Бистабильность и гистерезис в кремниевой пластине, вызванные тепловым пробоем при нагревании пластины мощным некогерентным излучением

При облучении кремниевой пластины мощным потоком некогерентного излучения может наблюдаться тепловой пробой, сопровождающийся бистабильностью и гистерезисом. Для проявления эффекта температурной бистабильности необходим интенсивный теплоотвод, включающий, наряду с радиационной, кондуктивную или конвективную составляющую.


В.И. Рудаков, В.В. Овчаров, В.П. Пригара Бистабильность при радиационном теплообмене. Письма в ЖТФ, 2008,. том. 34,  вып. 16,. С. 79-86.

V.I. Rudakov, V.V. Ovcharov, A.L. .Kurenya, V.P. Prigara. Bistable behavior of silicon wafer in rapid thermal processing setup. Microelectronic Engineering, 2012, V. 93, PP. 67-73.

Valery I. Rudakov, Aleksey L..Kurenya, Vladimir V..Ovcharov, Valeriy P. Prigara. Temperature oscillation in a silicon wafer under constant power of incoherent irradiation by heating lamps in a thermal chamber of RTP set up. ProceedingsofSPIE, 2013,.V. 8700, PP. 870006-1-11.

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.