Гетероструктуры GexSi1-x/Si с низкой плотностью дислокаций, полученные в результате отжига многослойных структур Ge/Si

Методом МВЕ выращены многослойные структуры Ge/Si переменной толщины (от 0,1 до 15 нм) с результирующей толщиной 80 – 150 нм на Si (111). При температуре 7000С  формируется полностью релаксированный слой Ge0,25Si0,75 на Si (111) с плотностью дефектов не выше 3.105 см-2.


BondorenkoV.I., LebedevO.I., AntipovM.V., VasilievA.G., OrlikovskyA.A.  HRENinvestigationofGexSiheterostructuresformation.ICEM 13,  Paris, 1994, p.153-154.

Антипов М., Васильев А., Васильев А., Киселев Н., Лебедев О., Орликовский А. Исследования мноослойных структур Ge/Si переменной толщины. Труды ФТИАН, ред. К.А.Валиев, “Наука”  т.8, 1994, с.110-127.

KiselevN.A., LebedevO.I., VasilievA.L., AntipovM.V., ValievK.A., VasilievA.G., OrlikovskyA.A. InvestigationofmultilayeredGe/Sistructureswithvaryingthicknesses. Vacuum,v.46, N3, p.269-276, 1995.

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.