Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Главная | Дисс. совет | Конкурсы | Разработки | Издания и публикации | Семинары | Контакты

Спискок публикаций сотрудников ФТИАН по плазменным процессам за 2001-2004 годы

  1. С. Н. Аверкин, Т. И. Аверкина, К. А. Валиев, А. С. Кабановский, В. А. Наумов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. А. Рылов, Я. Н. Суханов, А. В. Фадеев. Плазменно-иммерсионный имплантер для формирования супермелкозалегающих p-n переходов. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 1, с О1-5.
  2. К. В. Руденко, А. А. Орликовский. Проблемы мониторинга плазменных технологических процессов: диагностика плазмы и поверхности. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 1, с О3-6.
  3. А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть I. Микроэлектроника, т.30, № 2, с.85-105 (2001).
  4. А. А. Орликовский, К .В. Руденко, Я. Н. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть II. Микроэлектроника, т.30, № 3, с. 163-182 (2001).
  5. А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть III. Микроэлектроника, т.30, № 5, с.323-344 (2001).
  6. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть IV. Микроэлектроника, т.30, № 6 (2001).
  7. А. П. Ершов, В. Ф. Лукичев, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Влияние электрического поля в плазме на электронную ветвь ВАХ Ленгмюровского зонда: моделирование методом Монте-Карло. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 2, с Р3-27.
  8. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Осаждение алмазоподобных пленок из пучков ионов углеродсодержащих веществ. Труды VI Международной конференции «Пленки и покрытия», Санкт – Петербург, 2001г., с. 176 ?180;
  9. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Применение многопучкового источника ионов в ионно – лучевой технологии осаждения и травления тонких пленок. Труды IV Международного симпозиума «Вакуумные технологии и оборудование», Харьков, 2001г.;
  10. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, В. А. Кальнов, П. А. Аверичкин. Синтез тонких пленок из пучка ионов кремнийорганических соединений. Тезисы Всероссийской научно – технической конференции «Микро – и наноэлектроника – 2001», Звенигород, 2001г., Р1 – 43.
  11. А. Г. Васильев, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Кинетика фазообразования тонких пленок Ti-Co-Si-N на Si и SiO2, Пленки и покрытия’ 2001, С.-Петербург, 2001, 299-306
  12. А. Г. Васильев, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Реакционно-диффузионные процессы взаимодействия сплавов Ti-Co-Si-N и Ti-Co-N с Si при магнетронном сораспылении металлов и кремния на нагретую подложку// Всероссийская научно-техническая конференция МНЭ-2001, Т.2, Р1-19.
  13. А. Г. Васильев, Р. А. Захаров, В. В. Родатис, А. В. Лобинцов, А. А. Орликовский, И. А. Хорин. Фазообразование в многокомпонентных системах Ti-Co-Si-N и Ti-Co-N при поверхностно-диффузионном механизме формирования тонких пленок на Si и SiO2// Микроэлектроника, 2001, Т.30, № 5, с. 345-352.
  14. А. Н. Аверкин, А. А. Орликовский, К. В. Руденко. Плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора для создания ультрамелких P+-N переходов в кремнии. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 360 - 362.
  15. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. В. Фадеев. Особенности имплантации бора в кремний из плазмы BF3 в иммерсионном режиме. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
  16. А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Параметры плазмы BF3 в установке плазменно-иммерсионного имплантера. Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 г., т. 2, с. 426 - 427.
  17. С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н.Суханов. Зондовая диагностика плазмы ВЧ- и СВЧ- источников в иммерсионном ионном имплантере. Тезисы доклада (приняты) на XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (24-28 февраля 2003 г.).
  18. К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Н. И. Базаев. Возможности синхронного детектирования эмиссионного сигнала плазмы при мониторинге травления структур SiO2/Si . Микроэлектроника, 2003 (в печати).
  19. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов, Ю. Ф. Семин. Способ определения момента окончания плазмохимического травления структур SiO2/Si и poly Si/SiO2/Si с малой площадью окон травления. Заявка на изобретение (находится в стадии оформления).
  20. А. А. Орликовский. Технологические проблемы создания кремниевых нанотранзисторов. Материалы Всероссийской конференции «Кремний-2002», Новосибирск, 2002 (приглашенный доклад).
  21. К. А. Валиев, А. Д. Кривоспицкий, А. А. Орликовский, Ю. Ф. Семин. Патент РФ №2192069.
  22. V. V’yurkov, A. Vetrov, and A. Orlikovsky. Measurement of a single electron spin in a solid state quantum computer. Abstracts of the International Scientific Symposium “Quantum Informatics-2002”, Zvenigorod, 1-4 October 2002,O7.
  23. Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, Ю. А. Максимов. Кремнийсодержащие углеродные пленки, полученные методом реактивного ионно-лучевого синтеза. Труды ХIII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике», Харьков, 2002г.
  24. С. Л. Шевчук. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок», ФТИАН, Москва, 2002г.
  25. С. Л. Шевчук. Доклад «Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
  26. Ю. П. Маишев. Доклад «Ионные источники и ионно-лучевая обработка». Семинар «Электровакуумная техника и технология», Москва, 2002г.
  27. K. V. Rudenko, Ya. N. Sukhanov, N. I. Bazaev. Phase Detection Used in the Optical-Emission Monitoring. Russian Microelectronics, v. 32, no.4, p.214-218.
  28. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ- разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №2003104228 от 12.02.2003.
