTUM DOTS / A.V.Tsukanov // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 21. № 5.
  63. Chernyavskiy, A.Yu. THE COMPUTABLE MEASURE OF QUANTUM ENTANGLEMENT OF MULTIQUBIT STATES / A.Yu.Chernyavskiy // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 3. P. 199-205.
  64. Чернявский, А.Ю. ВЫЧИСЛИМАЯ МЕРА КВАНТОВОЙ ЗАПУТАННОСТИ МНОГОКУБИТНЫХ СОСТОЯНИЙ / А.Ю.Чернявский // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 217-223.
  65. Chernyavskii, A.Yu. NONEQUIVALENCE OF BIPARTICLE AND MULTIPARTICLE QUANTUM ENTANGLEMENTS / A.Yu.Chernyavskii // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 406-408.
  66. Чернявский, А.Ю. НЕЭКВИВАЛЕНТНОСТЬ ДВУХЧАСТИЧНОЙ И МНОГОЧАСТИЧНОЙ КВАНТОВОЙ ЗАПУТАННОСТИ / А.Ю.Чернявский // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 6. С. 449-451.
  67. Чуев, М.А. Неланжевеновская высокотемпературная намагниченность наночаcтиц в слабом магнитном поле / М.А.Чуев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2009. Т. 135. № 2. С. 280-292.
  68. Chuev, M.A. NON-LANGEVIN HIGH-TEMPERATURE MAGNETIZATION OF NANOPARTICLES IN A WEAK MAGNETIC FIELD / M.A.Chuev // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2009. V. 108. № 2. P. 249-259.
  69. Суздалев, И.П. Магнитные фазовые переходы в наноструктурах с различными кластерными упорядочениями / И.П.Суздалев, Ю.В.Максимов, В.К.Имшенник, С.В.Новичихин, В.В.Матвеев, Е.Н.Гудилин, О.В.Петрова, Ю.Д.Третьяков, М.А.Чуев // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. Вып.7-8. С. 102-108.
  70. Панков, М.А. Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs с двумерным дырочным газом / М.А.Панков, Б.А.Аронзон, В.В.Рыльков, А.Б.Давыдов, Е.З.Мейлихов, Р.М.Фарзетдинова, Э.М.Пашаев, М.А.Чуев , И.А.Субботин, И.А.Лихачев, Б.Н.Звонков, А.В.Лашкул, Р.Лайхо // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2009. Т. 136. № 2. С. 346-355.
  71. Chuev, M.A. Structural, magnetic and transport properties of quantum well GaAs/d-Mn/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs heterostructures / M.A.Chuev, E.Pashaev, M.Kovalchuk, V.Kvardakov, I.Subbotin, I.Likhachev // Int. J. Mat. Res. 2009. Т. 100. № 9. С. 1222-1225.
  72. Pashaev, E. X-ray characterization of magnetic digital alloys / E.Pashaev, M.A.Chuev, V.Kvardakov, I.Subbotin, A.Golovanov // J. Mat. Res. 2009. Т. 100. № 9. С. 1197-1199.
  73. Чуев, М.А. Фазовые соотношения и форма кривых рентгеновской дифракции от гетероструктур с квантовыми ямами / М.А.Чуев, Э.М.Пашаев, М.В.Ковальчук, В.В.Квардаков // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т.90. Вып.3. С. 204-209.
  74. Chuev, M.A. PHASE RELATIONS AND THE SHAPE OF THE X-RAY ROCKING CURVES FROM HETEROSTRUCTURES WITH QUANTUM WELLS / M.A.Chuev, E.M.Pashaev, M.V.Koval'chuk, V.V.Kvardakov // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2009. V. 90. № 3. P. 186-190.
  75. Пашаев, Э.М. Аппаратная функция двухкристального рентгеновского дифрактометра / Э.М.Пашаев, И.А.Субботин, М.А.Чуев, В.В.Квардаков, А.Е.Голованов, И.А.Лихачев // Приборы и техника эксперимента. 2009. Вып.5. С.107-115.
  76. Pashaev, E.M. THE RESOLUTION FUNCTION OF A DOUBLE-CRYSTAL X-RAY DIFFRACTOMETER / E.M.Pashaev, I.A.Subbotin, V.V.Kvardakov, A.E.Golovanov, I.A.Likhachev, M.A. Chuev // Instruments and Experimental Techniques. 2009. Т. 52. № 5. С. 712-720.
  77. Likhachev, I.A. X-RAY DIAGNOSTICS OF MAGNETIC SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL STRUCTURES / I.A.Likhachev, E.M.Pashaev, M.A.Chuev, I.A.Subbotin, V.V.Kvardkov, B.A.Aronzon, V.V.Rylkov, A.Ye.Golovanov, M.A. Pankov // Solid State Phenomena. 2009. Т. 152-153. С. 537-540.
  78. Chuev, M.A. Non-Equilibrium magnetism of single-domain particles for characterization of magnetic nanomaterials / M.A.Chuev, J.Hesse // In: Magnetic Properties of Solids. - ed. K. B. Tamayo. - New York: Nova Science Publishers. – 2009. – С. 1-104.
