2017

101. Привезенцев, В.В. Ионно-имплантационное формирование и ионно-трековая модификация наночастиц ZnO в кварце. / В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, В.А. Скуратов, К.Д. Щербачев, Э.А. Штейнман, А.Н. Терещенко, Н.Н. Колесников, А.Н. Палагушкин. // Тез.докл. XLVII международной Тулиновской конференции ПО ФИЗИКЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С КРИСТАЛЛАМИ. Москва 30 мая – 1 июня, 2017, ФИИЯФ МГУ, М, с. 110.
102. Привезенцев, В.В. Исследование кремния, имплантированного ионами Zn, после облучения быстрыми ионами Xe. / В.В. Привезенцев, В.С. Куликаускас, В.А. Скуратов, О.С. Зилова, А.Н. Бурмистров, Э.А. Штейнман, А.Н. Терещенко, C.В. Ксенич. // 2-й Международный форум «Техноюнити – электронно-лучевые технологии для микроэлектроники», 9 -12 октября 2017, Зеленоград, Москва, Россия. Тезисы докладов, с. 32.
103. Пронин, С.М.Измерение коэффициентов пропускания и отражения нанометровых пленок меди и золота в СВЧ диапазоне / Пронин С.М., Андреев В.Г., Вдовин В.А., Хорин И.А. // XVI Всероссийская школа-семинар «Физика и применение микроволн» имени А.П. Сухорукова («Волны-2017»). Москва, 4-9 июня 2017 года.
104. Пунегов, В.И. Рентгенодифракционная диагностика пористых слоев GaAs / В.И. Пунегов, А.А. Ломов, Д.В. Казаков, Д.В. Сивков. // Труды Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 13-16 марта 2017, Том.1, стр.434-435.
105. Рогачёв, М.С. Моделирование оптических характеристик резонатора-микродиска в алмазном субстрате / Рогачёв М.С., Катеев И.Ю., Цуканов А.В. // 60 Всероссийская научная конференция МФТИ с международным участием, Москва-Долгопрудный-Жуковский, 2017.
106. Руденко, К. В. Процессы атомно-слоевого осаждения для формирования слоев затворного HkMG-стека с минимальным топологическим размером 32 нм / Руденко К. В., д. ф.-м. н., Мяконьких А. В., к. ф.-м. н., Рогожин А. Е., к. ф.-м. н., Гущин О. П., Гвоздев В. А.// Международный форум «Микроэлектроника-2017» 3-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и электронные модули». Республика Крым, г. Алушта, 02–07 октября 2017 г.
107. Середин, Б.М. Микроструктура термомиграционных сквозных каналов в подложках кремния / Середин Б.М., Ломов А.А., Кузнецов В.В., Рубцов Э.Р., Середина М.Б. // Тезисы докладов 7-ой Международной конференции “Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов”. 2 – 5 октября 2017. МИСиС. Москва. С. П. 1-47.
108. Серов, Д.А. Исследование пленок Au и Pt нанометровой толщины / Серов Д.А., Сурин А.И., Хорин И.А. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения «INTERMATIC–2017» [Электронный ресурс]: материалы Между.научно-технической конф. «INTERMATIC– 2017», 20–24 ноября 2017 г., Москва / Моск. технол. ун-т; под ред. академика РАН А.С. Сигова. – Электрон. текстовые дан. (349 МБ). – М.: МИРЭА, 2017. – с. 47-50.
109. Серов, Д.А. Исследование пленок Cu нанометровой толщины / Серов Д.А., Сурин А.И., Хорин И.А. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения «INTERMATIC–2017» [Электронный ресурс]: материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC– 2017», 20–24 ноября 2017 г., Москва / Моск. технол. ун-т; под ред. академика РАН А.С. Сигова. – Электрон. текстовые дан. (349 МБ). – М.: МИРЭА, 2017. – с. 152-155.
110. Сидоров, Ф.А. Механизмы снижения латерального разрешения в методе сухого электронно-лучевого травления резиста / Ф.А. Сидоров, А.Е. Рогожин, М.А. Брук, Е.Н. Жихарев // 60-я Всероссийская научная конференция МФТИ. 20-25 ноября 2017.
111. Трушин, О.С. Механизмы зарождения дислокаций в гетеро-эпитаксиальных структурах Ge(x)Si(1-x)/Si // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, Екатеринбург, ИФМ УРО РАН, 2-6 октября 2017г., С. 325.
112. Трушин, О.С. Особенности энергетического рельефа прямоугольного магнитного наноострова» / О.С. Трушин , Н.И. Барабанова // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, Екатеринбург, ИФМ УРО РАН, 2-6 октября 2017г., C.288.
113. Федичкин, Л.Е. Непрерывные квантовые блуждания в некоторых графах / Л.Е. Федичкин, Ф.П. Мещанинов // Межд. математическая конф. по теории функций, посвящённая 100-летию чл.-корр. АН СССР АФ Леонтьева. Уфа, 24 – 27 мая 2017 г. Pесп. Башкортостан. УФА. РИЦ БашГУ: 2017. С. 107-108. ISBN 978-5-7477-4392-2.
114. Филиппов, С.Н. Динамика открытых квантовых систем в модели столкновений / С.Н. Филиппов. // Межд.молодежный рабочий семинар «Математические методы в проблемах квантовых технологий» (9 октября 2017 г., МИАН, г. Москва, Россия).
115. Чекмачев, В.Г. Вентиль C-NOT в системе на основе двойных квантовых точек в микрорезонаторе под управлением лазерного поля / Чекмачев В.Г., Цуканов А.В. // 60 Всероссийская научная конференция МФТИ с международным участием, Москва-Долгопрудный-Жуковский, 2017.
116. Шалаева, Т.Е. Технология изготовления отрицательных электродов литий ионных аккумуляторов на основе пленок кремниевых нанокомпозитов / Т.Е.Шалаева, А.А.Мироненко, Д.Э.Пухов, И.С.Федоров //III International Conference on Modern Problems in Physics of Surface and Nanostructures (ICMPSN 2017) Yaroslavl, Russia, 9-11 October 2017. Book of Abstract, P.119.