  29. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля плазмохимических процессов травления дифференциальной оптической актинометрией и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №20031142716 от 06.05.2003.
  30. K. V. Rudenko, A. V. Fadeev, A. A. Orlikovsky, K. A. Valiev. Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma technology equipment under strong restriction on the points of view. Proc. of International Conf. “Micro- and nanoelectronics”, Zvenigorod, p. P1-49 (2003).
  31. А. А. Орликовский, К. В. Руденко, А. В. Фадеев. Особенности имплантации бора в кремний из плазмы BF3 в иммерсионном режиме. Труды XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС. М., (2003), с. 220.
  32. С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Сравнительные характеристики плотной плазмы ВЧ и СВЧ разряда в установке плазменно-иммерсионной ионной имплантации, Микроэлектроника, 2003, том 32, №5, стр. 363-373.
  33. Ya. N. Sukhanov, A. P. Ershov, K. V. Rudenko and A. A. Orlikovsky. Comparative study of inductively coupled and microwave BF3 plasmas for microelectronic technology applications, Proc. of Int. Conf. ICMNE-2003, Moscow-Zvenigorod, 2003, 02-48.
  34. C. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Зондовая диагностика плазмы ВЧ- и СВЧ- источников в иммерсионном ионном имплантере, Труды ХХХ Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС, Звенигород, 2003.
  35. Y. P. Maishev, S. L. Shevchuk. Reactive ion-beam synthesis of thin films. Proceedings of IV International Conference “Plasma physics and plasma technology”, V.2, Minsk, 2003, pp.483-486.
  36. К. А. Валиев, Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук. Реактивный ионно-лучевой синтез тонких пленок непосредственно из пучков ионов. Физическая инженерия поверхности, Т.1, №1, 2003, с.27-33.
  37. С. Л. Шевчук, Ю. П. Маишев. Алмазоподобные покрытия сферических опор гироскопов, Труды Международной научной конференции “Тонкие пленки и наноструктуры”, Москва, 7-10 сентября, 2004, стр. 149-153.
  38. S. V. Vassiliev, S. B. Kravtsov, T. T. Basiev, V. A. Sychugov, R. R. Gerke, T. G. Dubrovina, I. U. Usypov, S. L. Shevchuk, Y. P. Maishev. Efficient dielectric diffraction gratings: novel approaches to scaling-up the output of narrowband lasers, Laser Physics, Vol. 14, No.12, 2004, pp. 1-9.
  39. M. A. Bruk, E. N. Zhikharev, E. I. Grigoriev, A. V. Spirin, V. A. Kalnov and I. E. Kardash. Electron Beam Induced Deposition of Iron Carbon Nanostructures from Iron Dodecacarbonyl Vapour. SPIE. 2004.V.5401. P.305 ? 310.
  40. Y. P. Maishev, S. L. Shevchuk. Investigation of influence of low energy ion beam parameters on Reactive Ion Beam Synthesis (RIBS) of thin films.
  41. М. А. Брук, И. А. Волегова, А. И. Бузин, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, Ю. К. Годовский. Влияние плотности тока на структуру и свойства тонких полимерных пленок, наносимых путем электроннолучевого осаждения из паров тетрафторэтилена. Третья Всероссийская Каргинская конференция «Полимеры-2004». Москва. Январь 2004. Тезисы докладов. Том 1. Стр. 219.
  42. М. А. Брук, И. А. Волегова, А. И. Бузин, Е. Н. Жихарев, А. В. Спирин, Ю. К. Годовский. Влияние плотности тока на структуру и свойства тонких полимерных пленок, наносимых путем электроннолучевого осаждения из паров тетрафторэтилена. Тезисы докладов XI Всероссийской конференции "Структура и динамика молекулярных систем". Казань-Москва-Йошкар-Ола-Уфа. Июнь-июль 2004 г.
  43. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, Е. И. Григорьев, А. В. Спирин, В. А. Кальнов, И. Е. Кардаш. Нанесение наноструктур, содержащих железо и углерод, путем осаждения додекакарбонила железа из паровой фазы, инициированного сфокусированным электронным лучом. Химия высоких энергий. 2004. (В печати).
  44. М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, А. В.Спирин, В. А.Кальнов, А. И.Бузин, И. Е.Кардаш. «Способ нанесения на поверхность твердых тел высокоразрешающего изображения функциональных слоев на основе тонких полимерных пленок». Патент РФ. Решение о выдаче патента на изобретение от 3 августа 2004 г.
  45. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ- разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №2003104228 от 12.02.2003. Положительное решение ФИПС.
  46. К. А. Валиев, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Ю. Ф. Семин, Я. Н. Суханов. Способ контроля плазмохимических процессов травления дифференциальной оптической актинометрией и устройство для его осуществления. Заявка на патент РФ №20031142716 от 06.05.2003. Положительное решение ФИПС.
  47. K. V. Rudenko, A. V. Fadeev, A. A. Orlikovsky, K. A. Valiev. Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma technology equipment under strong restriction on the points of view. Proc. of SPIE, v. 5401, p.79-85 (2004).
  48. I. A. Horin, A. A. Orlikovsky, A. G. Vasiliev, A. L. Vasiliev. Phases transaormation in Ti(Ta) – Ni(Co) – Si – N systems/ Micro- and Nanoelectronics 2003, edited by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky, Proceeding of SPIE Vol. 5401 (SPIE, Bellinghan, WA, 2004), P. 110-118.
  49. А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Эволюция структуры Со-N/Ti/Si(100) в процессе реактивного магнетронного распыления кобальта на нагретую Ti/Si(100) подложку// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 1, С. 1-6.
  50. А. Г. Васильев, А. Л. Васильев, Р. А. Захаров, А. А. Орликовский, И. А. Хорин, M. Эиндоу. Влияние азота на процессы фазового расслоения в системах Ti-Co-N/CoSix/Si(100) и Ti-Co-Si-N/CoSix/Si(100)// Микроэлектроника, Т. 33 (2004), № 3, С. 147-151.
Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Симпозиум «Квантовая информатика»
Симпозиум «Квантовая информатика»