Конференции:
  1. Богданов, Ю.И. Интерференция квантовых состояний и кубит на основе малонового альдегида / Ю.И. Богданов, С.А. Нуянзин // Труды международной научно-технической конференции "Нанотехнологии и наноматериалы". М.: изд-во МГОУ. 2009. С. 327-334.
  2. Брук, М.А. Нанесение на твердые субстраты тонких полимерных пленок и наноструктур методом электронно-лучевой полимеризации и полирекомбинации из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, А.В.Спирин, И.А.Волегова, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов // Аннотации докладов XXI Симпозиума "Современная химическая физика" (25 сентября - 6 октября 2009, г.Туапсе). - С.38.
  3. Брук, М.А. Прямое нанесение рисунка литографической маски путем осаждения из паровой фазы под действием сфокусированного электронного луча / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, А.В.Спирин, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Аннотации докладов XXI Симпозиума "Современная химическая физика" (г.Туапсе, 25 сентября-6 октября 2009). - С.90.
  4. Брук, М.А. Прямое нанесение рисунка литографической маски путем электронно-лучевого осаждения из паров тетрафторэтилена / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, Ю.П. Маишев // Сб. тез.XVI Всероссийской конференции "Структура и динамика молекулярных систем". Москва - Йошкар-Ола - Уфа - Казань. 29 июня – 4 июля 2009 г. Выпуск XVI. Ч.3. - С.272.
  5. Vyurkov, V. Impact of channel inhomogeneities on characteristics of a quantum field-effect transistor / V.Vyurkov , I. Semenikhin, V. Lukichev, A. Orlikovsky // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.O3-09.
  6. Вьюрков, В.В. Проблемы энерговыделения и многоуровневых соединений в СБИС с минимальными размерами в глубоком суб-100 нм диапазоне / В.В.Вьюрков, Т.М.Махвиладзе, А.А. Орликовский // Межд. Научный Форум «Наука и общество. Информационные технологии» (Санкт-Петербург, 22–27 июня 2009г.). - Санкт-Петербург, 2009.
  7. Denisenko, Yu.I. Hf-based barrier layers for Cu-metallization / Yu.I.Denisenko, V.N.Gusev, A.I.Khorin, A.A.Orlikovsky, A.E.Rogozhin, V.I.Rudakov, A.G. Vasiliev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. -
  8. Zhikharev, E.N. Electron Beam Lithography using PMMA as negative resist / E.N.Zhikharev, S.N.Averkin, V.A.Kalnov // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P2-24.
  9. Semenikhin, I. Laser generation in broken-gap heterostructures / I.Semenikhin, K.A.Chao, A.Zakharova // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P2-11.
  10. Zakharova, A. Electron optical spin polarization in broken-gap heterostructures/ A.Zakharova, K.A.Chao, I.Semenikhin // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.O3-11.
  11. Kokin, A.A. The qubit states decoherence in antiferromagnet-based nuclear spin model of quantum register / A.A.Kokin, V.A.Kokin // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. q2-07.
  12. Degtyarev, A.V. Mathematical modeling of a fast neutrals beam source neutralization channel / A.V.Degtyarev, V.P.Kudrya, Yu.P.Maishev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. O2-07.
  13. Kudrya, V.P. Excitation Mechanism of the B+ Emission Line at 345.1 nm in Low-Temperature Plasma / V.P.Kudrya // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.O3-25.
  14. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование эффекта фокусировки в плазменном источнике быстрых нейтральных частиц / Дегтярёв, А.В., В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // Мат. XV Международной науч.-технической конф. "Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)", (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 9-11 сентября2009). - М.: ОАО "ЦНИТИ "Техномаш". - С.293-297.
