Исследование и разработка элементов памяти на базе эффекта переключения проводимости

Исследование и разработка элементов памяти на базе эффекта переключения проводимостиИсследование и разработка элементов памяти на базе эффекта переключения проводимости Исследование и разработка элементов памяти на базе эффекта переключения проводимости


Орликовский А.А., Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д., Перминов А.В. Способ формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя //. Патент РФ на изобретение № 2449416 от 27 апреля 2012 г.

A.E.Berdnikov, S.V.Vasilev, A.A.Mironenko, A.A.Popov, A.V.Perminov, V.D.Chernomordick, V.N.GusevIncorporationingrowfilmpreviouslyproducednanosizeparticlesduringlowfrequency PECVD Bookofabstract. II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures (ICMPSN-2012), 23-25 May, 2012, Yaroslavl, Russia.Poster P3-14, p.142.

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.