Впервые создана технология глубокого анизотропного травления кремния с ингибитором (бромом) глубоких «тренчей» с вертикальными стенками в кремнии. Позднее анизотропное травление кремния в бромсодержащей плазме стало общепризнанной в мировой практике технологией. Впервые дано теоретическое описание апертурного эффекта. Изучены три механизма апертурного эффекта: ограничение доставки ионов и радикалов на травящуюся поверхность и переосаждение продуктов реакции. Показано, что ограничение доставки ионов и радикалов является доминирующим. Теоретически изучены физические ограничения процесса анизотропного реактивно-ионного травления.
Использование апертурного эффекта позволяет реализовать технологию 3D профиля кремниевых структур при формировании элементов наноэлектроники и наномеханики, специализированных дифракционных решеток оптического и рентгеновского диапазона, фотонных и фононных кристаллов с наноразмерными элементами.
Автаева С.Н., Барышев Ю.П., Валиев К.А., Исаев К.Ш., Никифоров И.Е., Орликовский А.А., Оторбаев Д.К., Соколов А.Б. Исследование низкотемпературной плазмы CF3Br и процесса глубокого анизотропного травления кремния в диодном реакторе. Труды ФТИАН, ред. К.А.Валиев, т.6, М. Наука, 1993, с.3-16.
AbachevM.K., BaryshevYu.P., LukichevV.F., OrlikovskyA.A. Aperture effect in plasma etching of deep silicon trenches.Vacuum, 1991, v.42, N1-2, p.129-131.
Yunkin V.A., Lukichev V.F., Orlikovsky F.F., Fisher D., Voges E. Experimental study and computer simulation of aspect ratio dependent effects observed in silicon reactive ion etching. Microelectron.Eng., 1996, v.30, pp.345-348.
Лукичев В.Ф., Орликовский А.А. Предельные возможности плазмохимического травления. Труды ФТИАН., ред. К.А.Валиев, М. Наука, 1996, т.10, с.57-63.
V.F. Lukichev and V.A.Yunkin. Scaling of silicon trench etch rates and profiles in plasma etching. Microelectronic Eng., 46 (1999), p. 315 – 318.
Abachev M.K., BaryshevYu.P., Lukichev V.F., Orlikovsky A.A. Modeling of deep silicon etching in multicomponent plasma.Vacuum, 1992, vol.43, p.565.