Теория и математическое моделирование электромиграционного разрушения многоуровневой металлизации СБИС

Разработана полная трехмерная теория нано- и микропроцессов разрушения  тонкопленочных проводников под действием электромиграции, позволившая провести компьютерное моделирование разрушения различных элементов металлизации ИС в широких диапазонах изменения материальных, геометрических и эксплуатационных параметров.

Теория и математическое моделирование электромиграционного разрушения многоуровневой металлизации СБИС


Валиев К.А., Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. Механизм электромиграции ионов  в металлах и диэлектриках // Доклады АН СССР. 1989. Т.306. N 1.С.91-94.

MakhviladzeT.M., SarychevM.Е., ZhitnikovYu.V., BoruckiL., LiuCL. General model for mechanical stress evolution during electromigration // J. Appl. Physics. 1999. V.86. N 6.Р.3068-3075.

Валиев К.А., Гольдштейн Р.В., Житников Ю.В., Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. Теория и моделирование нано- и микропроцессов разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации интегральных микросхем // Микроэлектроника, 2009, Т.38, № 6, С.404-427; 2010, Т.39, № 3. С.163-176.

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.