2011

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2011 год

Статьи:

  1. Уваров, И.В. Динамические характеристики чувствительного элемента микроакселерометра с повышенным фактором демпфирования / И.В.Уваров, О.В.Морозов, И.А.Козин, А.В.Постников, И.И.Амиров, В.А.Кальнов // Нано- и микросистемная техника. – 2011. – № 12. – С. 38-40. – Библиогр.: с. 40 (7 назв. ) . – ISSN 1813-8586.
  2. Уваров, И. В. Исследование резонансных характеристик металлических микро- и нанобалок / И. В.Уваров, В. В.Наумов, М. К.Аминов, А. Н.Куприянов, И.И. Амиров // Нано- и Микросистемная техника. 2011. № 12. С.45-48.
  3. Бетелин, В.Б. ПАМЯТИ КАМИЛЯ АХМЕТОВИЧА ВАЛИЕВА / В.Б.Бетелин, Е.П.Велихов, Ю.В.Гуляев, А.А.Кокин, Ю.В.Копаев, Г.Я.Красников, Ф.А.Кузнецов, В.Ф.Лукичев, И.Г.Неизвестный, А.А.Орликовский, А.В.Раков, Ю.А.Чаплыгин // Успехи физических наук. 2011. Т. 181. № 5. С. 557-558.
  4. Богданов, Ю.И. Информационные аспекты интерференционных экспериментов “который путь” с микрочастицами / Ю.И.Богданов, К.А.Валиев, С.А.Нуянзин, А.К.Гавриченко // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. – С.3-30.
  5. Богданов, Ю.И. Статистическое восстановление смешанных состояний поляризационных кубитов / Ю.И.Богданов, А.К. Гавриченко, К.С. Кравцов, С.П. Кулик, Е.В. Морева, А.А. Соловьев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.140. Вып.8. С.224-235.
  6. Bogdanov, Yu.I. STATISTICAL RECONSTRUCTION OF MIXED STATES OF POLARIZATION QUBITS / Yu.I.Bogdanov, A.K.Gavrichenko, K.S.Kravtsov, S.P.Kulik, A.A.Soloviev, E.V.Moreva // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2011. V. 113. № 2. P. 192-201.
  7. Bogdanov, Yu.I. Statistical Estimation of Quantum Tomography Protocols Quality / Yu.I.Bogdanov, G. Brida, I. D. Bukeev, M. Genovese, K. S. Kravtsov, S. P. Kulik, E. V. Moreva, A. A. Soloviev, A. P. Shurupov // Phys. Rev. A. 2011. V.84. 042108. 19 p.
  8. Bogdanov, Yu.I. Statistical properties of fidelity in quantum tomography protocols in Hilbert spaces of different dimensions / Yu.I.Bogdanov, I.D. Bukeev, A. K. Gavrichenko // arXiv: 1102.3880 [quant-ph]. 14 p.
  9. Bogdanov, Yu.I. Accuracy features for quantum process tomography using superconductor phase qubits / Yu.I.Bogdanov, S.A. Nuyanzin // arXiv: 1106.2906 [quant-ph]. 7 p.
  10. Богданов, А.Ю. Квантовые компьютеры: достижения, трудности реализации и перспективы / Ю.И.Богданов, К.А.Валиев, А.А.Кокин // Микроэлектроника. 2011. Т.40. №4. С.243-255.
  11. Bogdanov, Yu.I. QUANTUM COMPUTERS: ACHIEVEMENTS, IMPLEMENTATION DIFFICULTIES, AND PROSPECTS / Yu.I.Bogdanov, K.A.Valiev, A.A.Kokin // Russian Microelectronics. 2011. Т. 40. № 4. С. 225-236.
  12. Богданов, Ю.И. Исследование адекватности, полноты и точности протоколов квантовых измерений / Ю.И.Богданов, И.Д. Букеев, А.К. Гавриченко // Оптика и спектроскопия. 2011. Т.111. №4. С.680- 689.
  13. Bogdanov, Y.I. STUDYING ADEQUACY, COMPLETENESS, AND ACCURACY OF QUANTUM MEASUREMENT PROTOCOLS / Y.I.Bogdanov, I.D.Bukeev, A.K.Gavrichenko // Optics and Spectroscopy. 2011. V. 111. № 4. P. 647-655.
  14. Filippov, S. Effect of image charge on double quantum dot evolution / S.Filippov, V. Vyurkov, L. Fedichkin // Physica E. 2011. V. 44. P.501-505.
  15. Svintsov, D. Effect of ‘‘Mexican Hat’’ on Graphene Bilayer Field-Effect Transistor Characteristics / D.Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, and T. Otsuji // Japanese Journal of Applied Physics. 2011. V. 50. № 7 PART 1. P. 070112.
  16. Khomyakov, A. Semi-analytical models of field-effect transistors with low-dimensional channels / A.Khomyakov and V. Vyurkov // Advanced Materials Research. 2011. V. 276. P.51-57.
  17. Zakharova, A. Spin-related phenomena in InAs/GaSb quantum wells / A.Zakharova, I.Semenikhin, K. A.Chao // Письма в ЖЭТФ. 2011. Т. 94. № 8. С. 704-709.
  18. Куприянов, Л.Ю. НАНОСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛЕНОК КОМПОЗИТА КРЕМНИЙ – УГЛЕРОД, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ / Л.Ю.Куприянов, Ю.Е.Рогинская, Н.В.Козлова, Е.Д.Политова, В.А.Кальнов, Е.Н. Жихарев // Российские нанотехнологии. 2011. Т. 6. № 9-10. С. 120-124.
