Патент на изобретение RU 2717157 C2
«Способ изготовления туннельного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки»
Авторы: Аверкин С.Н., Вьюрков В.В., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф.
Приоритет от 07 июня 2018 г.
Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.03.2020