Технология изготовления затворного стека планарных интегральных нанотранзисторов для логических УБИС с проектными нормами 32/28 нм со структурой HkMG

Впервые в России Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов ФТИАН им. К.А. Валиева РАН под руководством зам. директора института, д.ф.-м.н. К.В. Руденко исследовала процессы и разработала спектр ключевых технологий изготовления затворного стека планарных интегральных нанотранзисторов для логических УБИС с проектными нормами 32/28 нм со структурой HkMG, включающей композитный металлический затвор и диэлектрический стек с высокой диэлектрической проницаемостью (p-MOS и n-MOS стек). Фундаментальные исследования и разработка отечественных технологий выполнены полностью на научном оборудовании технологической зоны ФТИАН им. К.А. Валиева РАН с применением атомно-слоевого осаждения всех слоев стека, формирования суб-32 нм топологии методами электронной литографии, технологии прецизионного анизотропного плазменного травления слоев стека с точностью переноса топологии маски 2 нм. Полученный результат был масштабирован на имеющемся у ФТИАН им. К.А. Валиева РАН оборудовании для применения на кремниевых пластинах до 200 мм. Параметры структур, полученные на пластинах промышленного диаметра, отвечают требованиям, предъявляемым к промышленным технологиям.

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.