  15. Lukichev, V. Problems of nano-sized and high aspect ratio features plasma etching / V.Lukichev, K.Rudenko, A.Orlikovsky, V.Yunkin // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.O2-16.
  16. Lukichev, V. Ultra shallow plasma immersion implantation of Boron in Silicon: side effect of surface plasma etching and peculiarities of PAI step / V.Lukichev, K. Rudenko, A. Orlikovsky, A. Lomov // Proc. of 2nd International Workshop “Plasma Etch and Strip in Microelectronics” (PESM-2009). Leuven, Belgium, Feb. 26-27, 2009.
  17. Maishev, Y. Fast atom beam formation of inert and chemically active substances in an extensive source of ions for application in the technological processes / Y.Maishev, S.Shevchuk, T.Matveev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P2-29.
  18. Alekseev, I. Modeling of the interfacial separation work in relation to impurity concentrations in adjoining materials / I.Alekseev, T.Makhviladze, A.Minushev, M.Sarychev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. Р2-04.
  19. Goldstein, R. The thermodynamic theory of interfacial adhesion between materials containing point defects / R.Goldstein, T.Makhviladze, M.Sarychev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. О1-21.
  20. Makhviladze, Т. Electromigration theory and its applications to integrated circuit metallization / T.Makhviladze, M.Sarychev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. P. L1-04.
  21. Makhviladze, T. Advanced atomic-scale simulation of silicon nitride CVD from dichlorosilane and ammonia / T.Makhviladze, A.Minushev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. О1-07.
  22. Makhviladze, T. Projection photolithography modeling using the finite-difference time-domain approach / T.Makhviladze, M.Sarychev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. О1-01.
  23. Makhviladze, T.M. Modeling of IC Metallization Lines Fracture at the Mesoscopic Scale / T.M.Makhviladze, A.A.Orlikovsky, M.E.Sarychev // Abstract of European Congress on Advanced Materials and Processes, Glasgow, 2009. P. D32-2.
  24. Махвиладзе, Т.М. Проблемы надежности межсоединений: моделирование нано- и микропроцессов деградации и разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации / Т.М.Махвиладзе // Совещание «Материаловедение для нанотехнологий», Тезисы докладов, Зеленоград, 2009, С. 13.
  25. Rogozhin, A.E. CoSi2/TiO2/SiO2/Si gate structure formation / A.E.Rogozhin, I.A Khorin, V.V. Naumov, A.A. Orlikovsky, V.V. Ovcharov, V.I. Rudakov, A.G. Vasiliev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. -
  26. Fadeev, A.V. Emission Tomography Algorithm Optimization: Applications for Microelectronic Plasma Equipment / A.V.Fadeev, K.V.Rudenko, V.F.Lukichev, A.A.Orlikovsky // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.P2-37.
  27. Chuev, M.A. High-temperature magnetization and Mossbauer spectra of nanoparticles in a weak magnetic field / M.A.Chuev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. O3-12.
  28. Chuev, M.A. Mossbauer spectra and magnetization curves of nanoparticles in a weak magnetic field / M.A.Chuev // XI Int. Conf. on the applications of the Mossbauer effect. Vienna, Austria, 2009. Programme and abstracts. P.33.
  29. Medvedev, P.G. Experimental scheme for observation of anomalous Kossel effect in semiconductor structure / P.G. Medvedev, M.A.Chuev, M.A.Kovalchuk, E.M.Pashaev, I.A.Subbotin, S.N.Yakunin // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P.O3-28.
  30. Polikarpov, M.A. Mossbauer spectra of magnetite nanoparticles in polimer composites / M.A.Polikarpov, V.M.Cherepanov, M.A.Chuev, S.Yu.Shishkov, S.S.Yakimov // XI Int. Conf. on the applications of the Mossbauer effect. Vienna, Austria, 2009. Programme and abstracts. P.295.
