2013

  1. Трушин, О.С. Комплекс программ микромагнитного моделирования micromag и его использование для исследования элементов спинтроники / О.С.Трушин, Н.Барабанова // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. №. 3. С. 218.
  2. Бучин, Э.Ю. Эффект магнитомиграции в гранулированных пленках Co-Cu, осаждаемых ионно-плазменным методом / Э.Ю.Бучин, Д.А.Коканов, С.Г.Симакин, В.В.Наумов // Письма в ЖТФ. – 2013. – Т. 39. – Вып.12. – С.35.
  3. Рудаков, В.И. Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / В.И.Рудаков, Е.А.Богоявленская, Ю.И.Денисенко, В.В.Овчаров, А.Л.Куреня, К.В. Руденко, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, Н.И. Плис // Российские нанотехнологии. 2013. Т. 8. № 3-4. С. 89-94.
  4. Rudakov, V.I. Temperature oscillations in a silicon wafer under constant power of incoherent irradiation by heating lamps in a thermal chamber of RTP set up / V.I. Rudakov, A.L. Kurenya, V.V. Ovcharov, V.P. Prigara // Proc. SPIE 8700, International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012, 870006 (January 3, 2013); doi: 10.1117/12.2018016.
  5. Rudakov, V.I. Features of formation of high-k dielectric layer in w/ultrathin HfO2/Si (100) structures under annealing. / V.I. Rudakov, E.A. Bogoyavlenskaya, Yu.I. Denisenko, V.V. Naumov // Proc. SPIE 8700, International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012, 87000E (January 8, 2013); doi: 10.1117/12.2018205.
  6. Бучин, Э.Ю. Магнитооптическое исследование магнитных подсистем в гранулированных плёнках Co-Cu. / Э.Ю.Бучин, Д.А.Коканов, И.В.Кузнецова, В.А.Папорков // Вестник Ярославского государственного университета им. П.Г. Демидова. Серия Естественные и технические науки. 2013. № 2. С. 2-9.
  7. Залуцкая, А.А.Цветовая окраска наноструктурированной поверхности / А.А.Залуцкая, А.В.Проказников, М.А.Проказников // Нано- и микросистемная техника. – 2013. – № 9. – C. 11-18.
  8. Zvezdin, N.Y. Magnetic properties variation of two-dimensional magnetophotonic crystals by light influence / N.Y.Zvezdin, A.V.Prokaznikov, D.E.Afanasyeva, V.A.Paporkov // Phys. Stat. Sol. (a). – 2013. V. 210. issue 10. – P. 2209-2213.
  9. Богоявленская, Е.А. Формирование ультратонких затворных структур W/HfO2/Si при быстрой термической обработке / Е.А.Богоявленская, В.И.Рудаков, Ю.И. Денисенко // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2013. № 1. С. 75-79.
  10. Трушин, О.С. Особенности магнитного переключения ячеек памяти TAS MRAM / О.С.Трушин, Н.И.Барабанова // Вестник ЯрГУ. Естественные и технические науки. 2013. № 3. С. 2-7.
  11. Амиров, И.И. Влияние энергии ионов на морфологию поверхности пленки платины при высокочастотном ионно-плазменном распылении / И.И.Амиров, В.В.Наумов, М.О.Изюмов, Р.С.Селюков // ПЖТФ. 2013. Т.39. Вып.2. С. 68.
  12. Uvarov, I.V. Resonance properties of multilayer metallic nanocantilevers / I.V. Uvarov, V.V. Naumov, I.I. Amirov // Proc. SPIE. 2013. V.8700 (International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012). P. 87000S (January 8, 2013); doi: 10.1117/12.2016751.
  13. Уваров, И.В. Резонансные свойства многослойных металлических нанокантилеверов / И.В.Уваров, В.В.Наумов, И.И.Амиров // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 4. C. 29-32.
  14. Уваpов, И. В. Особенности изготовления металлических кантилеверов наноразмерной толщины / И. В. Уваpов, В. В. Наумов, И. И. Амиpов // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 11. C. 29-32.
