Структуры кремний-на-ферроэлектрике (SOF) для новой элементной базы ИС на основе двухзатворных сегнетоэлектрических транзисторов 2G FDSOI NCFET (FeFETs) (совместно с ИФП СО РАН)

Авторы от ФТИАН им. К.А. Валиева РАН: А.В. Мяконьких, К.В. Руденко

Сегнетоэлектрический транзистор FeFET, в котором одновременно реализуются функции логики и памяти состояния, аналогично биологическим нейронам является кандидатом для организации эффективных нейроморфных вычислений и реализации нейронных сетей на новых принципах. Показана приборная структура и выходная характеристика двухзатворного FeFET, использующего захороненный сегнетоэлектрический слой с отдельным управляющим затвором.

В измерениях в режиме псевдо-FET изготовленные структуры SOF демонстрируют плотность ловушек              Dit < 1012 см-2 и сегнетоэлектрический гистерезис (окно памяти) MW ~ 1 В при коэрцитивных электрических полях < 104 В/см.

  1. State Electron., vol. 159, pp. 63-70, (2019).
  2. EUROSOI-ULIS, Grenoble, France, 2019, pp. 1-4, doi: 10.1109/EUROSOI-ULIS45800.2019.9041896

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.