Журнал “Микроэлектроника”

Микроэлектроника
ISSN (PRINT): 0544-1269
Импакт-фактор (РИНЦ): 0,824

Russian Microelectronics
ISSN PRINT: 1063-7397
ISSN ONLINE: 1608-3415

Наименование английской версии журнала: Russian Microelectronics

Описание
Журнал Микроэлектроника основан в 1972 г. Он посвящён технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях. Значительное место отводится плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. Данное направление исследований охватывает гетероструктуры, нанотранзисторы и полупроводниковые приборы, квантовые биты (кубиты). Рассматриваются проблемы анализа и синтеза электронных схем на биполярных и полевых транзисторах, в частности КМОП- и БиКМОП-схем. Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших учебных заведений и производственно-контрольных лабораторий, а также для аспирантов.

Адрес редакции:
117218 Москва, Нахимовский проспект, 34, ФТИАН

Контакты редакции:
Пономарева Людмила Георгиевна
факс: 499/ 125-38-26
Е-mail: ponomareval@mail.ru

С правилами направления, рецензирования и опубликования научных статей можно ознакомиться здесь: http://sciencejournals.ru/journal/mikelek/
http://pleiades.online/en/journal/micelec/authors-instructions/

Главный редактор:

Красников Геннадий Яковлевич
(академик РАН, д.т.н., генеральный директор, Акционерное Общество «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»)

Заместители главного редактора:

Лукичев Владимир Федорович
(член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., директор, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технологический институт РАН»)

Неизвестный Игорь Георгиевич
(член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н, советник РАН, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова»)

Ответственный секретарь:

Руденко Константин Васильевич (д.ф.-м.н., зам. директора, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технологический институт РАН»)

Члены редколлегии:

Абрамов Игорь Иванович
(д.ф.-м.н., профессор кафедры микро- и наноэлектроники, Белорусский Государственный Университет Информатики и Радиоэлектроники)

Бакланов Михаил Родионович
(д.х.н., профессор, Microelectronics Department, North China University of Technology)

Бухараев Анастас Ахметович
(член-корреспондент АН Республики Татарстан, д.ф.-м.н., зав. лаб. физики и химии поверхности, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского»)

Горбацевич Александр Алексеевич (член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., профессор, г.н.с., Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН»)

Горнев Евгений Сергеевич
(д.т.н., профессор, заместитель руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям, Акционерное Общество “Научно-исследовательский институт молекулярной электроники”)

Мальцев Петр Павлович
(д.т.н., научный руководитель, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН»)

Рощупкин Дмитрий Валентинович
(д.ф.-м.н., директор, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»)

Сигов Александр Сергеевич
(академик РАН, д.ф.-м.н., профессор, президент, Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования «Московский технологический университет»)

Стриханов Михаил Николаевич
(академик РАО, д.ф.-м.н., профессор, ректор, Федеральное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»»)

Сурис Роберт Арнольдович
(академик РАН, д.ф.-м.н, профессор, зав. лабораторией, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН»)

Чаплыгин Юрий Александрович
(академик РАН, д.т.н, профессор, президент, федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»)

Шахнов Вадим Анатольевич
(член-корреспондент РАН, д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Проектирование и технология производства электронной аппаратуры», Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э. Баумана)

Cтефан Шульц/Stefan E. Schulz
профессор, Д-р, зам.директора, Институт электронных наносистем, Фраунгофер, ENAS, Хемниц, Германия / Prof. Dr.. Deputy Director of Fraunhofer Institute for Electronic Nano Systems)

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.