  31. Polikarpov, M.A. Super-ferrimagnetism of magnetite nanoparticles in a weak magnetic field / M.A.Polikarpov, V.M.Cherepanov, M.A.Chuev, S.Yu.Shishkov, S.S.Yakimov // XI Int. Conf. on the applications of the Mossbauer effect. Vienna, Austria, 2009. Programme and abstracts. P.297.
  32. Subbotin, I.A. Structural investigation of magnetic digital alloys. / I.A.Subbotin, М.А.Чуев, V.V.Kvardakov, I.A.Likhachev, E.M.Pashaev // Int.Conf.“Micro- and nanoelectronics (ICMNE-2009)". Oct 5-9, 2009, Moscow-Zvenigorod. - Book of Abstracts. - P. O3-29.
  33. Tebeneva, N.A. Mossbauer study of tris-(methyldiethoxysiloxy) iron and its derivatives / N.A.Tebeneva, A.M.Muzafarov, E.S.Trofimchuk, M.A.Chuev, S.K.Dedushenko, L.A.Kulikov, Yu.D.Perfiliev // XI Int. Conf. on the applications of the Mossbauer effect. Vienna, Austria, 2009. Programme and abstracts. P.153.
  34. Ковальчук, М.В. Экспериментальное наблюдение аномальных линий Косселя / М.В.Ковальчук, П.Г.Медведев, И.А.Субботин, В.В.Квардаков, Э.М.Пашаев, М.А.Чуев, С.Н.Якунин // VII Национальная Конференция "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-био-инфо-когно технологии"(РСНЭ-НБИК 2009) (Москва, 16-21 ноября 2009 г.) - Москва, 2009. - Тез. докл. -С. 126.
  35. Лихачев, И.А. Аппаратная функция двухкристального рентгеновского дифрактометра / И.А.Лихачев, И.А.Субботин, Э.М.Пашаев, М.А.Чуев, В.В.Квардаков // VII Национальная Конференция "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-био-инфо-когно технологии" (РСНЭ-НБИК 2009) (Москва, 16-21 ноября 2009 г.) - Москва, 2009. - Тез. докл. - С. 592.
  36. Пашаев, Э.М. Рентгеновская диагностика наноразмерных гетероструктур / Э.М.Пашаев, М.В.Ковальчук, В.В.Квардаков, М.А.Чуев // Тез. докл. Второго Международного форума по нанотехнологиям (Москва, 6-8 октября 2009). - М :Роснано, 2009. - С. 215-217.
  37. Пашаев, Э.М. Фазовые соотношения и форма кривых рентгеновской дифракции от гетероструктур с квантовыми ямами / Э.М.Пашаев, В.В.Квардаков, И.А.Лихачев, И.А.Субботин, М.А.Чуев // VII Национальная Конференция "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-био-инфо-когно технологии"(РСНЭ-НБИК 2009) (Москва, 16-21 ноября 2009 г.) - Москва, 2009. - Тез. докл. - С. 131.
  38. Поликарпов, М.А. Индуцированный внешним полем суперферримагнетизм в наночастицах магнетита / М.А.Поликарпов, В.М.Черепанов, М.А.Чуев, С.Ю.Шишков, С.С.Якимов. // XI Int. Conf. “Mossbauer spectroscopy and its applications”. Ekaterinburg, 2009. - Book of abstracts. Р. 57.
  39. Поликарпов, М.А. Релаксационные мессбауэровские спектры полимерных композитов с наночастицами магнетита / М.А.Поликарпов, В.М.Черепанов, М.А.Чуев, С.Ю.Шишков, С.С.Якимов.// XI Int. Conf. “Mossbauer spectroscopy and its applications”. Ekaterinburg, 2009. - Book of abstracts. Р. 56.
  40. Чуев, М.А. Высокотемпературная намагниченность наночастиц в «статических» и гамма-резонансных измерениях в слабом магнитном поле / М.А.Чуев // XI Int. Conf. “Mossbauer spectroscopy and its applications”. Ekaterinburg, 2009. - Book of abstracts. Р.45.
  41. Чуев, М.А. Магнитная динамика наночастиц в «статических» и радиочастотных экспериментах для диагностики магнитных наноматериалов / М.А.Чуев // Тез. докл. Второго Международного форума по нанотехнологиям (Москва, 6-8 октября 2009). - М :Роснано, 2009. - С. 224-226.
  42. Чуев, М.А. Мессбауэровские спектры и кривые намагничивания наночастиц в слабом магнитном поле для диагностики магнитных наноматериалов / М.А.Чуев // VII Национальная Конференция "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-био-инфо-когно технологии"(РСНЭ-НБИК 2009) (Москва, 16-21 ноября 2009 г.) - Москва, 2009. - Тез. докл. - С. 141.
Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Симпозиум «Квантовая информатика»
Симпозиум «Квантовая информатика»

