2009

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2009 год

Статьи:

  1. Шумилов, С.А. Моделирование эффектов формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом циклическом процессе / С.А.Шумилов, И.И.Амиров, В.Ф.Лукичев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. №6. С.428-435.
  2. Zimin, S.P. Micromasking efert and nanostuctures self-formation on the surface of lead chalcoenide epitaxial films on Si substrates during argon plasma treatment / S.P.Zimin, E.S.Gorlachev, I.I.Amirov, H. Zong // J.Phys.D: Appl. Phys. 2009. V.42. N16. P.165205
  3. Амиров, И.И. Плазменные процессы глубокого травления кремния в технологии микросистемной техники / И.И. Амиров, О.В.Морозов, А.В.Постников, В.А.Кальнов, А.А.Орликовский, К.А.Валиев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование.Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С.159-174.
  4. Shumilov, A.S. SIMULATION OF THE EFFECTS OF DEEP GROOVING IN SILICON IN THE PLASMOCHEMICAL CYCLIC PROCESS / A.S.Shumilov, I.I.Amirov, V.F.Lukichev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P.385-392.
  5. Бачурин, В.И. Влияние облучения ионами аргона на образование интерметаллических соединений в системе никель-алюминий / В.И.Бачурин, С.А.Кривелевич // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 4. С. 63-66.
  6. Moreva, E. V. Optimal protocol for polarization ququart state tomography / E.V.Moreva, Yu I. Bogdanov, A.K. Gavrichenko, I.V. Tikhonov and S.P. Kulik // Applied Mathematics & Information Sciences. – 2009. – 3(1). – C.1-12.
  7. Богданов, Ю.А. Унифицированный метод статистического восстановления квантовых состояний, основанный на процедуре очищения / Ю.А.Богданов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2009. Т.135. Вып.6. C.1068-1078.
  8. Bogdanov, Yu.I. UNIFIED STATISTICAL METHOD FOR RECONSTRUCTING QUANTUM STATES BY PURIFICATION / Yu.I.Bogdanov // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2009. V. 108. № 6. P. 928-935.
  9. Бочкарев, В.Ф. ПОЛУЧЕНИЕ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОК ПЛАЗМОСТИМУЛИРУЮЩИМ МЕТОДОМ / В.Ф.Бочкарев, В.В.Овчаров // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 176-180.
  10. Бочкарев, В.Ф. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХТОНКИХ FE-NI ПЛЕНОК ПРИ ПЛАЗМОСТИМУЛИРОВАННОМ МЕТОДЕ ОСАЖДЕНИЯ / В.Ф.Бочкарев, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 181-187.
  11. Валиев, К.А. Перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах / К.А.Валиев, А.А.Кокин // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование.Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . -ISBN 978-5-02-036976-4. – С.17-35.
  12. Khomyakov, A.N. A SEMIANALYTICAL MODEL OF A THIN-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR / A.N.Khomyakov, V.V.V’yurkov // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 393-405.
  13. Хомяков, А.Н. ПОЛУАНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ТОНКИМ КАНАЛОМ / А.Н.Хомяков, В.В.Вьюрков // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 6. С. 436-448.
  14. Семенихин, И.А. Межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны / И.А.Семенихин, А.А.Захарова, К.А.Чао // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С. 57.
  15. Изюмов, М.О. Электростатический прижим с температурной стабилизацией полупроводниковых пластин при плазменной обработке / М.О.Изюмов // Приборы и техника эксперимента. 2009. № 6. С. 131-132.
  16. Zvezdin, A.K. Toroidal moment in the molecular magnet V15. / A.K.Zvezdin, V.V.Kostyuchenko, A.I.Popov, A.F.Popkov, and A.Ceulemans // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. 172404.
  17. Kostyuchenko, V.V. Finite Size Effects in Field-Induced Transitions in Magnetic Multilayers / V.V.Kostyuchenko // Solid State Phenomena. 2009. V. 152-153. P. 245-248 .
  18. Костюченко, В.В. Индуцированные магнитным полем переходы в анизотропных магнетиках с двумя точками компенсации / В.В.Костюченко // Физика твердого тела. 2009. Т.51. Вып. 2. С. 316-319.
  19. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование наклонного канала нейтрализации плазменного источника нейтральных пучков / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. №3. С.188-197.
  20. Дегтярёв, А.В. Математическое моделирование канала нейтрализации источника пучков быстрых нейтральных частиц / А.В.Дегтярёв, В.П.Кудря, Ю.П.Маишев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С.136-158.
  21. Маишев, Ю.П. ИСТОЧНИКИ ИОНОВ И ИОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ НАНЕСЕНИЯ И ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ / Ю.П.Маишев, Ю.П.Терентьев, С.Л.Шевчук // Интеграл. 2009. № 5. С. 10-12.
  22. Маковийчук, М.И. Фликкер-шумовой газовый сенсор / М.И.Маковийчук, А.Л.Чапкевич, А.А.Чапкевич, В.А.Винокуров // Медицинская техника. – 2009. – Т.43. – №3. – С.5-10.
