2020

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год

Статьи:

  1. Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene Materials / Asadov, M.M., Mustafaeva, S.N., Guseinova, S.S., Lukichev, V.F. // (2020) Physics of the Solid State, 62 (11), pp. 2224-2231. DOI: 10.1134/S1063783420110037
  2. Asadov, M.M. Ab Initio Modeling of the Electronic and Energy Structure and Opening the Band Gap of a 4p-Element-Doped Graphene Monolayer / Asadov, M.M., Guseinova, S.S., Lukichev, V.F. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (5), pp. 314-323. DOI: 10.1134/S1063739720050030
  3. Asadov, M.M. Thermodynamic and Dielectric Properties of As2S3–As2Se3 / M. M. Asadov, S. N. Mustafaeva, D. B. Tagiyev, and V. F. Lukichev // Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2020. V.65. No 5. Р.733–742. DOI:10.1134/S0036023620050022
  4. Asadov, S.M. Modeling the Crystallization and Correlation of the Properties with the Composition and Particle Size in Two-Dimensional GaSxSe1 – x (0 < х < 1) / Asadov, S.M., S.N. Mustafaeva, V.F. Lukichev // Russian Microelectronics, 2020, Vol. 49, No. 6, pp. 452–465
  5. Asadov, S.M. Modifying the Dielectric Properties of the TlGaS2 Single Crystal by Electron Irradiation / Asadov, S.M., Mustafaeva, S.N., Lukichev, V.F. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (4), pp. 263-268. DOI: 10.1134/S1063739720040022
  6. Babushkin, A.S. The effect of low-energy ion bombardment on residual stress in thin metal films due to the generation of surface defects and their migration to the grain boundary // Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1695, 012194. DOI:10.1088/1742-6596/1695/1/012194
  7. Bachurin, V.I. Angular Dependences of Silicon Sputtering by Gallium Focused Ion Beam / Bachurin V.I., Zhuravlev I.V., Pukhov D.E., Rudy A.S., Simakin S.G., Smirnova M.A., Churilov A.B. // Journal of Surface Investigation. 2020. V.14. №4. P. 784-790. DOI: 10.1134/S1027451020040229

Бачурин, В.И. Угловые зависимости распыления кремния фокусированным ионным пучком галлия / Бачурин В.И., Журавлев И.В., Пухов Д.Э., Рудый А.С., Симакин С.Г., Смирнова М.А., Чурилов А.Б. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 8. С. 34-41

  1. Bantysh, B. I. Precise tomography of optical polarization qubits under conditions of chromatic aberration of quantum transformations / B. I. Bantysh, Yu. I. Bogdanov, N. A. Bogdanova, Yu. A. Kuznetsov // Laser Phys. Lett. 17 (2020), 035205 (9pp). http://doi.org/10.1088/1612-202X/ab6e72 
  2. Bantysh, B.I. Comparison of Tomography Methods for Pure and Almost Pure Quantum States / Bantysh, B.I.; Chernyavskiy, A.Yu; Bogdanov, Yu.I.// JETP Letters 2020 V.111. №9. P. 512-518. DOI: 10.1134/S0021364020090052

Бантыш, Б.И. Сравнение методов томографии чистых и почти чистых квантовых состояний / Б.И.Бантыш, А.Ю.Чернявский, Ю.И.Богданов //Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, вып. 9, с. 615 – 622 DOI: 10.31857/S1234567820090074 

  1. Belevtsev, A.M. Research of the influence of technological parameters on the electrophysical characteristics of the RF MEMS switch / Belevtsev A.M., Epaneshnikova I.K., Kruchkov V.L., Dryagin I.O., Lukichev V.F., Uvarov I.V., Boldyreff A.S. // Proceedings of SPIE, 2020, Vol. 11541 (Millimetre Wave and Terahertz Sensors and Technology XIII), 115410M. DOI: 10.1117/12.2582078 
  2. Bogdanov, Yu. I. Hyper-Poisson Photon Statistics / Bogdanov, Yu. I.; Bogdanova, N. A.; Katamadze, K. G.; Avosopyants, G. V.; Lukichev, V. F. // JETP Letters. 2020 V.111. №10. P. 543-548. DOI: 10.1134/S0021364020100069

Богданов, Ю.И. Гиперпуассоновская статистика фотонов / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, К.Г. Катамадзе, Г.В. Авосопянц, В.Ф. Лукичев //Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, вып. 10, с. 646 – 652. DOI: 10.31857/S123456782010002X 

  1. Bogdanov, Yu.I. On the Relationship between Boolean Algebra and Quantum Informatics / Bogdanov Yu. I., N. A. Bogdanova, D. V. Fastovets, V. F. Lukichev // Russian Microelectronics. 2019. Vol. 49, No. 1, DOI: 10.1134/S1063739720010047

Богданов, Ю.И. О связи булевой алгебры с квантовой информатикой / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, Д.В. Фастовец, В.Ф. Лукичев // Микроэлектроника. 2020, том 49, № 1, с. 3–17; 

  1. Buchin, E.Y. The Influence of Diffusion Barriers on the Capacitance Properties of Composite Anodes with Si–CuSi–Cu Composition / Buchin, E.Y., Mironenko, A.A., Naumov, V.V., Rudyi, A.S. // (2020) Technical Physics Letters, 46 (10), pp. 943-946. DOI: 10.1134/S106378502010003X 
  2. Cherepanov, V.M. Study of the Brownian broadening in the Mossbauer spectra of magnetic nanoparticles in colloids with different viscosities / Cherepanov V.M., Gabbasov R.R., Yurenya A.Y., Polikarpov M.A., Panchenko V.Y., Nikitin A.A., Abakumov M.A., Chuev M.A. // Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 3, pp. 398–403. DOI: 10.1134/S1063774520030074

Черепанов, В.М. Исследование броуновского уширения мессбауэровских спектров магнитных наночастиц в составе коллоидов различной вязкости / В.М. Черепанов, Р.Р. Габбасов, А.Ю. Юреня, А.А. Никитин, М.А. Поликарпов, М.А. Чуев, В.Я. Панченко // Кристаллография, 2020, T. 65, № 3, стр. 414-419. DOI: 10.31857/S0023476120030078 

  1. Cherepanov, V.M. Valence and coordination of iron with carbon in structures based on fullerene С60 according to NGR spectroscopy and EXAFS / Cherepanov V.M., Artemiev A.N., Belyaev A.D., Knyazev G.A., Yurenya A.Y., Lebedev V.T., Borisenkova A.A., Fomin E.V., Chuev M.A. // Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 3, pp. 404–408. DOI: 10.1134/S1063774520030086

Черепанов, В.М. Валентность и координация железа с углеродом в структурах на основе фуллерена С60 по данным ЯГР спектроскопии и EXAFS / В.М. Черепанов, В.Т. Лебедев, А.А. Сжогина, Э.В. Фомин, А.Н. Артемьев, А.Д. Беляев, Г.А. Князев, А.Ю. Юреня, М.А. Чуев // Кристаллография, 2020, т. 65, №3, с. 420-424. DOI: 10.31857/S002347612003008X

  1. Chuev, M.A. Mossbauer Spectroscopy of Magnetic Nanoparticles: A Historical Perspective and State of the Art // Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 3, pp. 387–392. DOI: 10.1134/S1063774520030098

Чуев, М.А. Mессбауэровская спектроскопия магнитных наночастиц: исторический ракурс и современное состояние. Кристаллография, 2020, т. 65, №3, с. 402-408. DOI: 10.31857/S0023476120030091

  1. Chuev, M.A. Theoretical Approach to Analysis of X-Ray Grazing-Incidence Diffraction from 2D Crystals / M.A. Chuev, G.V. Prutskov, N.N. Novikova, E.M. Pashaev, O.V. Konovalov, N.D. Stepina, A.V. Rogachev, S.N. Yakunin // Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 5, pp. 772–778. https://doi.org/10.1134/S1063774520050041

Чуев, М.А. Теоретический формализм для анализа дифракционного рассеяния рентгеновского излучения на двумерных кристаллах / М.А. Чуев, Г.В. Пруцков, Н.Н. Новикова, Э.М. Пашаев, О.В. Коновалов, Н.Д. Степина, А.В. Рогачев, С.Н. Якунин // Кристаллография, 2020, т. 65, №5, с. 800-807. DOI: 10.31857/S0023476120050045 

  1. Doludenko, I.M. Nanowires Made of FeNi and FeCo Alloys: Synthesis, Structure, and Mossbauer Measurements / I.M. Doludenko, D.L. Zagorskii, K.V. Frolov, I.V. Perunov, M.A. Chuev, V.M. Kanevskii, N.S. Erokhina, S.A. Bedin // Physics of the Solid State, 2020, Vol. 62, No. 9, pp. 1639–1646. DOI: 10.1134/S1063783420090061

Долуденко, И.М. Нанопроволоки из сплавов FeNi и FeCo: синтез, структура и мёссбауэровские спектры / И.М. Долуденко, Д.Л. Загорский, К.В. Фролов, И.В. Перунов, M.A. Чуев, B.M. Каневский, H.C. Ерохина, С.А. Бедин // Физика твердого тела, 2020, т. 62, вып. 9, 1474-1481. DOI: 10.21883/FTT.2020.09.49772.04H 

  1. Filippov, S. N. Operational restrictions in general probabilistic theories. / S. N. Filippov, S. Gudder, T. Heinosaari, L. Leppajarvi. // Foundations of Physics (2020), том 50, стр. 850-876, входит и в WoS, и в Scopus, DOI: https://doi.org/10.1007/s10701-020-00352-6 
  2. Filippov, S. N. Quantum master equations for a system interacting with a quantum gas in the low-density limit and for the semiclassical collision model / S.N.Filippov, G.N.Semin, A.N.Pechen // Physical Review A (2020), том 101, стр. 012114. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevA.101.012114 
  3. Zhang, H. On Raman scattering cross section ratio of amorphous to nanocrystalline germanium / Hao Zhang, Kochubei S.A., Popov A.A., Volodin V.A. // Solid State Communications, v. 313 (2020), 113897. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2020.113897 
  4. Katamadze, K.G. Multimode thermal states with multiphoton subtraction: Study of the photon-number distribution in the selected subsystem / Katamadze, K.G.,Avosopiants, G.V., Bogdanova, N.A., Bogdanov, Yu.I., Kulik, S.P. // Physical Review A. 101, 013811 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevA.101.013811 
  5. Khramov, E.V. XAFS and TEM Investigation of Nanocluster Formation in 64Zn+ Ion-Implanted and Thermo-Oxidized SiO2 Film / Khramov, E.V., Privezentsev, V.V., Palagushkin, A.N., Shcherbachev, K.D., Tabachkova, N.Y. // (2020) Journal of Electronic Materials, 49 (12), pp. 7343-7348. DOI: 10.1007/s11664-020-08454-7

Храмов, Е.В. Исследование методом XAFS-спектроскопии термически окисленного сапфира, имплантированного ионами цинка / Храмов Е.В., Привезенцев В.В., Палагушкин А.Н. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 11. С. 24-29. DOI: DOI: 10.31857/S1028096020110060 

  1. Khramov, E.V. XAFS Study of Thermally Oxidated Sapphire Implanted with Zinc Ions. / Khramov, E.V., Privezentsev, V.V. & Palagushkin, A.N. // J.Surf. Investig. 14, 1133–1138 (2020). https://doi.org/10.1134/S1027451020060063

Храмов, Е.В. Исследование методом XAFS-спектроскопии термически окисленного сапфира, имплантированного ионами цинка / Храмов Е.В., Привезенцев В.В., Палагушкин А.Н. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 11. С. 24-29. DOI: DOI: 10.31857/S1028096020110060 

  1. Kirnos, V. Micro-machined Vibrating Ring Gyroscope Testing / Kirnos V., Vagachev A., Morozov O. // ITNT, IEEE Xplore/ 26th Conference of Open Innovations Association (FRUCT), 20-24 April 2020 , Yaroslavl, Russia. pp. 182-187. DOI: 10.23919/FRUCT48808.2020.9087387 
  2. Kolchin, A.V. Femtosecond Laser Annealing of Multilayer Thin-Film Structures Based on Amorphous Germanium and Silicon / Kolchin A.V., Shuleiko D.V., Pavlikov A.V., Zabotnov S.V., Golovan L.A., Presnov D.E., Volodin V.A., Krivyakin G.K., Popov A.A., Kashkarov P.K. // Technical Physics Letters. 2020. v.46. p.560–563 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020060048

Колчин, А.В. Фемтосекундный лазерный отжиг многослойных тонкопленочных структур на основе аморфных германия и кремния / Колчин А.В., Шулейко Д.В., Павликов А.В., Заботнов С.В., Головань Л.А., Преснов Д.Е., Володин В.А., Кривякин Г.К., Попов А.А., Кашкаров П.К. // Письма в журнал технической физики. 2020, выпуск 11, стр. 43 

  1. Krivyakin, G.K. Effect of Interfaces and Thickness on the Crystallization Kinetics of Amorphous Germanium Films / Krivyakin G.K., Volodin V.A., Kamaev G.N., Popov A.A. // Semiconductors. 2020. v.54, p.754–758 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620070040

Кривякин, Г.К. О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия / Кривякин Г.К., Володин В.А., Камаев Г.Н., Попов А.А. //Физика и техника полупроводников. 2020, №. 7, C. 643 

  1. Lomov, A.A. Structural Perfection and Composition of Gallium-Doped Thermomigration Silicon Layers / Lomov A.A., Seredin B.M., Martyushov S.Yu., Zaichenko A.N., Simakin S.G., Shul’pina I.L. // Technical Physics Letters, v. 46, p.279–282 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020030268

Ломов, А.А. Структурное совершенство и состав легированных галлием термомиграционных слоев кремния / Ломов А.А., Середин Б.М., Мартюшов С.Ю., Заиченко А.Н., Симакин С.Г., Шульпина И.Л. // Письма в журнал технической физики, 2020, выпуск 6, стр. 27 

  1. Luchnikov, I.A. Machine learning non-Markovian quantum dynamics / I. A. Luchnikov, S. V. Vintskevich, D. A. Grigoriev, S. N. Filippov // Physical Review Letters (2020), т.124, С.140502, DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.124.140502 
  2. Lyubutin, I.S. Spiral magnetic structures with various helix parameters in langasite family compounds tested by Mossbauer spectroscopy / I.S. Lyubutin, M.A. Chuev, S.S. Starchikov, K.O. Funtov, M.V. Lyubutina // J. Magn. Magn. Mater., 2020, v. 504, 166665 (1-5). https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2020.166665 
  3. Makhviladze, T.M. Effect of Point Defects on the Electromigration Rate at the Interface of Joined Materials / T. M. Makhviladze, M. E. Sarychev // Russian Microelectronics Pub Date : 2021-01-27 , DOI: 10.1134/s1063739720050054 
  4. Makoviichuk, M.I. Flicker-noise processes in structurally-disordered silicon systems. // Annali d`Italia. – 2020. – № 10, part 1. – P. 26 – 39 
  5. Marukhin, N.V. An improved design of a seesaw-type MEMS switch for increased contact force / Marukhin N.V., Uvarov I.V. // Journal of Physics: Conference Series, 2020, Vol. 1695, 012157. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012157 
  6. Melnikov, A.A. Deep neural networks classifying transfer efficiency in complex networks / Melnikov, A.A., L.E.Fedichkin, R.K.Lee, A.Alodjants // IEEE 2020 Opto-Electronics and Communications Conference (OECC), Taipei, Taiwan, 2020, pp. 1-3, doi: 10.1109/OECC48412.2020.9273550 
  7. Melnikov, A.A. Machine Learning Transfer Efficiencies for Noisy Quantum Walks / Melnikov, A.A.; Fedichkin, L.E.; Lee, Ray-Kuang; Alodjants, A. // Advanced quantum technologies. 2020 V.3. № 4, 1900115, DOI: 10.1002/qute.201900115 
  8. Melnikov, A.A. On training a classifier of hitting times for quantum walks / Melnikov, A.A., Fedichkin, L.E., Alodjants, A. // (2020) AIP Conference Proceedings, 2241, № 020029. DOI: 10.1063/5.0011365 
  9. Miakonkikh, A. The effect of a damaged surface layer on the conductivity of Si nanowires made by direct plasma etching on SOI wafer / A.Miakonkikh, K.Rudenko, A.Rogozhin, A.Tatarintsev // Publisher: IEEE _In: Proceedings of Fifth Joint International EuroSOI-ULIS 2019 Conference, Grenoble France, 01-03 April, 2019. DOI: 10.1109/EUROSOI-ULIS45800.2019.9041909 
  10. Mordvintsev, V.M. Influence of Oxygen Pressure on Switching in Memoristors Based on Electromoformed Open Sandwich Structures / Mordvintsev V.M., Gorlachev E.S., Kudryavtsev S.E., Levin V.L. // Russian Microelectronics, v.49, p.269–277 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720040058

Мордвинцев, В.М. Влияние давления кислорода на переключения в мемристорах на основе электроформованных открытых “сэндвич”-структур / Мордвинцев В.М., Горлачев Е.С., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. // Микроэлектроника, 2020, Том 49, № 4, с. 287-296

  1. Mozhaev, P.B. Graphoepitaxial growth of CeO2 thin films on tilted-axes NdGaO3 substrates by pulsed laser deposition / P.B. Mozhaev, J.E. Mozhaeva, I.K. Bdikin, I.M. Kotelyanskii, V.A. Luzanov, J.Bindslev Hansen, C.S. Jacobsen // NANOMATERIALS SCIENCE & ENGINEERING. Vol. 2, No. 2, pp. 57-73 (2020). https://doi.org/10.34624/nmse.v2i2.9967
  2. Ozhigov, Yu.I. Quantum gates on asynchronous atomic excitations / (2020) Quantum Electronics, 50 (10), pp. 947-950. DOI: 10.1070/QEL17320
  3. Pakhomchik, A.I. Realization of the Werner–Holevo and Landau–Streater quantum channels for qutrits on quantum computers / A. I. Pakhomchik, I. Feshchenko, A. Glatz, V. M. Vinokur, A. V. Lebedev, S. N. Filippov, G. B. Lesovik. // Journal of Russian Laser Research (2020), Т.41, рр. 40-53. DOI: https://doi.org/10.1007/s10946-020-09846-0
  4. Permiakova, O. Ensemble Monte-Carlo simulation of resistive switching in HfO2/TaN/TiN stack / Permiakova, O., A.Miakonkikh, K.Rudenko, A.Rogozhin // ITNT, IEEE Conf., 2020 International Conference on Information Technology and Nanotechnology (ITNT), Samara, Russia, 2020, pp. 1-4, DOI: 10.1109/ITNT49337.2020.9253276
  5. Permyakova, O.O. Simulation of Resistive Switching in Memristor Structures Based on Transition Metal Oxides / Permyakova, O.O., Rogozhin, A.E. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (5), pp. 303-313. DOI: 10.1134/S106373972004006X
  6. Permyakova, O.O. The effect of plasma immersion ion implantation of Ne+ or Ar+ or Kr+ on the forming voltage of the resistive switching in the structure Ni/Pt/HfO2(10nm)/TaN(5nm)/TiN / O.O.Permyakova, A.V.Miakonkikh, K.V.Rudenkoя, A.E.Rogozhin // 2020 J. Phys.: Conf. Ser. 1695 012009. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012009
  7. Polyakov, A. Y. Anisotropy of hydrogen plasma effects in bulk n-type ?-Ga2O3 / A.Y.Polyakov, In-Hwan Lee, A.Miakonkikh, A.V.Chernykh, N.B.Smirnov, I.V.Shchemerov, A.I.Kochkova, A.A.Vasilev, S.J.Pearton // Journal of Applied Physics. 2020. 127, 175702 DOI: 10.1063/1.5145277
  8. Ponomarev, D.S. Sub-terahertz FET detector with self-assembled Sn-nanothreads / D.S. Ponomarev, D.V.Lavrukhin, A.E.Yachmenev, R.A.Khabibullin, I.Semenikhin, V Vyurkov, K.Marem’yanin, V.I.Gavrilenko, M.Ryzhii, M.Shur, T.Otsuji and V.Ryzhii // Journal of Physics D: Applied Physics, 2020. V. 53, N.7. – DOI: 10.1088/1361-6463/ab588f
  9. Popov, V.P. Hafnia and alumina stacks as UTBOXs in silicon-on insulator structures. / Popov V.P., Antonov V.A., Tyschenko I.E., Vdovin V.I., Gutakovskii A.K., Miakonkikh A.V., Rudenko K.V. // Sol. State Electron. 2020. V.168. N107734. DOI:10.1016/j.sse.2019.107734
  10. Postnikov, A.V. Collapse Dynamics of Hemispherical Cavitation Bubble in Contact with a Solid Boundary // Fluid Dynamics, v.55, p.454–464 (2020). DOI: 10.1134/S0015462820040096

Постников, А.В. Динамика коллапса полусферического кавитационного пузырька в контакте с твердой границей. Известия Академии наук СССР. Механика жидкости и газа. 2020. № 4. С.24-34

  1. Prigara, V. The Effect of Quartz Window on Bistability of the Silicon Wafer in Lamp-Based Reactor / Prigara, V., Kupriyanov, A., Ovcharov, V. // Journal of Materials Science and Chemical Engineering, (2020) 8, 54-65. DOI: 10.4236/msce.2020.81006
  2. Privezentsev, V.V. Structure, Composition, and Properties of Zn- and O-Ion Implanted Silicon at Elevated Temperatures / Privezentsev V.V., Sergeev A.P., Kulikauskas V.S., Kiselev D.A., Trifonov A.Y., Tereshchenko A.N. // Semiconductors. 2020. V.54. Is.12. P. 1650-1656. DOI: 10.1134/S1063782620120313
  3. Privezentsev, V.V. Nanoparticle Formation in Zinc-Ion-Implanated Quartz Upon Oxidation at Elevated Temperatures / Privezentsev, V.V.; Palagushkin, A.N.; Kulikauskas, V.S.; Zilova, O.S.; Burmistrov, A.A.; Kiselev, D.A.; Ilina, T.S.; Tereshchenko, A.N.; Golubkin, A.V.; Trifonov, A.Yu. // Journal of Surface Investigation. 2020. V.14. №5. P.1072-1080. DOI: 10.1134/S1027451020050377
  4. Prokaznikov, A.V. Study of the Magneto-Optical Properties of Structures on Curved Surfaces for Creating Memory Elements on Magnetic Vortices / Prokaznikov A.V., Paporkov V.A. // Russian Microelectronics, v.49, p. 358–371 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720040071

Проказников, А.В. Исследование магнитооптических свойств структур на искривленных поверхностях для разработки элементов памяти на магнитных вихрях / Проказников А.В., Папорков В.А. //Микроэлектроника, 2020. Т.49. № 5. С. 380-394

  1. Pukhov, D.E. Taking into Account the Surface Roughness in the Electron-Probe Energy-Dispersive Analysis of Powder Materials / Pukhov D.E., Lapteva A.A. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2020. V.14. №5. P. 889-898. DOI: 10.1134/S1027451020050146

Пухов, Д.Е. Учет неровности поверхности при электронно-зондовом энергодисперсионном анализе материалов в виде порошков / Пухов Д.Э., Лаптева А.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 9. С. 28-38

  1. Qviller, A. J. Scaling Behavior of Quasi-One-Dimensional Vortex Avalanches in Superconducting Films / A.J.Qviller, T.Qureishy, Y.Xu, H. Suo, P.B.Mozhaev, J.B.Hansen, J.I.Vestgarden, T.H.Johansen, P.Mikheenko // Scientific Reports .(2020) 10:5641 | https://doi.org/10.1038/s41598-020-62601-y –
  2. Rasool, S. Annealing and plasma treatment effect on structural, morphological and topographical properties of evaporated ?-In2S3 films. / Rasool S., Saritha K., Reddy K.T.R., Tivanov M.S., Gremenok V.F., Zimin S.P., Pipkova A.S., Mazaletskiy L.A., Amirov I.I. // Materials Research Express. 2020. Т. 7. № 1. С. 016431. DOI: 10.1088/2053-1591/ab6a5b
  3. Rezvanov, A.A. Effect of terminal methyl group concentration on critical properties and plasma resistance of organosilicate low-k dielectrics / Rezvanov, A.A., Miakonkikh, A.V., Seregin, D.S., Vishnevskiy, A.S., Vorotilov, K.A., Rudenko, K.V., Baklanov, M.R. // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 2020, 38 (3), art. no. 033005. DOI: 10.1116/1.5143417
  4. Rogachev, M.C. Single-photon response and microdisk spectroscopy in a diamond substrate / Rogachev M.C., Kateev I.Yu., Tsukanov A.V. // Russian Microelectronics. 2020. V. 49. №4. P. 243-250. DOI: 10.1134/S1063739720040083

Рогачев, М.С. Однофотонный отклик и спектроскопия микродиска в алмазной подложке / М.С. Рогачев, И.Ю. Катеев, А.В. Цуканов // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. №4. С. 243-250. DOI: 10.31857/S0544126920040080

  1. Rogozhin, A.E. E-Beam Lithography Simulation Techniques / Rogozhin, A.E., Sidorov, F.A. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (2), pp. 108-122. DOI: 10.1134/S1063739720010096

Рогожин, А.Е. Моделирование процессов электронно-лучевой литографии / Рогожин А.Е., Сидоров Ф.А. // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 2. С. 116-132 DOI: 10.31857/S0544126920010093

  1. Rudyi, A.S. A Solid-State Lithium-Ion Battery: Structure, Technology, and Characteristics / Rudyi A.S., Mironenko A.A., Naumov V.V., Skundin A.M., Kulova T.L., Fedorov I.S., Vasil’ev S.V. // Technical Physics Letters, v.46, p.215–219 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020030141

Рудый, А.С. Твердотельный литий-ионный аккумулятор: структура, технология и характеристики / Рудый А.С., Мироненко А.А., Наумов В.В., Скундин А.М., Кулова Т.Л., Федоров И.С., Васильев С.В. // Письма в журнал технической физики, 2020, №5, стр. 15

  1. Rudyi, A.S. Study of the Relaxational Polarization Dynamics of the LiPON Solid Electrolyte / Rudyi A.S., Lebedev M.E., Mironenko A.A., Mazaletskii L.A., Naumov V.V., Novozhilova A.V., Fedorov I. S., Churilov A.B. // Russian Microelectronics, volume 49, pages 345–357 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720040095

Рудый, А.С. Исследование динамики релаксационной поляризации твердого электролита LiPON / Рудый А.С., Лебедев М.Е., Мироненко А.А., Мазалецкий Л.А., Наумов В.В., Новожилова А.В., Федоров И.С., Чурилов А.Б. // Микроэлектроника, 2020, Том 49, № 5, с. 366-379

  1. Savinskii, N.G. Analyzing Products of the Electrochemical Exfoliation of Graphite via Rutherford Backscattering and X-Ray Diffractometry / Savinskii N.G., Melesov N.S., Parshin E.O., Vasiliev S.V., Bachurin V.I., Churilov A.B. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2020, Vol. 84, No. 6, pp. 732–735. DOI: 10.3103/S1062873820060222

Савинский, Н.Г. Анализ продуктов электрохимической эксфолиации графита методами резерфордовского обратного рассеяния и ренгеновской дифрактометрии / Савинский Н.Г., Мелесов Н.С., Паршин Е.О., Васильев С.В., Бачурин В.И., Чурилов А.Б. // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2020. Т. 84. №. 6. С. 887-891

  1. Selyukov, R.V. The Influence of Film Thickness on the Annealing-Induced Changes of Texture and of the Fraction of Crystalline Phase in Pt Films / Selyukov R.V., Naumov V.V. // Technical Physics, v.65, p.762–770 (2020). DOI: 10.1134/S1063784220050229

Селюков, Р.В. Влияние толщины пленки Pt на изменение текстуры и доли кристаллической фазы при ее отжиге / Селюков Р.В., Наумов В.В. // Журнал технической физики, 2020, выпуск 5, стр. 795

  1. Selyukov, R.V. The Influence of Low-Energy Ion-Plasma Treatment on the Surface Morphology of Pt Films with Varying Strength of Crystalline Texture / Selyukov R.V., Izyumov M.O., Naumov V.V. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, volume 14, pages 777–783 (2020).DOI:10.1134/S1027451020040321

Селюков, Р.В. Влияние низкоэнергетической ионно-плазменной обработки на морфологию поверхности пленок Pt с различной остротой кристаллической текстуры / Селюков Р.В., Изюмов М.О., Наумов В.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 8. С. 26-33. DOI:10.31857/S1028096020080142

  1. Semenikhin, I. The spectral element method for the solution of Maxwell’s equations // J. Phys.: Conf. Ser., Vol. 1461, 012151 (2020), DOI: https://doi.org/10.1088/1742-6596/1461/1/012151
  2. Shlepakov, P.S. Choosing the electrode material for the fast electrochemical actuator / Shlepakov P.S., Uvarov I.V., Naumov V.V., Svetovoy V.B. // Journal of Physics: Conference Series, 2020, Vol. 1695, 012155. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012155
  3. Shumilov, A.S. Profile Evolution of Silicon Nanostructures in Argon-Plasma Sputtering / Shumilov A.S., Amirov I.I. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, volume 14, pages 935–943 (2020). DOI: 10.1134/S1027451020050195

Шумилов, А.С. Эволюция профиля Si наноструктур при распылении в аргоновой плазме ВЧИ разряда / Шумилов А.С., Амиров И.И. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 9. С. 80-88

