Ультрамелкая ионная имплантация бора в кремниевые структуры полевых нанотранзисторов

Разработаны и исследованы процессы ультрамелкого легирования кремния бором для формирования p-областей стока/истока и околозатворного легирования (extensions) нанотранзисторов. Проблема высокодозовой ультрамелкой имплантации легких ионов бора при низких ускоряющих напряжениях решена плазменно-иммерсионными методами. Сформированы сильнолегированные слои с глубиной p-n переходов 7 – 20 нм как на объемном кремнии, так и в структурах с тонким SOI (до 50 нм).


Руденко К.В., Лукичев В.Ф., Орликовский А.А. Технологии плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования приборных структур наноэлектроники (Пленарный доклад). //Труды VI Международного симпозиума ISTAPC-2011, стр. 37-38.

  1. Miakonkikh, K. Rudenko , V. Rudakov, A. Orlikovsky.Comparative investigation of ultra-shallow boron implantation into bulk silicon and SOI structures by PIII technique.//Proc. of Intern. Conference on Micro- and Nanoelectronics – 2012, Zvenigorod, Book of Abstracts, p. O3-19 (2012).

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.