Разработан источник быстрых атомарных и молекулярных нейтральных частиц. Источник работает с инертными и химически активными газами; степень нейтральности формируемых пучков – до 100 %, диапазон энергии частиц – (100 -1500) эВ; отсутствует накопление объёмного заряда в диэлектрическом материале, приводящего к появлению дефектов в режимах осаждения или травления слоёв;отсутствует накопление поверхностного заряда в диэлектрическом материале, приводящего к искажению траекторий частиц кулоновским полем вблизи краёв топологических элементов ИС и невоспроизводимому влиянию на процесс осаждения или травления слоёв.
Маишев Ю.П., Шевчук С.Л., Матвеев Т.Н. Физические принципы формирования пучков быстрых атомов резонансной перезарядкой пучков ионов // Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование/Отв. ред. В.Ф. Лукичев. М.: Наука. 2008. (Труды ФТИАН; Т. 19, С. 69 – 77).
Патент Российской Федерации №2 395133 С1 от 10.03.2009 «Источник быстрых нейтральных частиц».
Патент Российской Федерации №2 468 465 С2 от 27.12.2010 «Источник быстрых нейтральных частиц».