2012

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2012 год

Статьи:

  1. Амиров, И.И. Ключевые процессы технологии микросистемной техники : плазомохимические процессы глубокого анизотропного травления кремния / И.И.Амиров, О.В.Морозов, В.А.Кальнов, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский // Интеграл. 2012. №4 (66). С.8-14.
  2. Бердников, A.E. Новые нанокомпозитные материалы для тонкопленочного литий – ионного аккумулятора / A.E.Бердников, В.Н. Гусев, Т.Л. Кулова, А.В. Метлицкая, А.А. Мироненко, В.В. Наумов, А.С.Рудый, А.М. Скундин, А.Б. Чурилов // Интеграл. 2012. №4(66). С. 22-24.
  3. Bogdanov, Y.I. ACCURACY CHARACTERISTICS FOR QUANTUM PROCESS TOMOGRAPHY USING SUPERCONDUCTOR PHASE QUBITS / Y.I.Bogdanov, S.A. Nuyanzin // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2012. Т. 76. № 2. С. 139-142.
  4. Богданов, Ю.И. Характеристики точности томографии квантовых процессов с использованием сверхпроводниковых фазовых кубитов / Ю.И.Богданов, С.А. Нуянзин // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2012. Т. 76. № 2. С. 164–168.
  5. Богданов, Ю.И. Квантовая механика и развитие информационных технологий / Ю.И.Богданов, А.А.Кокин, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, И.А.Семенихин, А.Ю.Чернявский // Информационные технологии и вычислительные системы. 2012. №1. С.17-31.
  6. Богданов, Ю.И. Квантовые шумы и контроль качества элементной базы квантовых компьютеров на сверхпроводниковых фазовых кубитах / Ю.И.Богданов, В.Ф. Лукичёв, С.А. Нуянзин, А.А. Орликовский // Микроэлектроника. 2012. Т.41. №6. С.387-398.
  7. Богданов, Ю.И. Математическое моделирование влияния квантовых шумов на качество элементной базы квантовых компьютеров / Ю.И.Богданов, В.Ф.Лукичев, С.А.Нуянзин, А.А.Орликовский, А.С.Холево, А.Ю.Чернявский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 22; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Ю.И.Богданов. – М.:Наука, 2012. – 152 с.- ISBN 978-5-02-038009-7.- С. 39-77.
  8. Богданов, Ю.И. Поляризационные квантовые операции в анизотропной среде с дисперсией / Ю.И.Богданов, А.А.Калинкин, С.П.Кулик, Е.В.Морева, В.А.Шершулин, Л.В.Белинский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 22; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Ю.И.Богданов. – М.:Наука, 2012. – 152 с.- ISBN 978-5-02-038009-7.- С.78-102.
  9. Бучин, Э.Ю. Магнитооптические исследования гранулированных пленок Co-Cu / Э.Ю.Бучин, Д.А. Коканов, Н.С. Лапин, В.А. Папорков // Вестник ЯрГУ. Серия Естественные и технические науки. 2012. №1. С.4-12.
  10. Volodin, V.A. Evolution of silicon and hydrogen bonding in silicon-rich nitride films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition and annealed under high pressure / V.A.Volodin, A.A. Popov, A. Misiuk , H. Rinnert, M. Vergnat // Nanoscience and Nanotechnology Letters. 2012. V.4. P. 364-368.
  11. Vyurkov, V. Quantum simulation of an ultrathin body field-effect transistor with channel imperfections / V.Vyurkov, I. Semenikhin, S. Filippov, and A. Orlikovsky // Solid-State Electronics. 2012. V. 70. Р.106–113. (doi: 10.1016/j.sse.2011.11.021.).
  12. Svintsov, D. Hydrodynamic model for electron-hole plasma in graphene / D.Svintsov, V. Vyurkov, S. Yurchenko, T. Otsuji, and V. Ryzhii // Journal of Applied Physics. 2012. V. 111 №8. P.3715.
  13. Zakharova, A. A. Optical anisotropy of InAs/GaSb quantum wells / A. A.Zakharova, I.Semenikhin, K. A. Chao // Journal of Experimental and theoretical physics. 2012. V.114. -N5. P.731-737 ; DOI:10.1134/S1063776112030090.
  14. Zakharova, A.A. OPTICAL ANISOTROPY OF INAS/GASB BROKEN-GAP QUANTUM WELLS / A.A.Zakharova, I.A.Semenikhin, K.A.Chao // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2012. Т. 141. № 5. С. 840-847.
  15. Морозов, О.В. Изготовление микроэлектромеханических устройств на основе технологии встроенной изоляции в пластине кремния / О.В.Морозов, А.В. Постников, И.И. Амиров, В.А. Кальнов // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 7. С.15-19.
  16. Kal’nov, V.A. Operation of an Electronic Lithograph in the Mode of a Scanning Electron Microscope / V.A.Kal’nov, Yu.A. Novikov, A.A.Orlikovsky // Russian Microelectronics. 2012. V. 41. No. 6. Р. 426–429.
  17. Кальнов, В.А. РАБОТА ЭЛЕКТРОННОГО ЛИТОГРАФА В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА / В.А.Кальнов, Ю.А.Новиков, А.А.Орликовский // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 6. С. 426.
