01.05.2020

   ВНИМАНИЕ! В связи с пандемией COVID-19 и связанной с ней неопределенностью ситуации, Оргкомитет ICMNE-2020 принял решение о переносе сроков очередной конференции на период 4-8 октября 2021 года.
   Берегите себя. Надеемся увидеть вас на нашей конференции в 2021 году.

22.04.2020

   С 20 апреля 2020 года открывается регистрация заявок на конкурс на соискание премии Правительства Москвы молодым учёным за 2020 год.
   
   Победителям присуждаются премии в размере 2 млн. рублей каждая, а также вручаются дипломы лауреатов.
   
   Для участия в конкурсе необходимо зарегистрироваться на официальном сайте Конкурса https://nauka.mos.ru/control/registration, заполнить необходимые данные в личном кабинете, загрузить файлы.
   
   Подробнее о материалах, которые необходимо подать, можно узнать в разделе «Документы» на сайте http://nauka.mos.ru

28.03.2020

   Уважаемые сотрудники!
   
   Согласно Указу Президента РФ от 25 марта 2020 года № 206 "Об объявлении в Российской Федерации нерабочих дней" в целях обеспечения санитарно-эпидемиологического благополучия населения на территории Российской Федерации установлены с 30 марта по 30 апреля 2020 г. установлены нерабочие дни с сохранением за работниками заработной платы.
   
   
   
   Дирекция ФТИАН им.К.А.Валиева РАН просит Вас во избежание распространения коронавирусной инфекции в указанный период соблюдать домашний режим, ограничить контакты и посещение общественных мест. В случае заражения Вас или членов Вашей семьи просим обеспечить режим самоизоляции для всех членов семьи с немедленным оповещением своего непосредственного руководителя.
   
   Дирекция ФТИАН им.К.А.Валиева РАН

20.03.2020

   Мероприятия по противодействию распространения коронавируса COVID-19
   
   План мероприятий по предупреждению распространения коронавирусной инфекции (СОVID-19)
   

05.03.2020

   Информация о конкурсах и конференциях:


    Всероссийский научный конкурс «Инновации в реализации приоритетных направлений развития науки и технологий» с 05.03.2020 по 30.05.2020
Организатор: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет» (РТУ МИРЭА)
Конкурс проводится по приоритетным направлениям развития науки и техники в соответствии с Государственной программой «Научно-технологическое развитие Российской Федерации» (постановление Правительства Российской Федерации от 29 марта 2019 года № 377) и Программой фундаментальных научных исследований государственных академий наук на 2013-2020 годы (распоряжение Правительства Российской Федерации от 3 декабря 2012 г. № 2237-р).
К участию в конкурсе приглашаются коллективы, под руководством молодых ученых (от 18 до 39 лет).
Участие в конкурсе бесплатное.
первый этап – заочный (отборочный), проходит в online-режиме
   с 05 марта 2020 года по 15 апреля 2020 года.
   
http://innov.mirea.ru/

02.03.2020

   Информация о конкурсах и конференциях:


   15-ая международная конференция "Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors" (BIAMS) пройдет с 19 по 24 июля 2020 г. в Санкт-Петербурге (гостиница «Россия»).
Конференция посвящена методам, основанным на взаимодействии пучка (электронного, оптического, зондового, ионного) с твердым телом. Области применения методов: лазерные структуры, фотовольтаика, микро- и наноэлектроника, деградация устройств, дефекты в полупроводниках, реверс-инжиниринг, нанофотоника, квантовая оптика и т.д.
BIAMS2020.org
Контакты:
   email: info@BIAMS2020.org
   тел.: +7(931)-346-77-43
МФТИ
03 апреля 2020

   

17.02.2020

   Научный семинар
   «Моделирование физико-технологических процессов микро- и наноэлектроники»
   Проводится еженедельно по пятницам в 12-00, Мал. корпус ФТИАН, к. 203, тел. +79167903219.

13.02.2020

   Информация о конкурсах и конференциях:


   15-ая международная конференция "Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors" (BIAMS) пройдет с 19 по 24 июля 2020 г. в Санкт-Петербурге (гостиница «Россия»).
Конференция посвящена методам, основанным на взаимодействии пучка (электронного, оптического, зондового, ионного) с твердым телом. Области применения методов: лазерные структуры, фотовольтаика, микро- и наноэлектроника, деградация устройств, дефекты в полупроводниках, реверс-инжиниринг, нанофотоника, квантовая оптика и т.д.

[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7]