Библиотека ФТИАН
Библиотека ФТИАН


 29.06.2017 - 14:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

И.С. Федоров
( Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова)

Разработка основ технологии формирования электродов тонкопленочного литий-ионного аккумулятора методом магнетронного распыления
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)


А.С. Грязев
(Национальный Исследовательский Университет МЭИ)

Исследование характеристик рассеяния электронов в твёрдых телах для определения толщин нанопокрытий методами электронной спектроскопии
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 18.05.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

С. Н. Филиппов
(ФТИАН)

Квантовая динамика, вызванная последовательными измерениями

 25.04.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

С. Ю. Купреенко
(МГУ им. М.В. Ломоносова)

Электронная спектроскопия материалов и микроструктур в сканирующем электронном микроскопе
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 13.04.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. И. Бобров
(МГУ )

Пространственные корреляции в бифотонных и классических полях
(по материалам кандидатской диссертации)

 23.03.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

С. А. Моисеев
(Казанский научно-исследовательский технический университет)

Квантовая память: достижения и перспективы

 16.03.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

М. А. Юрищев
(ИПХФ РАН, Черноголовка)

Квантовый дискорд в Х-состояниях двухкубитовых систем: достижения и белые пятна теории

 08.02.2017 - 15:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

А.А. Малых
(МИСиС)

Микроэлектронные датчики с частотным выходом на основе КНИ чувствительного элемента транзисторного типа
(диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук)

 07.02.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Ю. В. Федоров
(ИСВЧПЭ)

Нитрид-галлиевые гетероструктуры электроники миллиметрового диапазона: анализ возможностей, технологии и приборы

 16.01.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

П. С. Захаров
(НИИМЭ)

Эффект обратимого переключения электрической проводимости в тонких пленках нестехиометрического оксида кремния
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук )

 27.12.2016 - 15:30Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

М. Ю. Сайгин
(МГУ)

Реализация квантовых вычислений на оптической платформе

 20.12.2016 - 15:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

C. В. Михайлович
(ИСВЧПЭ РАН)

Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN с разной толщиной барьерного слоя
(защита диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук)


И. Н. Мищенко
(ФТИАН)

Развитие многоуровневых моделей магнитной динамики однодоменных частиц для описания кривых намагничивания и мёссбауэровских спектров магнитных наноматериалов
(защита диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук)

 15.12.2016 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

К. Г. Катамадзе
(ФТИАН, МГУ)

Тепловые состояния света с отщеплением заданного числа фотонов

 08.12.2016 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Д. В. Фастовец
(ФТИАН, МИЭТ)

Разложение Шмидта и многомерный статистический анализ


Архив семинаров
На главную страницу
Написать письмо
Мобильная версия Мобильная версия  

© 2001-2017 Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования