Предложена конструкция полевого транзистора, в котором вместо сильнолегированных омических контактов истока и стока, используются контакты Шоттки. Из-за полного отсутствия легирования длина канала и размер областей истока и стока транзистора могут быть уменьшены до 3-5 нм. Возможно формирование транзистора как в тонком слое КНИ, так и в объемной подложке. Предельная крутизна подпороговой характеристики в представленной на рис. конструкции составляет 60мВ напряжения на затворе на декаду тока. Конструкция транзистора может быть изменена таким образом, чтобы включить межзонное туннелирование. В этом случае подпороговая крутизна может быть увеличена до 10мВ/дек. Разработана программа моделирования туннельных транзисторов.
Chaplygin Ye., Svintsov D., Vyurkov V., Orlikovsky A. Ultimate sub-threshold slope of Schottky Barrier Field-Effect Transistors // ICMNE-2012, Zvenigorod, Russia, October 2012