Установка глубокого анизотропного плазмохимического травления для создания элементов МЭМС и НЭМС

Установка плазмохимического травления

  • Установка глубокого анизотропного плазмохимического травления для создания элементов МЭМС и НЭМСТип источника плазмы: плоский ICP
  • Генератор: 13,56 МГц, 1 кВт
  • Источник смещения: до 400 Вт (13,56 МГц)
  • Диаметр пластины: 150, 200 мм
  • Рабочие давления: 0,5-50 мТор
  • Система подачи газов: 4 канала, 0-200 Sccm
  • Газы: F-, Cl- содержащие, O2, H2, Ar
  • Плотность плазмы: до 3*1012 см-3
  • Температура электронов: < 4 эВ (Ar)
  • Неравномерность плазмы: < 2% на ø 200 мм
  • Скорость травления: до 6 мкм/мин (Si) и до 0,8 мкм/мин (SiO2)
  • Полная автоматизация процесса с управлением от персонального компьютера

 

Плазменное анизотропное травление кремния для изделий микромеханики

 

 

 

 

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.