Библиотека ФТИАН
Библиотека ФТИАН


 14.12.2017 - 14:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

А.В. Цуканов
(ФТИАН)

Полупроводниковые квантовые точки с оптическим и электрическим управлением в квантовых вычислениях
(Защита диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук)


Л.В. Белинский
(МИЭТ)

Разработка методов и алгоритмов высокоточной томографии квантовых состояний
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 03.10.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

О. А. Рубан
(«Московский технологический университет» МИРЭА)

Частотные характеристики нитрид-галлиевых полевых транзисторов с учетом структурной релаксации барьерного слоя AlGaN
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)

 28.09.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Л.В. Белинский
(МИЭТ, ФТИАН)

Разработка методов и алгоритмов высокоточной томографии квантовых состояний
(по материалам кандидатской диссертации)

 14.09.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН, МИЭТ)

Информационные аспекты слабых и защищённых измерений

 07.09.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН)

Полупроводниковые квантовые точки с оптическим и электрическим управлением в квантовых вычислениях
(по материалам диссертационной работы на соискание ученой степени доктора физико-математических наук)

 06.07.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Д. В. Фастовец
(ФТИАН, МИЭТ)

Влияние декогерентизации на качество квантового хеширования

 29.06.2017 - 14:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

И.С. Федоров
( Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова)

Разработка основ технологии формирования электродов тонкопленочного литий-ионного аккумулятора методом магнетронного распыления
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)


А.С. Грязев
(Национальный Исследовательский Университет МЭИ)

Исследование характеристик рассеяния электронов в твёрдых телах для определения толщин нанопокрытий методами электронной спектроскопии
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 18.05.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

С. Н. Филиппов
(ФТИАН)

Квантовая динамика, вызванная последовательными измерениями

 25.04.2017 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

С. Ю. Купреенко
(МГУ им. М.В. Ломоносова)

Электронная спектроскопия материалов и микроструктур в сканирующем электронном микроскопе
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 13.04.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. И. Бобров
(МГУ )

Пространственные корреляции в бифотонных и классических полях
(по материалам кандидатской диссертации)

 23.03.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

С. А. Моисеев
(Казанский научно-исследовательский технический университет)

Квантовая память: достижения и перспективы

 16.03.2017 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

М. А. Юрищев
(ИПХФ РАН, Черноголовка)

Квантовый дискорд в Х-состояниях двухкубитовых систем: достижения и белые пятна теории

 08.02.2017 - 15:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

А.А. Малых
(МИСиС)

Микроэлектронные датчики с частотным выходом на основе КНИ чувствительного элемента транзисторного типа
(диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук)


Архив семинаров
На главную страницу
Написать письмо
Мобильная версия Мобильная версия  

© 2001-2017 Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования