Механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальных структурах по данным компьютерного моделирования

Методами молекулярной статики с использованием полуэмпирических потенциалов «погруженного иона» (EAM) исследованы атомные механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальных структурах в системах металл/металл. Предложен новый метод Сферического Потенциала Отталкивания для активации редких событий в многоатомной системе. Проведена оценка энергии активации для процессов зарождения дислокаций несоответствия и других локальных дефектов.


  1. Trushin, E. Granato, S-C. Ying, T. Ala-Nissila, P. Salo. Mechanisms of dislocation nucleation in strained epitaxial layers //Physica Status Solidi B, v232, N1, p.100-105 (2002).

O.S. Trushin, E. Granato, S-C. Ying, P. Salo, T. Ala-Nissila.  Minimal energy path for dislocation nucleation in strained epitaxial layers //Phys.Rev.B., v.65, p.241408(R), 2002.

  1. Trushin, E. Granato, S. C. Ying, P. Salo, and T. Ala-Nissila. Energetics and atomic mechanisms of dislocation nucleation in strained epitaxial layers // Phys. Rev..B 68, 155413 (2003).
  2. S. Trushin, P. Salo, T. Ala-Nissila, and S. C. Ying. Searching for transition paths in multidimensional space with a fixed repulsive bias potential // Phys. Rev. B, v 69, p. 033405 (2004).

Yafeng Lu, O. Trushin, W. H. Wang, E. Granato, S. C. Ying,5 and T. Ala-Nissila. Strain Relief in Cu-PdHeteroepitaxy, // Physical Review Letters, v 94, p. 146105 (2005).

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.