2010

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2010 год

Статьи:

  1. Зимин, С.П. САМОФОРМИРОВАНИЕ 0-D И 1-D НАНОСТРУКТУР ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА ПОД МАСКОЙ ТРАВЛЕНИЯ В ХОДЕ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ / С.П.Зимин, Е.С.Горлачев, И.И.Амиров, В.В.Наумов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т. 10. № 1-2. С. 200-203.
  2. Амиров, И.И. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПРИРОДНОГО АЛМАЗА / И.И.Амиров, А.Н.Магунов // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т. 10. № 1-2. С. 228-231.
  3. Богданов, Ю.И. Квантовая теория как унифицированная информационная модель статистических явлений / Дополнение к книге Бройер Х.-П., Петруччионе Ф. Теория открытых квантовых систем. – М.- Ижевск. РХД. – 2010. – С. 758- 814.
  4. Bogdanov, Yu.I. Statistical Estimation of the Efficiency of Quantum State Tomography Protocols / Yu.I.Bogdanov, G. Brida, M. Genovese, S.P.Kulik, E.V.Moreva, A.P.Shurupov // Phys. Rev. Lett. 2010. V.105. 010404.
  5. Bogdanov, Yu.I. et al. Statistical Estimation of Quantum Tomography Protocols Quality // arXiv: 1002.3477 [quant-ph]. 5 p.
  6. Богданов, Ю.И. Оптимизация протокола статистического восстановления поляризационных кубитов / Ю.И.Богданов, С. П. Кулик, Е. В. Морева, И. В. Тихонов, А. К. Гавриченко // Письма в ЖЭТФ. 2010. Т.91. Вып.12. C.755-761.
  7. Bogdanov, Y.I. OPTIMIZATION OF A QUANTUM TOMOGRAPHY PROTOCOL FOR POLARIZATION QUBITS / Y.I.Bogdanov, A.K.Gavrichenko, S.P.Kulik, I.V.Tikhonov, E.V.Moreva // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2010. V. 91. № 12. PС. 686-692.
  8. Богданов, А.Ю. Информационные аспекты интерференционных экспериментов «который путь» с микрочастицами / Ю.И.Богданов, К.А. Валиев, С.А. Нуянзин, А.К. Гавриченко // Микроэлектроника. 2010. Т.39. №4. С.243-264.
  9. Bogdanov, Yu.I., Valiev K.A., Gavrichenko A.K., Nuyanzin S.A. INFORMATION ASPECTS OF “WHICH-PATH” INTERFERENCE EXPERIMENTS WITH MICROPARTICLES / Yu.I.Bogdanov, K.A.Valiev, A.K.Gavrichenko, S.A.Nuyanzin // Russian Microelectronics. 2010. V. 39. № 4. P. 221-242.
  10. Брук, М.А. Механизм формирования и некоторые свойства тонких фторуглеродных пленок, нанесенных на пластины кремния путем электронно-лучевой полимеризации гексафторпропилена из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н. Жихарев, И.А. Волегова, А.В. Спирин, Н.В. Козлова, Э.Н. Телешов, В.А. Кальнов // Высокомолекулярные соединения. Серия Б. 2010. Т. 52. № 2. С. 330–335.
  11. Bruk, M.A. THE MECHANISM OF FORMATION AND SOME PROPERTIES OF THIN FLUOROCARBON FILMS DEPOSITED ONTO SILICON PLATES BY ELECTRON-BEAM POLYMERIZATION OF HEXAFLUOROPROPYLENE FROM THE VAPOR PHASE / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, N.V.Kozlova, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, V.A.Kal’Nov // Polymer Science. Series B. 2010. V. 52. № 1-2. P. 81-85.
  12. Vyurkov, V. Quantum computing based on space states without charge transfer / V.Vyurkov, S. Filippov, and L. Gorelik // Physics Letters A. 2010. V. 374. № 33. P. 3285-3291.
  13. Zakharova, A. ELECTRON OPTICAL SPIN POLARIZATION IN BROKEN-GAP HETEROSTRUCTURES / A.Zakharova, K.A.Chao, I.Semenikhin // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75210W.
  14. Semenikhina, I.A. INTERSUBBAND OPTICAL TRANSITIONS IN INAS/GASB QUANTUM WELLS / I.A.Semenikhina, A.A.Zakharova, K.A.Chao // Russian Microelectronics. 2010. Т. 39. № 1. С. 63-72.
  15. Семенихин, И.А. МЕЖПОДЗОННЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ ТИПА INAS/GASB / И.А.Семенихин, А.А.Захарова // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 1. С. 68-77.
  16. Дегтярев, А.В. Математическое моделирование влияния шероховатости поверхности фокусирующего канала на угловые характеристики пучка быстрых нейтральных частиц / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. №6. С. 430-435.
  17. Kudrya, V.P. EXCITATION MECHANISM OF THE B+ EMISSION LINE AT 345.1 NM IN LOW-TEMPERATURE PLASMAS / V.P. Kudrya // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.752109.
  18. Degtyarev, A.V. SIMULATION RESULTS FOR THREE NEUTRALIZATION CHANNEL DESIGNS OF A FAST NEUTRAL BEAM SOURCE / A.V.Degtyarev, V.P.Kudrya, Yu.P.Maishev // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75211G.
  19. Маишев, Ю.П. Установка прецизионного реактивного ионно-лучевого травления наноструктур для автоэмиссионных приборов / Ю.П.Маишев, Ю.П.Терентьев, С.Л.Шевчук, Н.И.Татаренко, В.А.Голиков // Микроэлектроника. 2010. Т.39. №4. С.253-262.
