Institute » Official information

Официальное название Института : Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук.

Сокращение: ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.

На английском языке: VALIEV INSTITUTE OF PHYSICS AND TECHNOLOGY of RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES.

Сокращение: VALIEV IPT RAS.

Основными направлениями научной деятельности ФГБУН Физико-технологического института имени К.А. Валиева РАН в соответствии с Уставом, утвержденным 6 июля 2018 года приказом Минобрнауки №57, с изменениями, внесенными 8 декабря 2021 года приказом Минобрнауки №1196, являются:

Проведение фундаментальных, поисковых и прикладных научных исследований по следующим направлениям:

  • физика элементной базы квантовых компьютеров, квантовые методы обработки информации;
  • физика и технология нанотранзисторов, наноструктур и элементной базы микро- и наносистемной техники;
  • математическое моделирование приборов и технологических процессов микроэлектроники, твердотельных квантовых компьютеров;
  • разработка источников низкотемпературной плазмы, ионных пучков и ионноплазменных технологий;
  • разработка методов мониторинга технологических процессов и диагностики микро- и наноструктур.

Головная организация ФТИАН им. К.А. Валиева РАН в Москве имеет следующие подразделения:

  • Ярославский Филиал ФТИАН им. К.А. Валиева РАН (вебсайт http://yf-ftian.ru)
    (ВРИО директора ЯФ ФТИАН им. К.А.Валиева РАН , д.ф.-м.н. И.И. Амиров)
  • Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» ЯФ ФТИАН- ЯрГУ (вебсайт: http://ftian.ru/cffs/ и http://yf-ftian.ru/ckp)

Образовательная деятельность и подготовка научных кадров на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН: При Институте функционируют:

  • Кафедра (базовая) наноэлектроники и квантовых компьютеров Московского физико-технического института, зав. кафедрой член-корреспондент РАН В.Ф.Лукичев, профессорско-преподавательский состав – ведущие ученые ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. Проводит всеобъемлющую подготовку бакалавров и магистров по направлению 03.06.01. «Физика и астрономия», направленность подготовки «Физика конденсированного состояния (Физическая электроника)»
  • Кафедра (базовая) нанотехнологий в электронике и Научно-образовательный центр (НОЦ) «Демидовский центр нанотехнологий и инноваций» Ярославского Госуниверситета им. П.Г. Демидова при Ярославском Филиале ФТИАН им. К. А. Валиева РАН, Зав. кафедрой – научный руководитель ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН д.ф.-м.н. А.С. Рудый. Проводит подготовку бакалавров и магистров по направлению 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»
  • Научно-образовательный центр ФТИАН им. К.А. Валиева РАН-МИФИ «Квантовые информационные технологии и нанотехнологии». Проводит подготовку специалистов в соответствующих областях.
  • Аспирантура РАН. Осуществляется подготовка научных кадров в аспирантуре по направлению:  11.06.01. — «Электроника, радиотехника и системы связи» по профилю (специальности);  5.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»

ФТИАН им. К.А. Валиева РАН активно сотрудничает с ведущими ВУЗами России: Московским физико-техническим институтом (национальный исследовательский университет – МФТИ НИУ), Московским инженерно-физическим институтом (Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ), Московским институтом электронной техники (Национальный исследовательский ядерный университет МИЭТ), МИРЭА Российским технологическим университетом, Московским государственным университетом им. М.В. Ломоносова, Ярославским государственным университетом им. П.Г. Демидова.

Штат Института с учетом ЯФ составляет 186 человек, из них 75 научных сотрудников, 17 докторов наук, 37 кандидатов наук.

Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН В  ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.