Полевой транзистор в ультратонком слое кремния

Разработана эффективная программа квантового моделирования полевых нанотранзисторов на основе структур «кремний на изоляторе».  Проведен расчет характеристик нанотранзисторов с учетом типичных неоднородностей в канале.


  1. Vyurkov, I. Semenikhin, S. Filippov, and A. Orlikovsky. Quantum simulation of an ultrathin body field-effect transistor with channel imperfections. Solid-StateElectronics,V. 70, pp. 106–113 (2012).

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.