  1. Sidorov, F. Direct Monte-Carlo simulation of dry e-beam etching of resist / Sidorov, F.; Rogozhin, A.; Bruk, M.; Zhikharev, E. // Microelectronic Engineering 2020 V.227. 111313. DOI: 10.1016/j.mee.2020.111313
  2. Sidorov, F. New microscopic approach to e-beam lithography simulation / Sidorov, F., A. Rogozhin // ITNT, IEEE Conf., 2020, pp. 1-4, DOI: 10.1109/ITNT49337.2020.9253231
  3. Sidorov, F.A. Microscopic simulation of e-beam induced PMMA chain scissions with temperature effect / F.A.Sidorov, A.E.Rogozhin // J. Phys.: Conf. Ser. 2020. V.1695. 012202. – 7th International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2020”: Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012202
  4. Smirnova, E.A. Atomic layer deposition of Ruthenium on different interfaces for an advanced metallization system of ICs / E.A.Smirnova, A.V.Miakonkikh, A.E.Rogozhin, K.V.Rudenko // J. Phys.: Conf. Ser. 2020. V.1695. 7th International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2020”: Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012045
  5. Svetovoy, V.B. Explosion of Microbubbles Generated by the Alternating Polarity Water Electrolysis / Svetovoy V.B., Prokaznikov A.V., Postnikov A.V., Uvarov I.V., Palasantzas G. // Energies, 2020, 13(1), 20. https://doi.org/10.3390/en13010020
  6. Svetovoy, V.B. Measuring the dispersion forces near the van der Waals–Casimir transition / Svetovoy V.B., Postnikov A.V., Uvarov I.V., Stepanov F.I., Palasantzas G. // Physical Review Applied, 2020, Vol. 13, 064057. DOI: 10.1103/PhysRevApplied.13.064057
  7. Tatarintsev, A.A. The Effect of Temperature on the Development of a Contrast HSQ Electronic Resist / Tatarintsev, A.A., Shishlyannikov, A.V., Rudenko, K.V., Rogozhin, A.E., Ieshkin, A.E. // (2020) Russian Microelectronics, 49 (3), pp. 151-156. DOI: 10.1134/S1063739720030063
  8. Татаринцев, А.А. Влияние температуры проявления на контраст электронного резиста HSQ / Татаринцев А.А., Шишлянников А.В., Руденко К.В., Рогожин А.Е., Иешкин А.Е. // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 3. С. 163-169. DOI: 10.31857/S0544126920030060
  9. Tolstoguzov, A.B. Influence of the Finite-Size Effect on the Cluster Ion Emission of Silicon Nanostructures / Tolstoguzov A.B., Drozdov M.N., Ieshkin, A.E., Tatarintsev A.A., Myakon’kikh A.V., Belykh S.F., Korobeishchikov N.G., Pelenovich V.O., Fu D.J. // JETP Letters, 2020, 111 (8), pp. 467-471. DOI: 10.1134/S0021364020080123
  10. Tsukanov, A.V. Polarization converter of single photons on a two-dimensional quantum dot in an optical microresonator / A.V. Tsukanov, I.Yu. Kateev // Laser Phys. Lett. 2020. V. 17. No. 11. P. 115204. DOI: 10.1088/1612-202X/abbf46

Цуканов, А.В. Поляризационный преобразователь на квантовой точке в оптомеханическом резонаторе / А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев// Квант. электроника. 2020. Т. 50. №3. С. 291-298

  1. Tsukanov, A.V. Quantum chip with the optimized tunnel structure for measuring a charge qubit based on a double quantum dot / Tsukanov A.V., Kateev I.Yu. // Russian Microelectronics. 2020. V. 49. №2. P. 83-100. DOI: 10.1134/S1063739720020080

Цуканов, А.В. Квантовый чип с оптимизированной туннельной структурой для измерения зарядового кубита на двойной квантовой точке / А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. №2. С. 83-100. DOI: 10.31857/S0544126920020088

  1. Tsukanov, A.V. Quantum dot polarisation converter in an optomechanical cavity / A V Tsukanov, I Yu Kateev // QUANTUM ELECTRONICS. 2020. Т.50. №3. С.291-298. DOI: 10.1070/QEL17182

Цуканов, А.В. Поляризационный преобразователь на квантовой точке в оптомеханическом резонаторе / А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев // Квант. электроника. 2020. Т. 50. №3. С. 291-298. DOI: 10.1070/QEL17182

  1. Tsukanov, A.V.Measurements of quantum dot level populations using an optical waveguide // Quantum Electronics(2021), 51 (1):84. DOI:10.1070/QEL17441

Цуканов, А.В. Измерение заселенности квантовой точки с помощью оптического волновода // Квантовая электроника, 2021,Т.51, №1, С.84–94

  1. Uvarov, I.V. Calculation of Performance of MEMS-Switch with Increased Capacitance Ratio / Uvarov I.V., Marukhin N.V., Shlepakov P.S., Lukichev V.F. // Russian Microelectronics, v. 49, pages 253–262 (2020). DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739720040113

Уваров, И.В., Марухин Н.В., Шлепаков П.С., Лукичев В.Ф. Расчет рабочих характеристик МЭМС-переключателя с увеличенным отношением емкостей. Микроэлектроника, 2020, Том 49, № 4, с. 271-280. DOI: 10.31857/S0544126920040110

  1. Uvarov, I.V. Improving the performance of the fast electrochemical actuator. / Uvarov I.V., Melenev A.E., Selyukov R.V., Svetovoy V.B. // Sensors and Actuators A: Physical, 2020, Vol. 315, 112346. DOI: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112346
  2. Uvarov, I.V. Testing of aluminium and its alloys as structural materials for a MEMS switch / Uvarov I.V., Selyukov R.V., Naumov V.V. // Microsystem Technologies, 2020, DOI 10.1007/s00542-020-04748-2
  3. Vakulov, Z. Oxygen pressure influence on properties of nanocrystalline linbo3 films grown by laser ablation / Vakulov Z., Zamburg E., Khakhulin D., Geldas, A., Golosov D.A., Zavadski S.M., Miakonkikh A.V., Rudenko K.V., Dostanko A.P., He Z., Ageev O.A. // Nanomaterials, 2020, 10 (7), art. no. 1371, pp. 1-13. DOI: 10.3390/nano10071371
  4. Victorova, N.B. Quasi-Classical Description of the “Quantum Bottleneck” Effect for Thermal Relaxation of an Atom in a Resonator / Victorova, N.B., Kulagin, A.V., Ozhigov, Y.I. // (2020) Computational Mathematics and Modeling, 31 (1). DOI: 10.1007/s10598-020-09470-2
  5. Yurenya, A.Yu. Studying the Effect of Brownian Motion on the Mossbauer Spectra of Nanoparticles in a Medium Simulating Cell Cytoplasm / A.Yu. Yurenya, A.A. Nikitin, R.R. Gabbasov, M.A. Polikarpov, V.M. Cherepanov, M.A. Chuev, M.A. Abakumov, V.Ya. Panchenko // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2020, Vol. 84, No. 11, pp. 1399–1402. DOI: 10.3103/S1062873820110295

Юреня, А.Ю.Исследование влияния броуновской диффузии на мессбауэровские спектры наночастиц в среде, моделирующей клеточную цитоплазму. / А.Ю. Юреня, А.А. Никитин, Р.Р. Габбасов, М.А. Поликарпов, В.М. Черепанов, М.А. Чуев, М.А. Абакумов, В.Я. Панченко // Изв. РАН. Сер. физ., 2020, т. 84, № 11, с. 1638–1642. DOI: 10.31857/S0367676520110320 