Патенты, авторские свидетельства:

1. Туннельный нелегированный многозатворный полевой нанотранзистор с контактами Шоттки – Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф. – Патент на изобретение № 2626392. – Заявка № 2016123988 от 17.06.2016г. – Зарегистрирован в ГРИ РФ 26.07.2017. Опубл.26.07.2017, Бюлл.№ 21. — (19)RU (11) 2 626 392 (13) C1; — (51) МПК H01L 29/78 (2006.01).
2. Способ изготовления балки с заданным изгибом. / Уваров И.В., Наумов В.В., Амиров И.И. – Патент РФ № 2630528. Опубликовано 11.09.2017.
3. Элемент энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти. Авт: Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е. Патент РФ 2637175. Опубликовано 30.11.2017.
4. Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения изолирующих диэлектрических покрытий на гетероструктурах нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов». / Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е, Руденко К.В., Семин Ю.Ф. // Рег. № 2016125312 от 24.06.2016. — Зарегистрирован в ГРИ РФ 19.10.2017. Опубл.19.10.2017, Бюлл.№ 29. — (19)RU (11) 2 633 894 (13) C1; — (51) МПК H01L 21/31 (2006.01). – АО НПП Пульсар
5. Способ регулирования удельной емкости. – Авт.Рудый А.С., Мироненко А.А., Скундин А.М., Кулова Т.Л., Пухов Д.Э. Патент РФ № 2621321 от 02.06.2017.
6. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2017613192. “Программа моделирования процесса измерения состояния квантового регистра в канале полевого транзистора”. Авт.: Руденко М.К. ,дата Гос.регистрации 13.03.2017.