  19. Кальнов, В.А. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ ВЫХОДА ГОДНЫХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ / В.А.Кальнов, И.А.Косолапов // Наноинженерия. 2011. № 2. С. 23-26.
  20. Katamadze, K.G. CONTROL OF THE FREQUENCY SPECTRUM OF A BIPHOTON FIELD DUE TO THE ELECTRO-OPTICAL EFFECT / K.G.Katamadze, A.V.Paterova, S.P.Kulik, E.G.Yakimova, K.A.Balygin // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V. 94. № 4. P. 262-265.
  21. Кокин, А.А. О косвенном взаимодействии между ядерными спинами в легкоосном антиферромагнетике / А.А.Кокин, В.А.Кокин // Теоретическая и математическая физика. 2011. Т.168. №3. С. 467-481.
  22. Kokin, A.A. INDIRECT INTERACTION BETWEEN NUCLEAR SPINS IN EASY-AXIS ANTIFERROMAGNETS / A.A.Kokin, V.A.Kokin // Theoretical and Mathematical Physics. 2011. Т. 168. № 3. С. 1258-1270.
  23. Корчагина, Т.Т. Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiNx на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок / Т.Т.Корчагина, В.А.Володин, А.А.Попов, К.С.Хорьков, М.Н. Герке // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 13. С.62-69.
  24. Кудря, В.П. Механизм возбуждения эмиссионной линии 345.1 нм иона бора в низкотемпературной молекулярной плазме / В.П.Кудря // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с.- ISBN 0868-7129. – С.145-154 .
  25. Ломов, А.А. Рассеяние рентгеновских лучей модулированными структурами пористого кремния / А.А.Ломов, В.И. Пунегов, В.А. Караванский, А.Л. Васильев // Кристаллография. 2011. Т.56. № 6 .С.1014-1022.
  26. Соболев, Н.А. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре / Н.А.Соболев, А.Е.Калядин, И.Е.Шек, В.И.Сахаров, И.Т.Серенков, В.И.Вдовин, Е.О.Паршин, М.И.Маковийчук // Физика и техника полупроводников. – 2011. Т. 45. № 8. С. 1038 – 1040.
  27. Алексеев, И.М. Термодинамическая модель влияния атомарных примесей на адгезионную прочность интерфейсов / И.М.Алексеев, Т.М. Махвиладзе, А.Х. Минушев, М.Е. Сарычев // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 5. С. 325-330.
  28. Alekseev, I.M. A THERMODYNAMIC MODEL OF THE INFLUENCE OF ATOMIC IMPURITIES ON THE ADHESION STRENGTH OF INTERFACES / I.M.Alekseev, T.M.Makhviladze, A.Kh.Minushev, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2011. Т. 40. № 5. С. 303-308.
  29. Гольдштейн, Р.В. Моделирование кинетики адсорбции решеточных дефектов границей соединенных материалов / Р.В.Гольдштейн, Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Поверхность. 2011. № 8. С.5-11.
  30. Goldshtein, R.V. MODELING THE KINETICS OF LATTICE DEFECT ADSORPTION INTO THE INTERFACE OF JOINT MATERIALS / R.V.Goldshtein, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2011. V. 5. № 4. P. 712-717.
  31. Махвиладзе, Т.М. Использование подхода, основанного на пространственно-временном методе конечных разностей, при моделировании фотолитографического процесса / Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев. // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с.- ISBN 0868-7129. – С.56-65.
  32. Алексеев, А.И. Моделирование влияния примесей на работу разделения интерфейса / А.И.Алексеев, Т.М. Махвиладзе, А.Х. Минушев, М.Е. Сарычев // – В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.: Наука, 2010. – 199 c . – ISBN 978-5-02-037494-2. – С.85-94.
  33. Махвиладзе, Т.М. Расширенный химический механизм осаждения пленок нитрида кремния из химически активной газовой фазы (ab initio моделирование) / Т.М.Махвиладзе, А.Х. Минушев, М.Е.Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. – С.66-84.
  34. Митропольский, Ю.И. Развитие технологии, архитектуры и методов проектирования высокопроизводительных вычислительных систем / Ю.И.Митропольский // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 21; гл.ред. А.А.Орликовский; отв.ред. Т.М.Махвиладзе. – М.:Наука, 2011.- 199с. – ISBN 0868-7129. – С.31-54.
  35. Qviller, A.J. INTERMITTENT FLUX PENETRATION AT DIFFERENT TEMPERATURES IN YBA2CU3O7-X ON NDGAO3 SUBSTRATES / A.J.Qviller, V.Yurchenko, J.I.Vestgarden, T.H.Johansen, Y.Galperin, P.B.Mozhaev, J.E.Mozhaeva, J.B.Hansen, C.S.Jacobsen // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 2011. V. 24. № 1-2. P. 179-181.

Pages: 1 2 3 4

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.