  1. Yurenya, A.Yu. Synthesis and In Vitro Study of the Biodegradation Resistance of Magnetic Nanoparticles Designed for Studyingthe Viscoelasticity of Cytoplasm. / A.Yu. Yurenya, R.R. Gabbasov, A.A. Nikitin, V.M. Cherepanov, M.A. Polikarpov, M.A. Chuev, M.A. Abakumov, A.G. Majouga, and V.Ya. Panchenko // Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 3, pp. 381–386. DOI: 10.1134/S1063774520030359

Юреня, А.Ю. Синтез и in vitro исследование устойчивости к биоразложению магнитных наночастиц, предназначенных для исследования вязкоэластичных свойств цитоплазмы / А.Ю. Юреня, Р.Р. Габбасов, А.А. Никитин, В.М. Черепанов, М.А. Поликарпов, М.А. Чуев, М.А. Абакумов, А.Г. Мажуга, В.Я. Панченко. // Кристаллография, 2020, т. 65, №3, с. 395-401. DOI: 10.31857/S0023476120030364 

  1. Zimin, S.P. Surface Modification of Pb 1 – x Sn x Se Films during Plasma Treatment Near the Sputtering Threshold / S.P.Zimin, I.I.Amirov, V.V.Naumov, K.E.Guseva // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. Pub Date : 2020-12-28 , DOI: 10.1134/s1027451020050213

Зимин, С.П. Модификация поверхности пленок Pb1–xSnxSe при плазменной обработке вблизи порога распыления / Зимин С.П., Амиров И.И., Наумов В.В., Гусева К.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 11. С. 68-73. DOI: 10.31857/S1028096020090216

  1. Авосопянц, Г.В. Характеризация параметров линейно-оптических схем посредством корреляционных измерений тепловых полей / Авосопянц Г.В., Романова А.В., Катамадзе К.Г., Богданов Ю.И., Кулик С.П. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 668-670. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.668.670
  2. Асадов, M.M. Ab initio расчеты электронных свойств и явления переноса в графеновых материалах / M.M. Асадов, С.Н. Мустафаева, С.C.Гусейнова , В.Ф. Лукичев // Физика твердого тела.2020. Т. 62. В.11. С.1975. DOI: 10.21883/FTT.2020.11.50078.122
  3. Бантыш, Б.И. Квантовая томография ионных кудитов / Бантыш Б.И., Богданов Ю.И. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 666-667. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.666.667
  4. Бантыш, Б.И. Прецизионная томография квантовых состояний в условиях нечетких квантовых измерений / Б.И. Бантыш, Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, Ю.А. Кузнецов // Труды Физико-технологического института – гл. ред. В.Ф. Лукичёв ; Физико-технологич.ин-т им. К.А. Валиева РАН. – М. : Наука, 2020 – . – ISSN 0868-7129. – T. 29: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Ю.И. Богданов. – 2020. – 103 с. – ISBN 978-5-02-040808-1. – Тираж 500 экз. – DOI: 10.7868/9785020408081. С.18-42
  5. Бантыш, Б.И. Сравнение методов томографии чистых и почти чистых квантовых состояний / Б.И.Бантыш, А.Ю.Чернявский, Ю.И.Богданов //Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, вып. 9, с. 615 – 622 DOI: 10.31857/S1234567820090074
  6. Богданов, Ю. И. Томография сверхпроводниковых квантовых операций с гарантированной точностью / Богданов Ю. И., Бантыш Б. И., Лукичев В.Ф., Беседин И. С., Рязанов В.В. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 658-660. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.658.660
  7. Богданов, Ю.И. Гиперпуассонов-ская статистика фотонов / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, К.Г. Катамадзе, Г.В. Авосопянц, В.Ф. Лукичев //Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, вып. 10, с. 646 – 652. DOI: 10.31857/S123456782010002X
  8. Богданов, Ю.И. Квантовый подход к моделированию классических динамических систем / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, Д.В. Фастовец, В.Ф. Лукичев // Труды Физико-технологического института / гл. ред. В.Ф. Лукичёв ; Физико-технологич.ин-т им. К.А. Валиева РАН. – М. : Наука, 2020 – . – ISSN 0868-7129. – T. 29: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Ю.И. Богданов. – 2020. – 103 с. – ISBN 978-5-02-040808-1. – Тираж 500 экз. – DOI: 10.7868/9785020408081. с. 3-16
  9. Богданов, Ю.И. Томография квантовых систем в условиях ограниченной статистической устойчивости / Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичев // Труды Физико-технологического института – гл. ред. В.Ф. Лукичёв ; Физико-технологич.ин-т им. К.А. Валиева РАН. – М. : Наука, 2020 – . – ISSN 0868-7129. – T. 29: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Ю.И. Богданов. – 2020. –103 с. – ISBN 978-5-02-040808-1. – Тираж 500 экз. – DOI: 10.7868/9785020408081. с.43-57
  10. Богданова, Н.А. Прецизионный контроль эволюции состояний кудитов / Богданова Н.А., Богданов Ю.И., Кузнецов Ю.А., Дмитриев И.А., Лукичев В.Ф. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 661-662. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.661.662
  11. Бучин, Э.Ю. Активирующая роль бора при ионном синтезе КНИ-структур со скрытым силикатным слоем / Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И. // Научный электронный журнал “Меридиан” 2020. Выпуск №7 (41), стр. 291-293
  12. Бучин, Э.Ю. Влияние диффузионных барьеров на емкостные свойства композитных анодов состава Si-CuSi-Cu / Бучин Э.Ю., Мироненко А.А., Наумов В.В., Рудый А.С. // Письма в журнал технической физики, 2020, т.46, вып.19, стр. 3. DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50034.18389
  13. Денисенко, Ю.И. Дефектно-примесное наноструктурирование кремния с помощью отжига в неизотермическом реакторе. Научный электронный журнал “Меридиан”, 2020. Выпуск №6 (40), стр. 285-287
  14. Катамадзе, К.Г. Томография оптической однокубитной квантовой памяти / Катамадзе К.Г., Бантыш Б. И., Богданов Ю. И., Герасимов К. И., Миннегалиев М. М., Сабиров Т.Н., Моисеев С. А. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 663-665. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.663.665
  15. Махвиладзе, Т.М. Влияние точечных дефектов на скорость электромиграции по границе соединенных материалов / Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 6. С. 450-458. DOI: 10.31857/S0544126920050051
  16. Орлов, А.А. Исследование процесса формирования линий в пористых диэлектриках для системы металлизации с проектными нормами 28 нм и ниже / Орлов А.А., Резванов А.А., Мяконьких А.В. // Наноиндустрия. 2020. № S96-2. С. 684-687. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.3s.684.687
  17. Пащенко, А.В. Источник бифотонного поля со сверхшироким спектром на основе жесткой фокусировки в эффективно тонком кристалле / Пащенко А.В., Катамадзе К.Г., Кулик С.П. // Наноиндустрия. 2020. Т.13. № S4 (99). С. 700-701 DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.700.701
  18. Самойленко, С.Р. Сверхразрешение оптических изображений за счет совместного измерения статистики фотонов в нескольких пространственных модах / Самойленко С.Р., Бантыш Б.И., Катамадзе. К.Г., Богданов Ю.И., Кулик С. П. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 697-699. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.697.699
  19. Скундин, А.М. Аморфизация оксидов ванадия при обратимом внедрении лития / Скундин А.М., Мироненко А.А., Рудый А.С., Федоров И.С., Васильев С.В., Мазалецкий Л.А., Торцева Ю.С., Кузнецов О.Е. // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 6. С. 442-449. DOI: 10.31857/S0544126920050099
  20. Фастовец, Д. В. Анализ квантовых измерений на основе методов машинного обучения / Фастовец Д. В., Богданов Ю. И., Лукичев В. Ф. // Тезисы докладов Международного Форума «Микроэлектроника- 2020», 28 сентября – 3 октября 2020, Республика Крым, г. Ялта. Наноиндустрия. Спецвыпуск 2020 (4s, том 13 (99)), с. 673-675. DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.673.675
  21. Цуканов, А.В. Измерение зарядового кубита с помощью одноэлектронного транзистора на тройной квантовой точке // Труды Физико-технологического института / гл. ред. В.Ф. Лукичёв ; Физико-технологич.ин-т им. К.А. Валиева РАН. – М. : Наука, 2020 – . – ISSN 0868-7129. – T. 29: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Ю.И. Богданов. – 2020. –103 с. – ISBN 978-5-02-040808-1. – Тираж 500 экз. – DOI: 10.7868/9785020408081. С. 58-75
  22. Цуканов, А.В. Поляризационный преобразователь на квантовой точке в оптомеханическом резонаторе / А.В. Цуканов, И.Ю. Катеев // Труды Физико-технологического института / гл. ред. В.Ф. Лукичёв ; Физико-технологич.ин-т им. К.А. Валиева РАН. – М. : Наука, 2020 – . – ISSN 0868-7129. – T. 29: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование / отв. ред. Ю.И. Богданов. – 2020. –103 с. – ISBN 978-5-02-040808-1. – Тираж 500 экз. – DOI: 10.7868/9785020408081. С. 76-90

