Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Главная | Дисс. совет | Конкурсы | Разработки | Издания и публикации | Семинары | Контакты

Спискок публикаций сотрудников ФТИАН за 2002 год

  1. А. Н. Аверкин, А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора для создания ультрамелких P+-N переходов в кремнии. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 360 - 362.
  2. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. В. Фадеев. Особенности имплантации бора в кремний из плазмы BF3 в иммерсионном режиме. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
  3. А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н.Суханов. Параметры плазмы BF3 в установке плазменно-иммерсионного имплантера. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 426 - 427.
  4. С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н.Суханов. Зондовая диагностика плазмы ВЧ- и СВЧ- источников в иммерсионном ионном имплантере. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
  5. К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Н. И. Базаев. Возможности синхронного детектирования эмиссионного сигнала плазмы при мониторинге травления структур SiO2/Si . Микроэлектроника, 2003 (в печати).
  6. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Ю. Ф. Семин. Способ определения момента окончания плазмохимического травления структур SiO2/Si и poly Si/SiO2/Si с малой площадью окон травления. Заявка на изобретение (находится в стадии оформления).
  7. А. А. Орликовский. Технологические проблемы создания кремниевых нанотранзисторов. Материалы Всероссийской конференции «Кремний-2002», Новосибирск, 2002 (приглашенный доклад).
  8. К. А. Валиев, А. Д. Кривоспицкий, А. А. Орликовский, Ю. Ф. Семин. Патент РФ №2192069.
  9. V. V’yurkov, A. Vetrov, and A. Orlikovsky. Measurement of a single electron spin in a solid state quantum computer. Abstracts of the International Scientific Symposium “Quantum Informatics-2002”, Zvenigorod, 1-4 October 2002,O7.
  10. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, Ю. А. Максимов. Кремнийсодержащие углеродные пленки, полученные методом реактивного ионно-лучевого синтеза. Труды ХIII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, 2002г.
  11. С. Л. Шевчук. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок», ФТИАН, Москва, 2002г.
  12. С. Л. Шевчук. Доклад «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
  13. Ю. П. Маишев. Доклад «Ионные источники и ионно-лучевая обработка». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
  14. M. A. Chuev, O. Hupe, A. M. Afanas'ev, H. Bremers, J. Hesse. Alternative approach for evaluation of Mossbauer spectra of nanostructured ferromagnetic alloys within generalized two-level relaxation model. Письма в ЖЭТФ, 2002, т.76, N9-10, с.656-660.
  15. А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, М. А. Чуев, П. Г. Медведев. Линии Косселя как новый тип источника рентгеновского излучения. ЖЭТФ, 2002, т.122, N9, с.549-558;
  16. М. А. Чуев, А. М. Афанасьев, М. В. Ковальчук, П. Г. Медведев. Аномальное усиление интенсивности линии Косселя для предельно асимметричной схемы дифракции. Поверхность, 2002, N7, с.76-80.
  17. А. М. Афанасьев, А. П. Болтаев, Р. М. Имамов, Э. Х. Мухамеджанов, М. М. Рзаев, М. А. Чуев. Характеристики квантовой ямы Si1-xGex/Si по данным рентгенодифракционного анализа. Микроэлектроника, 2002, , т.31, N1, с.3-8.
  18. А. М. Афанасьев, Р. М. Имамов, А. А. Ломов, В. Г. Мокеров, М. А. Чуев, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия псевдоморфной гетероструктуры с напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs разной толщины. Кристаллография, 2002, в печати.
  19. А. М. Афанасьев, А. В. Зозуля, М. В. Ковальчук, М. А. Чуев. О фазовой проблеме в трехволновой рентгеновской дифракции. Письма в ЖЭТФ, 2002, т.75, N7, с.379-384.
  20. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Strain-induced semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb broken-gap quantum wells. Phys. Rev. B, 2002, v. 64, 085312;
  21. A. Zakharova, K. A. Chao. Influence of band state mixing on interband magnetotunnelling in broken-gap heterostructures. J. Phys.: Condens. Matter, 2002, v. 14, p. 5003-5016;
  22. A. Zakharova, S. T. Yen, K. A. Chao. Quantum computer on InAs/GaSb heterostructures. Proceedings of SPIE, in press.
  23. К. П. Новоселов. Теоретическое изучение процесса химического осаждения нитрида кремния из смеси дихлоросилана и аммиака. "Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III", Труды ФТИАН, т.17, с.54-81, 2001.
  24. А. А. Багатурьянц, А. Х. Минушев, А. С. Владимиров, К. П. Новоселов, А. А. Сафонов. "Теоретическое изучение механизма и кинетики газофазных реакций всмеси дихлоросилана и аммиака". Физико-технологический институт РАН, препринт №24, М.: 2000.
  25. А. А. Багатурьянц, К. П. Новоселов, А. А. Сафонов. "Теоретическое исследование структуры нитрида кремния и механизма некоторых поверхностных реакций". Физико-технологический институт РАН, препринт №25, М.: 2000.
Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Симпозиум «Квантовая информатика»
Симпозиум «Квантовая информатика»

