Полностью графеновые полевые транзисторы

Предложена конструкция и разработана программа моделирования полностью графеновых туннельных транзисторов. Основным элементом конструкции является короткий зазор между контактами истока и стока, туннельный ток через этот зазор управляется напряжением на затворах. Подобные транзисторы совмещают высокий ток открытого состояния, свойственный каналам из графена, с низким током закрытого состояния и наличием насыщения тока в открытом состоянии, что присуще полупроводниковым каналам. Открывается перспектива создания полностью графеновых цифровых схем, в которых и соединения между элементами выполнены из графена.


Svintsov D., Vyurkov V., Burenkov A., Oechsner R.,Lukichev V., and Orlikovsky A. Tunnel FET with graphene channels, Semiconductors, Vol. 47, No. 2, 2013, pp. 279–284.

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.