Конференции:

  1. Babushkin, A.S. The effect of low-energy ion bombardment on residual stress in thin metal films due to the generation of surface defects and their migration to the grain boundary // 7th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint-Petersburg OPEN 2020” (April 27 – 30): Book of abstracts. St. Petersburg, Russia. 2020. P. 519-520 
  2. Kirnos, V. Micro-machined Vibrating Ring Gyroscope Testing / Kirnos V., Vagachev A., Morozov O. // 26th Conference of Open Innovations Association (FRUCT), 20-24 April 2020 , Yaroslavl, Russia. pp. 182-187. DOI: 10.23919/FRUCT48808.2020.9087387
  3. Kuzmenko, V. Experimental study of inductive coupled plasma of CF3Br / Kuzmenko V., Miakonkikh A., Rudenko K. // Всероссийская (с международным участием) конференция «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Россия, Казань
  4. Marukhin, N.V. An improved design of a seesaw-type MEMS switch for increased contact force / Marukhin N.V., Uvarov I.V. // 7th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint Petersburg OPEN 2020” (April 26-30, 2020, St. Petersburg, Russia): Book of abstracts. – St. Petersburg: Academic University Publishing, 2020. – P. 432-433
  5. Miakonkikh, A. Applications of cyclic two-step process “oxidation-etching” for silicon micro structures formation / Miakonkikh A., Kuzmenko V., Averkin S., Rudenko K. // Всероссийская (с международным участием) конференция «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Россия, Казань
  6. Miakonkikh, A.V. Phase transformation in ALD hafnia based layers for silicon-on-ferroelectric devices / A.V. Miakonkikh, A.A. Lomov, A.E. Rogozhin, K.V. Rudenko, V.F. Lukichev, F.V. Tikhonenko, V.A. Antonov, V.P. Popov // 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), September 1-30, 2020. Caen, France
  7. Permiakova, O. Change in the forming voltage of the resistive switching in Pt/HfO2 (10 nm)/ TaN (5 nm)/ TiN stricture after Ne+, Ar+, Kr+ ion implantation / O. Permiakova, A. Miakonkikh, K. Rudenko and A. Rogozhin // 7th International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2020» Saint-Petersburg, Russia, 26-30 April 2020
  8. Permiakova, O. Ensemble Monte-Carlo simulation of resistive switching in HfO2/TaN/TiN stack / O. Permiakova, A. Miakonkikh, K. Rudenko and A. Rogozhin // VI International Conference on Information Technology and Nanotechnology (ITNT-2020), 26-29 May 2020 Samara, Russia
  9. Permyakova, O.O. MONTE-CARLO SIMULATION OF RESISTIVE SWITCHING AND ELECTROFORMING PROCESS IN PT/HFO2/TAN MEMRISTOR STRUCTURE / Permyakova O.O., Miakonkikh A.V., Rudenko K.V., Rogozhin A.E. //Пермякова, О.О. Моделирование резистивного переключения и процесса электроформовки в структуре Pt/HfO2/TaN с помощью метода Монте-Карло / Пермякова О.О., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рогожин А.Е. // В сб: Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020), 26-29 мая 2020, Самара, Россия. Сб.трудов по мат. VI Международной конференции и молодежной школы. В 4-х тт. Под ред.В.А. Соболева. 2020. Т.3. С. 732-737. ISBN: 978-5-7883-1511-9. с.874
  10. Rudenko, K. Deep anisotropic plasma-stimulated etching of silicon: from theBosch process to cryogenic microstructure formation technologies for various applications / K. Rudenko, A. Miakonkikh / International Baltic School 2020: New Opportunities of MegaScience Facilities, Kaliningrad, in Russia, November 02 – 06, 2020
  11. Shlepakov, P.S. Choosing the electrode material for the fast electrochemical actuator / Shlepakov P.S., Uvarov I.V., Naumov V.V., Svetovoy V.B // 7th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint Petersburg OPEN 2020” (April 26-30, 2020, St. Petersburg, Russia): Book of abstracts. – St. Petersburg: Academic University Publishing, 2020. – P. 428-429
  12. Smirnova, E. Atomic layer deposition of ruthenium on different interfaces for advanced metallization system of ICs / E. Smirnova, A. Miakonkikh, A. Rogozhin, K. Rudenko // 7th International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2020» Saint-Petersburg, Russia, 26-30 April 2020
  13. Tarkov, M.S. Logic Elements and Crossbar Architecture Based on SOI Two-Gate Ferroelectric Transistors / M.S. Tarkov, A.N. Leushin, F.V. Tikhonenko, I.E. Tyschenko, V.P. Popov, A.V. Miakonkikh, K.V. Rudenko // 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), September 1-30, 2020. Caen, France
  14. Амиров, И.И. Роль дислокаций в формировании микрорельефа при плазменной обработке кристаллов сульфида свинца / Амиров И.И., Зимин С.П., Колесников Н.Н., Горлачев Е.С., Наумов В.В. // Тез.Всероссийской (с международным участием) конф. «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Казань, с.151-152. (Сб.тезисов, PDF)
  15. Бантыш, Б.И. Прецизионный контроль качества поляризационных квантовых состояний света / Бантыш Б.И., Богданов Ю.И. // В книге: Тезисы докладов II Конференции по фотонике и квантовым технологиям. 16-18 апреля 2020, Казань, С. 12-13
  16. Гайдукасов, Р.А. Применение метода регуляризации Тихонова к решению задач эллипсометрической порометрии / Р.А.Гайдукасов, А.В.Мяконьких, К.В. Руденко // 63-я Всероссийская научная конференция МФТИ, 23 – 29 ноября 2020 г., Россия, Долгопрудный
  17. Горлачев, Е.С. Cравнение наноструктурирования пленок теллурида свинца-олова в индуктивной аргоновой плазме и при облучении аргоновым ионным пучком / Горлачев Е.С., Зимин С.П., Амиров И.И., Наумов В.В., Facsko S., Erb D., Bradley R.M. // Тез. Всероссийской (с международным участием) конф. «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Казань, с.153-154. (Сб. тезисов, PDF)
  18. Долуденко, И.М. Нанопроволоки из сплавов FeNi и FeCo: синтез, структура и мёссбауэровские спектры / И.М. Долуденко, Д.Л. Загорский, К.В. Фролов, И.В. Перунов, M.A. Чуев, B.M. Каневский, H.C. Ерохина, С.А. Бедин // The International Symposium “Nanophysics & Nanoelectronics”. 10-13 March, 2020, Nizhny Novgorod, Russia. Proceedings, 2020, v. 1, p. 189
  19. Кривелевич, С.А. Влияние движения границы раздела на распределения компонентов в системах с силикатными диффузионными источниками. // XXXII Симпозиум «Современная химическая физика» (19 – 28 сентября 2020 г., Туапсе). – М.: «Парк – медиа», 2020. – С. 50
