Развитие технологий плазменно-иммерсионной ионной имплантации

Впервые в России разработан экспериментальный низковольтный высокодозовый плазменно-иммерсионный ионный имплантер для ультрамелкого легирования стока/истока нанотранзисторов с проектными нормами 130 – 32 нм, обладающий уникальными возможностями ионного 3D-легирования, например, стенок тренчей в структурах DRAM, плавниковых структур перспективных многозатворных нанотранзисторов.

 

Развитие технологий плазменно-иммерсионной ионной имплантацииОсновные характеристики

  • Диаметр обрабатываемой пластины – до 150 мм
  • Режим имплантации – иммерсионный, импульсно периодический
  • Диапазон энергии ионов – 0.1 – 5 кЭв
  • Диапазон доз легирования – 5х1014 – 5х1017 см-2
  • Скорость набора дозы –1014 – 1015 см-2 с-1

Уникальные возможности технологии

  • Большой флюенс ионов при низких энергиях
  • Большая скорость набора дозы
  • Время имплантации не зависит от площади пластины
  • Прекрасные возможности для 3D легирования непланарных структур
  • Легко реализуемая ко-имплантация различных ионов, последовательные процессы имплантации в одной камере
  • Диапазон доз легирования простирается вплоть до уровней образования новых фаз, возможно создание структур ионным синтезом.

А.А. Орликовский, К.В. Руденко, С.Н. Аверкин. Прецизионные плазмохимические процессы микроэлектроники на базе серии пилотных установок с масштабируемымICP-источником плазмы.// Химия высоких энергий, т.40, № 3, с. 220 – 232 (2006).

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.