  20. Маковийчук, М.И. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ФЛИККЕР-ШУМОВОЙ ГАЗОВОЙ СЕНСОРИКИ / М.И.Маковийчук, А.Л.Чапкевич, А.А.Чапкевич // Русский инженер. 2010. № 26-27. С. 30-36.
  21. Makhviladze, Т. Electromigration theory and its applications to integrated circuit metallization / Т.Makhviladze, M. Sarychev // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.752117.
  22. Валиев, К.А. Теория и моделирование нано- и микропроцессов разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации интегральных микросхем. Часть II. Деградация и объемное разрушение поликристаллической проводящей линии / К.А.Валиев Р.В. Гольдштейн, Ю.В. Житников, Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 3. С. 163-176.
  23. Valiev, K.A. NANO-AND MICROMETER-SCALE THIN-FILM-INTERCONNECTION FAILURE THEORY AND SIMULATION AND METALLIZATION LIFETIME PREDICTION, PART 2: POLYCRYSTALLINE-LINE DEGRADATION AND BULK FAILURE / K.A.Valiev, R.V.Goldstein, Yu.VZhitnikov., T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2010. Т. 39. № 3. С. 145-157.
  24. Makhviladze, Т. Projection photolithography modeling using the finite-difference time-domain approach / Т.Makhviladze, M.Sarychev // Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.752103.
  25. Alekseev, I. Modeling of the interfacial separation work in relation to impurity concentrations in adjoining materials / I.Alekseev, T. Makhviladze, A. Minushev, M. Sarychev // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.7521C.
  26. Goldstein, R. The thermodynamic theory of interfacial adhesion between materials containing point defects // R.Goldstein, T.Makhviladze, M.Sarychev / Proc.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.7521B.
  27. Makhviladze, Т. Advanced atomic-scale simulation of silicon nitride CVD from dichlorosilane and ammonia / Т.Makhviladze, A. Minushev // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75211А.
  28. Махвиладзе, Т.М. Моделирование влияния механических напряжений на кинетику роста кислородных преципитатов в кремнии / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Математическое моделирование физико-механических процессов. – Вестник Пермского национального исследовательского политехнического университета. Механика. 2010. № 1. С. 35-49.
  29. Yurchenko, V.V. Anisotrophic currents and flux jumps in high-Tc superconducting films with self-organized arrays of planar defects / V.V.Yurchenko, A.J. Qviller, P.B. Mozhaev, J.E. Mozhaeva, J.B. Hansen, C.S. Jacobsen, I.M. Kotelyanskii, A.V. Pan, T.H. Johansen // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2010. V. 470. № 19. P. 799-802.
  30. Мордвинцев, В. М. Влияние давления газовой среды и длительности управляющих импульсов на стабильность характеристик элементов памяти на основе электроформованных структур Si-SiO2-W / В. М.Мордвинцев, С.Е.Кудрявцев, В.Л.Левин, Л.А.Цветкова // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 5. С. 337-347.
  31. Miakonkikh, А. Application of Langmuir probe technique in depositing plasmas for monitoring of etch process robustness and for end-point detection / А.Miakonkikh, K.Rudenko // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75210A.
  32. Валиев, К.А. Кремниевая наноэлектроника: проблемы и перспективы / К.А. Валиев, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский // Успехи современной радиоэлектроники. 2010. №.6. С.7-22.
  33. Валиев, К.А. ИЗМЕРЕНИЕ ЛИНЕЙНЫХ РАЗМЕРОВ КРЕМНИЕВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НАНОРЕЛЬЕФА С ПРОФИЛЕМ, БЛИЗКИХ К ПРЯМОУГОЛЬНОМУ, МЕТОДОМ ДЕФОКУСИРОВКИ ЭЛЕКТРОННОГО ЗОНДА РЭМ / К.А.Валиев, В.П.Гавриленко, Е.Н.Жихарев, М.А.Данилова, В.А.Кальнов, Ю.В.Ларионов, В.Б.Митюхляев, А.А.Орликовский, А.В.Раков, П.А.Тодуа, М.Н.Филиппов // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 6. С. 420-425.
  34. Khorin, I.A. Hf-based barrier layers for Cu-metallization / I.A.Khorin, Yu. I.Denisenko, V.N.Gusev, A.A.Orlikovsky, A.E.Rogozhin, V.I.Rudakov, A.G.Vasiliev // Proc. SPIE. – 2010. – V. 7521. – P.75210J-1.
  35. Rogozhin, А.Е. CoSi2/TiO2/SiO2/Si gate structure formation / А.Е.Rogozhin, I.A Khorin, V.V. Naumov, A.A. Orlikovsky, V.V. Ovcharov, V.I. Rudakov, A.G. Vasiliev // Proce.SPIE. – 2010. – V. 7521. – P. 75210L. – doi:10.1117/12.854302

Pages: 1 2 3 4

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.