  20. Кузьменко, В.О. Метод получения кремниевых микроструктур в циклическом процессе плазмохимического травления / В.О. Кузьменко, А.В. Мяконьких // 63-я Всероссийская научная конференция МФТИ, 23 – 29 ноября 2020 г., Россия, Долгопрудный
  21. Маковийчук, М.И. Regularities of magnetooptical response on different nanoscales / Маковийчук, М.И., Paporkov V.A., Prokaznikov A.V. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.136 – 138
  22. Маковийчук, М.И. Ионный синтез кремниевых структур, содержащих скрытые слои силикатной фазы Si-O-Pb. / Маковийчук, М.И., Бучин Э.Ю. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.138 – 140
  23. Маковийчук, М.И. Фликкер-шум в структурно-неупорядоченных полупроводниках.// Тезисы докладов XXXII Симпозиума «Современная химическая физика» (19 – 28 сентября 2020 г., Туапсе). – М.: «Парк – медиа», 2020. – С. 56
  24. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовые методы информационного анализа структурно-неупорядоченных полупроводников. Часть 1. Введение в проблему. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.132 – 134
  25. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовые методы информационного анализа структурно-неупорядоченных полупроводников. Часть 2. Цель и задачи исследования. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.134 – 136
  26. Маковийчук, М.И. Экспериментальное моделирование явлений переноса носителей заряда между резистивными элементами матрицы фликкер-шумовых газовых сенсоров. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.130 – 132
  27. Маковийчук, М.И. Эффект возрастания емкости литий-ионных аккумуляторов с силицидными анодами. / Маковийчук, М.И., Бучин Э.Ю. // Proceed. X Int. Scientific Conference “Relaxed, Nonlinear, Acoustic, Optical Processes and Materials” – RNAOPM-2020. (June 25 – 29, 2020, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2020. – P.140 – 141
  28. Махвиладзе, Т. М. Проблемы моделирования технологических процессов нано- и микроэлектроники // Научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» по теме «Проблемы моделирования элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания». Президиум РАН, Ленинский пр-т, 32А, Москва, РФ. 18 ноября 2020
  29. Мяконьких, А.В. Атомно-слоевое осаждение нитридов титана и тантала с низким электрическим сопротивлением / А.В. Мяконьких, Клементе И.Э., К.В. Руденко // Кузнецовские чтения – 2020, Пятый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, Новосибирск, 3 – 5 февраля 2020 года
  30. Орлов, А. Криогенное травление пористых диэлектриков с использованием плазмы газа дибромтетрафторэтана / Орлов А., Резванов А., Мяконьких А. //Всероссийская (с международным участием) конференция «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Россия, Казань
  31. Пестова, А.Н. Исследование многослойных спин-туннельных структур // XXVII Международная конф. студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов», 10-27 ноября 2020, Москва, Ма.Международного молодежного научного форума «ЛОМОНОСОВ-2020». Секция «Физика». Подсекция «Твердотельная наноэлектроника». (Материалы форума)
  32. Попов, В.П. 2G FeFET транзисторы на КНИ и КНС структурах с нанометровыми скрытыми слоями High-k диэлектриков для нейроморфных ИС / В.П. Попов, В.А. Антонов, А.Н. Леушин, Ф.В. Тихоненко, М.С. Тарков, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко, В.Ф. Лукичев // Нанофизика и наноэлектроника, XXIV международный симпозиум, 10 – 13 марта 2020 г., Нижний Новгород
  33. Попов, В.П. Структура диэлектриков на основе атомно-осажденных оксидов гафния-циркония в скрытых слоях КНИ и КНС / В.П. Попов, В.А. Антонов, А.В. Мяконьких, А.А. Ломов, К.В. Руденко // Кузнецовские чтения – 2020, Пятый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, Новосибирск, 3 – 5 февраля 2020 года
  34. Попов, В.П. Электронные свойства КНИ структур c атомно-осажденными на кремний изолирующими слоями оксида гафния и циркония / В.П. Попов, В.А. Антонов, Ф.В. Тихоненко, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко // Кузнецовские чтения – 2020, Пятый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, Новосибирск, 3 – 5 февраля 2020 года
  35. Сарычев, М.Е. Моделирование отказов элементов металлизации микро- и наноэлектронных устройств под действием электромиграции // Научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» по теме «Проблемы моделирования элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания». Президиум РАН, Ленинский пр-т, 32А, Москва, РФ. 18 ноября 2020
  36. Семенихин, И. А. Увеличение точности численного решения уравнений Максвелла посредством учета угловых особенностей электромагнитного поля // 30-я Международная Крымская конференция “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2020, 6-12 сентября 2020 года, Севастополь)
  37. Смирнова, Е. Плазмостимулированное атомно-слоевое осаждение барьерных и металлических слоев для металлизации интегральных схем / Смирнова Е., Мяконьких А., Рогожин А., Руденко К. // Всероссийская (с международным участием) конференция «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2020, 9-13 ноября 2020 г., Россия, Казань
  38. Цуканов, А.В. Расчет распределения электрического поля внутри сегментированного волновода из оптических резонаторов Фабри-Перо / А.В. Цуканов, Я.В. Гарев // [Электронный ресурс]. Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, 10-27 ноября 2020 г. Материалы Международного молодежного научного форума «ЛОМОНОСОВ-2020» [Электронный ресурс] / Отв.ред. И.А. Алешковский, А.В. Андриянов, Е.А. Антипов. – Электрон. текстовые дан. (1500 Мб.) – М.: МАКС Пресс, 2020. – Режим доступа: https://lomonosov-msu.ru/archive/Lomonosov_2020/index.htm, свободный – Материалы Международного молодежного научного форума «ЛОМОНОСОВ-2020». ISBN 978-5-317-06417-4
  39. Шлепаков, П.С. Деградация электродов в электрохимическом процессе переменной полярности / Шлепаков П.С., Уваpов И.В., Наумов В.В., Световой В.Б. // Инновационные материалы и технологии: материалы Международной научно-технической конференции молодых ученых, г. Минск, 9-10 января 2020 г. – Минск: БГТУ, 2020. – С. 628-631

Патенты:

  1. Аверкин С.Н., Вьюрков В.В., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф. //Способ изготовления тунельного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки / Патент на изобретение РФ № 2717157, Опубл. 18.03.2020. Бюлл.№8. (Заявка № 2018121044 от 07.06.2018).

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.