Библиотека ФТИАН
Библиотека ФТИАН


 06.07.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Д. В. Фастовец
(ФТИАН, МИЭТ)

Влияние декогерентизации на качество квантового хеширования

 29.06.2017 - 14:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

И.С. Федоров
( Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова)

Разработка основ технологии формирования электродов тонкопленочного литий-ионного аккумулятора методом магнетронного распыления
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)


А.С. Грязев
(Национальный Исследовательский Университет МЭИ)

Исследование характеристик рассеяния электронов в твёрдых телах для определения толщин нанопокрытий методами электронной спектроскопии
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 18.05.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

С. Н. Филиппов
(ФТИАН)

Квантовая динамика, вызванная последовательными измерениями

 25.04.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

С. Ю. Купреенко
(МГУ им. М.В. Ломоносова)

Электронная спектроскопия материалов и микроструктур в сканирующем электронном микроскопе
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 13.04.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. И. Бобров
(МГУ )

Пространственные корреляции в бифотонных и классических полях
(по материалам кандидатской диссертации)

 23.03.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

С. А. Моисеев
(Казанский научно-исследовательский технический университет)

Квантовая память: достижения и перспективы

 16.03.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

М. А. Юрищев
(ИПХФ РАН, Черноголовка)

Квантовый дискорд в Х-состояниях двухкубитовых систем: достижения и белые пятна теории

 08.02.2017 - 15:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

А.А. Малых
(МИСиС)

Микроэлектронные датчики с частотным выходом на основе КНИ чувствительного элемента транзисторного типа
(диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук)

 07.02.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Ю. В. Федоров
(ИСВЧПЭ)

Нитрид-галлиевые гетероструктуры электроники миллиметрового диапазона: анализ возможностей, технологии и приборы

 16.01.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

П. С. Захаров
(НИИМЭ)

Эффект обратимого переключения электрической проводимости в тонких пленках нестехиометрического оксида кремния
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук )

 27.12.2016 - 15:30Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

М. Ю. Сайгин
(МГУ)

Реализация квантовых вычислений на оптической платформе

 20.12.2016 - 15:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

C. В. Михайлович
(ИСВЧПЭ РАН)

Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN с разной толщиной барьерного слоя
(защита диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук)


И. Н. Мищенко
(ФТИАН)

Развитие многоуровневых моделей магнитной динамики однодоменных частиц для описания кривых намагничивания и мёссбауэровских спектров магнитных наноматериалов
(защита диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук)

 15.12.2016 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

К. Г. Катамадзе
(ФТИАН, МГУ)

Тепловые состояния света с отщеплением заданного числа фотонов


Архив семинаров
На главную страницу
Написать письмо
Мобильная версия Мобильная версия  

© 2001-2017 Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования