Разработка физических основ метода входного контроля гетероструктур на основе GaN с использованием измерений вольт-фарадных характеристик

15:00
О. А. Рубан (МИРЭА)
Разработка физических основ метода входного контроля гетероструктур на основе GaN с использованием измерений вольт-фарадных характеристик
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук)

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.