Формирование ультратонких силицидных слоев на основе кобальта для омических контактов

Для создания силицидных слоев используется двухстадийная быстрая термическая обработка (БТО). На первой стадии из исходной структуры Ti/Co/Ti/Si формируется “жертвенный” слой, состоящий из TiOxNy и Ti-Со-Si. Образование TiOxNy сопровождается захватом остаточных примесей (O, C и N) из исходной пленки и поверхности Si-подложки. После удаления “жертвенного” слоя состав структуры соответствует моносилициду кобальта (CoSi), который на второй стадии БТО трансформируется в высокопроводящую фазу CoSi2.

 

Формирование ультратонких силицидных слоев на основе кобальта для омических контактов
Схематическое изображение технологического процесса образования слоя CoSi2 толщиной 12 нм и поверхностным сопротивлением 20 Ом/□ с использованием БТО в среде азота
Формирование ультратонких силицидных слоев на основе кобальта для омических контактов
СЭМ-изображение верхней части «жертвенного» слоя

Рудаков В.И., Денисенко Ю.И., Наумов В.В., Симакин С.Г. Особенности формирования CoSi2 при двустадийном быстром термическом отжиге структур Ti/Co/Ti/Si (100). Письма в ЖТФ, 2011, Т.37, вып.3, С.36-44.

Рудаков В.И., Денисенко Ю.И., Наумов В.В., Симакин С.Г. Контроль образования ультратонких слоев CoSi2 при быстром термическом отжиге структур  Ti/Co/Ti/Si (100). Микроэлектроника, 2011. Т. 40. Вып.6. С. 389-394.

Рудаков В.И., Денисенко Ю.И., Наумов В.В., Симакин С.Г. Формирование и методика исследования ультратонких слоев силицида кобальта в структурах  Ti/Co/Ti, TiN/Ti/Co и TiN/Co на кремнии. ЖТФ, 2012, Т.38, вып.21, С.48-55.

Рудаков В.И., Богоявленская Е.А., Денисенко Ю.И., Овчаров В.В., Куреня А.Л., К.В. Руденко, Лукичев В.Ф., Орликовский А.А., Плис Н.И.  Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора. Российские нанотехнологии, 2013, Т. 8 , №3-4 , С. 68-73.

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.