  15. Зимин, С. П. Особенности распыления в плазме поликристаллических пленок Pb1–xSnxTe со столбчатой структурой / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев, И. И. Амиров, Г. А. Дубов, В. В. Наумов, В. Ф. Гременок, В. А. Иванов, Х. Г. Сейди // Успехи прикладной физики. 2013. Том 1. № 3. С. 380.
  16. Бердников, А.Е. Эффект переключения проводимости в МДП структурах с диэлектриками на базе кремния, полученными методом низкочастотного плазмохимического осаждения / А.Е. Бердников, В.Н. Гусев, А.А. Мироненко, А.А. Попов, А.В. Перминов, А.С. Рудый, В.Д. Черномордик // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. Вып.5. С.626-632.
  17. Volodin, V.A. Laser pulse crystallization and optical properties of Si/SiO2 and Si/Si3N4 multilayer nano-heterostructures / V.A. Volodin, S.A. Arzhannikova, A.A. Gismatulin, G.N. Kamaev, A.H. Antonenko, S.G. Cherkova, A.G. Cherkov, S.A. Kochubei, A.A. Popov, S. Robert, H. Rinnert, M. Vergnat // Proc.SPIE: “Micro- and Nanotechnologies 2012”. – 2013. – V. 8700. – P.870008/1-870008/10.
  18. Савинский, Н. Г. Контролируемый рост углеродных нанотрубок на закрепленном слое металлического катализатора методом осаждения из паровой фазы / Н. Г. Савинский, В. В. Наумов // Вестник ЯрГУ. Серия Естественные и технические науки. 2013. №3. С.63–69.
  19. Савинский, Н. Г. 3D наноинтегрированные автоэмиссионные матрицы наноприборов на основе наноуглеродных эмиттеров / Н. Г. Савинский // Вестник ЯрГУ. Серия Естественные и технические науки. 2013. №3. – С.70-75.
  20. Савинский, Н. Г. Влияние структуры многослойного пленочного катализатора в процессе синтеза из паровой фазы углеродных наноструктур / Н Г. Савинский, М.Л.Гитлин, А.А.Шорников, А.И.Русаков // Вестник ЯрГУ. Серия Естественные и технические науки. 2013. №1. – С.67 – 74.
  21. Мордвинцев, В. М. Исследование электрических характеристик элементов памяти на самоформирующихся проводящих наноструктурах в виде открытой «сэндвич»-структуры TiN-SiO2-W / В.М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 2. С. 93-104.
  22. Gorlachev, E. Development of the atomic force microscopy research technique for the nanostructures on the vertical edge of thin insulating film / E.Gorlachev, V.Levin, V.Mordvintsev V. // Journal of Physical Science and Application. – 2013. – Vol. 3, No. 1. – P. 18-26.
  23. Зимин, С.П. Динамика оксидных фаз на поверхности монокристаллических и поликристаллических пленок Pb1 xSnxTe при исследованиях методом комбинационного рассеяния света / С.П.Зимин, Е.С.Горлачев, Н.В.Гладышева, В.В.Наумов, В.Ф.Гременок, Х. Г.Сейди // Оптика и спектроскопия. – 2013. – Т. 115. № 5. – С. 67-72.
  24. Ryzhii, V. Double injection in graphene p-i-n structures / V. Ryzhii, I. Semenikhin, M. Ryzhii, D. Svintsov, V. Vyurkov, A. Satou, and T. Otsuji // J. Appl. Phys. 2013. V.113, 244505.
  25. Svintsov, D. Voltage-controlled surface plasmon-polaritons in double graphene layer structures / D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, T. Otsuji // Journal of Applied Physicsю 2013. – V. 113. – Iss. 5. – Р. 053701.
  26. Svintsov, D. A. Tunnel FET with graphene channels / D. A. Svintsov, V. V. Vyurkov, V. F. Lukichev, A. A. Orlikovsky, A. Burenkov, and R. Oechsner // Semiconductors – 2013. – V. 47. – №2. – Р. 279–284.
