Laboratories » Лаборатория функциональных диэлектриков для микроэлектроники

Основные направления исследований

Основные научные результаты

Патенты

Текущие проекты и гранты

Публикации за 2020—2021 гг.

 

Лаборатория функциональных диэлектриков для микроэлектроникиРуководитель лаборатории —с.н.с., к.ф-м.н. Мяконьких А.В.

 +7(499)129-55-08

miakonkikh@ftian.ru

 

 

Основные направления исследований

  1. Исследование процесса плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения диэлектриков и металлов
  2. Исследование плазменного травления полупроводников и диэлектриков
  3. Исследования технологических подходов к формированию интегральных планарных и тренчевых конденсаторов высокой емкости

 

Основные научные результаты

  1. Исследованы возможности выполнения атомно-слоевое травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в ICP установке плазменного травления
  2. Предложен способ циклического анизотропного травления глубоких тренчей в кремнии в цикле «нитридизация-травление»
  3. Исследованы возможности конформного осаждения диэлектриков и металлов в тренчевые высокоаспектные структуры

 

Патенты

  1. Заявка: 2022129841, от 17.11.2022. Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление.

 

Текущие проекты и гранты

  1. Гос. Задание #FFNN-2022-0020 “Фундаментальные и прикладные исследования технологий формирования функциональных диэлектриков в микроструктурах интегральных схем”2022-2024 годы
  2. Исследование возможностей атомно-слоевого травления структур микро- и наноэлектроники (РФФИ)
  3. Исследование возможностей криогенного атомно-слоевого травления пористых диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью (РНФ)

 

Публикации 

  1. V. Kuzmenko, Y. Lebedinskij, A. Miakonkikh, K. Rudenko//Selective atomic layer etching of Al2O3, AlNx and HfO2 in conventional ICP etching tool // Vacuum 207 (2023) 111585 doi.org/10.1016/j.vacuum.2022.111585
  2. M. Tarkov, F. Tikhonenko, V. Popov, V. Antonov, A. Miakonkikh and K. Rudenko // Ferroelectric Devices for Content-Addressable Memory // Nanomaterials 2022, 12, 4488 https://doi.org/10.3390/nano12244488