  23. Валиев, К.А. Теория и моделирование нано- и микропроцессов разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации интегральных микросхем. Часть 1. Общая теория переноса вакансий, генерации механических напряжений и зарождения микрополостей при электромиграции. Деградация и разрушение многоуровневой металлизации / К.А.Валиев, Р.В.Гольдштейн, Ю.В.Житников, Т.М.Махвиладзе, М.Е.Сарычев // Микроэлектроника. 2009. Т.38. № 6. С.404-427.
  24. Гольдштейн, Р.В. Влияние примесей на работу отрыва по границе соединенных материалов / Р.В.Гольдштейн, Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // Поверхность. 2009. № 12. С. 73-78.
  25. Махвиладзе, Т.М. Теория электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников и ее приложения / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175с.- ISBN 978-5-02-036976-4. – С.85-110.
  26. Махвиладзе, Т.М. Термодинамический анализ прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов / Т.М.Махвиладзе, М.Е. Сарычев // В кн:Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175с.- ISBN 978-5-02-036976-4. – С.111-134.
  27. Valiev, K.A. NANO- AND MICROMETER-SCALE THIN-FILM-INTERCONNECTION FAILURE THEORY AND SIMULATION AND METALLIZATION LIFETIME PREDICTION, PART 1: A GENERAL THEORY OF VACANCY TRANSPORT, MECHANICAL-STRESS GENERATION, AND VOID NUCLEATION UNDER ELECTROMIGRATION IN RELATION TO MULTILEVEL-METALLIZATION DEGENERATION AND FAILURE / K.A.Valiev, R.V.Goldstein, Yu.V.Zhitnikov, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Russian Microelectronics. 2009. V. 38. № 6. P. 364-384.
  28. Gol’dshtein, R.V. INFLUENCE OF IMPURITIES ON THE WORK OF SEPARATION ALONG THE INTERFACE OF JOINED MATERIALS / R.V.Gol’dshtein, T.M.Makhviladze, M.E.Sarychev // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2009. V. 3. № 6. P. 956-961.
  29. Можаев, А.В. Трехмерное моделирование динамических процессов формирования микрокластеров в кристаллической матрице / А.В.Можаев, Э.Ю.Бучин, А.В.Проказников // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 3. С. 1-7.
  30. Можаев, А.В. Расчет потенциала в моделях кластерного роста / А.В.Можаев, А.В.Проказников // Вычислительные методы и программирование. 2009. Т. 10. С. 24-27.
  31. Можаев, А.В. Компьютерное моделирование процессов формирования микрокластеров на основе масштабной инвариантности случайных блужданий / А.В.Можаев, А.В.Проказников // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 5. С. 323-330.
  32. Мордвинцев, В. М. Электроформовка как процесс самоформирования проводящих наноструктур для элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти / В. М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев, В. Л.Левин // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 174-182.
  33. Мордвинцев, В. М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводящих наноструктурах / В. М.Мордвинцев, С. Е.Кудрявцев, В. Л.Левин // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1-2. С. 183-191.
  34. Наумов, В.В. Увеличение адгезии металлических пленок к кремнию с помощью ионной бомбардировки в процессе их роста / В.В.Наумов, В.Ф.Бочкарев, Э.Ю.Бучин // ЖТФ. 2009. Том 79. Вып. 7. С. 146-149.
  35. Наумов, В.В. Магнетосопротивление многослойных структур, полученных магнетронным методом / В.В.Наумов, Э.Ю.Бучин // Микроэлектроника. 2009. Том 38. № 5. С. 369-373.
  36. Наумов, В.В. Зависимость экваториального эффекта Керра от угла падения света для сверхтонких пленок кобальта и мультислоев Сo/Сu/Сo. / В.В.Наумов, В.А.Папорков, М.В. Лоханин // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 4. С. 273-279.
  37. Gavrilenko, V.P. Measurement of dimentions of resist mask elements below 100 nm with help of a scanning electron microscope / V.P.Gavrilenko, V.A.Kalnov, Yu.A.Novikov, A.A.Orlikovsky, A.V.Rakov, P.A.Todua, K.A.Valiev, E.N.Zhikharev // Proc. SPIE. – 2009. – V.7272 (Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXIII, ed. вy John A.Allgair, Christopher J. Raymond). – P.727227.
  38. Валиев, К.А. НАНОЭЛЕКТРОНИКА, ч.1. Введение в наноэлектроннику / К.А.Валиев, В.В.Вьюрков, В.А.Гридчин, В.П.Драгунов, А.А.Кокин, И.Г.Неизвестный, А.А.Орликовский, Ю.С.Протасов, И.А.Семенихин; под ред.А.А.Орликовского . – М: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2009. – 720 с. – ISBN 978-5-7038-3392-6.
  39. Валиев, К.А. От микро- и наноэлектроники к твердотельным квантовым компьютерам / К.А.Валиев, А.А.Орликовский. – В кн.: Базовые лекции по электронике. Под ред. В.М.Пролейко. Том 2. Твердотельная электроника. Техносфера. М: 2009. – С.72-95.
  40. Вьюрков, В.В. Эволюция моделей транзистора: от классических к квантовым / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, И.А.Семенихин, А.Н.Хомяков // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 20; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. А.А.Орликовский. – М.: Наука, 2009. – 175 с . – ISBN 978-5-02-036976-4. – С.66-84.

Pages: 1 2 3

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.