  27. Орликовский, А.А. Эволюция МДП-нанотранзистора: от элемента интегральных схем к квантовому регистру / А.А.Орликовский, В.В.Вьюрков, К.В.Руденко, И.А.Семенихин, Д.А.Свинцов, А.В.Мяконьких, С.Н.Филиппов, А.Е.Рогожин // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев – М.:Наука, 2013. – 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С. 141-174.
  28. Мяконьких, А.В. Формирование подзатворного диэлектрика для МДП-нанотранзистора методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения оксида гафния / А.В.Мяконьких, А.Е.Рогожин, К.В.Руденко, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский // Интеграл, №3-4, с. 16-17, 2013.
  29. Аверкин, С.Н. Анизотропное плазмохимическое травление глубоких канавок в кремнии суб-100 нм ширины через электронорезистную маску / С.Н.Аверкин, Е.Н.Жихарев, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, А.А.Рылов, И.А.Тюрин // Интеграл. 2013. №3. С.14-15.
  30. Litovchenko, V. Peculiarities of the Impurity Redistribution Under Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon / V. Litovchenko, B. Romanyuk, O. Oberemok, V. Popov, V. Melnik, K. Rudenko, V. Vyurkov // Advanced Materials Research. – Functional Nanomaterials and Devices VII. – 2013. – V. 854. – Р. 141-145 ; doi: 10.4028/www.scientific.net/AMR.854.141.
  31. Chesnokov, J.M.The microstructure of Si surface layers after He+ and Ar+ plasma immersion ion implantation / J. M.Chesnokov, A.L.Vasiliev, V.F.Lukichev, K.V.Rudenko // J. Phys.: Conf. Ser. – 2013. – V.471. – 012049. – (Eighth Int.Conf. on Magnetic and Superconducting Materials. – Oxford, September 02-05, 2013). – doi:10.1088/1742-6596/471/1/012049.
  32. Мяконьких, А.В. Фотовольтаический эффект в структуре на основе аморфного и нанопористого кремния, сформированной методом плазменно-иммерсионной ионной имплантации / А.В. Мяконьких, А.Е. Рогожин, К.В. Руденко, В.Ф. Лукичев // Микроэлектроника. 2013. Т. 24. №4ю С. 1-8.
  33. Privezentsev, V. ZnO Nanoparticle Formation in Zn+ Ion Implanted SiO2/Si Structure / V. Privezentsev, V. Kulikauskas, A. Bazhenov, E. Steinman // Phys. Stat.Sol. C. – 2013. – V. 10. – P.48–51.
  34. Привезенцев, В.В. ИЗМЕНЕНИЕ СТРУКТУРЫ И СОСТАВА ИМПЛАНТИРОВАННОЙ ИОНАМИ ЦИНКА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В ПРОЦЕССЕ ОБРАЗОВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ ПРИ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ / В.В. Привезенцев, Н.Ю.Табачкова, В.С. Куликаускас, Д.В. Петров, Ю. Ю. Лебединский // ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ. – 2013. – T. 77. – № 8. – C. 1063–1069.
  35. Privezentsev, V.V. X-Ray Diffraction Study of Defects in Zinc Diffusion Doped Silicon / V.V. Privezentsev // Crystallogr. Rep. – 2013. – V.58. – P.963–969.
  36. Shcherbachev, K. Defect structure transformation after thermal annealing in a surface layer of Zn-implanted Si(001) substrates / K. Shcherbachev, V. Privezentsev, V. Kulikauskas, V. Zatekin, V. Saraykin // J. Appl. Cryst. – 2013. – V.46. – P.882–886.
  37. Митропольский, Ю.И. Проблемы разработки новой архитектуры процессоров и вычислительных систем / Ю.И.Митропольский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев – М.:Наука, 2013. – 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С.109-140.
  38. Амиров, И.И. Высокоаспектное травление кремния / И.И.Амиров, В.Ф.Лукичев, А.С.Шумилов // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 23; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. В.Ф.Лукичев – М.:Наука, 2013. – 214 с.- ISBN 978-5-02-0380309-4.- С.192-211.

Pages: 1 2 3

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.