  18. Кокин, А.А. Анализ перспектив вариантов полномасштабных твердотельных квантовых регистров, использующих ядерные спины в качестве кубитов / А.А.Кокин // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 22; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Ю.И.Богданов. – М.: Наука, 2012. – 152 с.- ISBN 978-5-02-038009-7.- С.5-22.
  19. Ломов, А.А. Рассеяние рентгеновских лучей модулированными структурами пористого кремния / А.А.Ломов, В.И. Пунегов, В.А. Караванский, А.Л. Васильев // Кристаллография. 2012. Т.57. № 2. С.232-240.
  20. Lomov, A.A. X-RAY SCATTERING BY POROUS SILICON MODULATED STRUCTURES / A.A.Lomov, V.I.Punegov, V.A.Karavanskii, A.L.Vasilev // Crystallography Reports. 2012. Т. 57. № 2. С. 185-192.
  21. Ломов, А.А. Характеризация структуры и оптических свойств микронных пористых слоев на подложках легированного сурьмой кремния / А.А.Ломов, М.А.Чуев, В.А.Балин, Б.В. Набатов, А.Л.Васильев // Микроэлектроника. 2012. Т.41. № 6. С. 413.
  22. Кудря, В.П. Перспективы использования источников пучков быстрых нейтральных частиц в технологии микро- и наноэлектроники / В.П.Кудря, Ю.П. Маишев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 22; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Ю.И.Богданов. – М.:Наука, 2012. – 152 с.- ISBN 978-5-02-038009-7.- С. 105-124.
  23. Махвиладзе, Т.М. Неэмпирическое моделирование процессов химического осаждения пленок нитрида кремния в CVD реакторах / Т.М.Махвиладзе, М.Х. Минушев, М.Е.Сарычев // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 3. С.215-224.
  24. Гольдштейн, Р.В. Моделирование влияния внутренних механических напряжений на скорость роста кислородных преципитатов в кремнии / Р.В.Гольдштейн, Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Известия высших учебных заведений. Серия: Материалы электронной техники. 2012. № 2. С.37-42.
  25. Гольдштейн, Р.В. Деформационно-кинетическая модель преципитации кислорода в кремнии / Р.В.Гольдштейн, Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 22; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Ю.И.Богданов. – М.:Наука, 2012. – 152 с.- ISBN 978-5-02-038009-7. – С.125-139.
  26. Makhviladze, T.M. NONEMPIRICAL SIMULATION OF CHEMICAL DEPOSITION OF SILICON NITRIDE FILMS IN CVD REACTORS / T.M.Makhviladze, A.Kh.Minushev, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2012. Т. 41. № 3. С. 196-205.
  27. Мордвинцев, В.М. ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ НА САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ ПРОВОДЯЩИХ НАНОСТРУКТУРАХ С КРОССБАР-АРХИТЕКТУРОЙ / В.М.Мордвинцев // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 5. С. 351.
  28. Морозов, А.В. ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ МАГНИТНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК ПЕРМАЛЛОЯ ОТ ТОЛЩИНЫ И УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ / А.В.Морозов, В.П.Алексеев, В.А.Папорков, В.А.Наумов // Известия Юго-Западного государственного университета. 2012. № 1-2. С. 48-59.
  29. Рау, Э.И. Функция отклика и оптимальная конфигурация полупроводниковых детекторов отраженных электронов для сканирующих электронных микроскопов / Э.И.Рау, Н.А.Орликовский, Е.С.Иванова // Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №6. С.829–832.
  30. Сирик, А.В. Роль полярности среды в окислении (мет)акриловых эфиров / А.В.Сирик, А.Е.Никитина, С.Н.Леднев, Е.М.Плисс // Башкирский хим. журнал. 2012. Т. 19. № 2. С. 109-110.
  31. Богоявленский, Д.А. Окисление гидроксиламинов пиперидинового ряда молекулярным кислородом / Д.А.Богоявленский, И.В.Тихонов, Е.М.Плисс, А.И.Русаков // Башкирский хим. журнал. 2012. Т. 19. № 2. С. 104-105.
  32. Pliss, E. M. The kinetics and mechanism of reactions of aliphatic stable nitroxyl radicals with alkyl and peroxide radicals during styrene oxidation / E.M.Pliss, I. V.Tikhonov, A. I.Rusakov // Russian Journal of Physical Chemistry B. 2012. Vl. 6. No.3. P. 376-383.
  33. Казнина, М.А. Кинетика и механизм ингибированного стабильными нитроксильными радикалами окисления винилпиридинов / М.А.Казнина, А.С.Копылова, А.М.Гробов, И.В.Тихонов, Е.М.Плисс // Башкирский хим. журнал. 2012. Т. 19. № 2. С. 127-128.
  34. Морозов, О.В. Изготовление кремниевого чувствительного элемента микромеханического вибрационного гироскопа / О.В.Морозов, А.В. Постников, И.В. Уваров, И.А. Козин, И.И. Соловьёв, А.Н. Тарасов // Наноинженергия. 2012. №2. С.12-19.
  35. Kulikauskas, V.S. Transformation of Defect Layer and Dopant Profile in Zinc Implanted Silicon during Thermal Annealing / V.S.Kulikauskas, V.V. Saraikin, D.V. Roshchupkin, V.V. Privezentsev // Crystallography Reports. V. 57. N7. pp. 903–908 (2012).

Pages: 1 2 3 4 5

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.