Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения

15:00
А. Г. Черникова (МФТИ)
Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических 
HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.