2008

Список публикаций сотрудников ФТИАН РАН за 2008 год

Статьи:

  1. Амиров, И.И. Формирование микроструктур на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом траление/пассивация процессе / И.И.Амиров, Н. В. Алов // Химия высоких энергий. 2008. Т. 42. №2. С.164-168.
  2. Амиров, И.И. Механизм формирования микроигл на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом траление/осаждение процессе / И.И.Амиров, А. С. Шумилов // Химия высоких энергий. 2008. Т. 42. №5. С.446-450.
  3. Зимин, С.П. Формирование микро- и наноструктур на поверхности эпитаксиальных пленок A4В6 при обработке в аргоновой плазме / С.П.Зимин, Е.С.Горлачев, И. И.Амиров, М. Н. Герке // Микроэлектроника. 2008. Т.37. №2. С.200-212.
  4. Postnikov, A.V. Simulation, fabrication, and dynamics characteristics of electrostatically actuated switches / A.V.Postnikov, I. I.Amirov; V.V.Naumov, V.A.Kalnov // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025.
  5. Постников, А.В. Автоматизированный лазерный термометр для исследования плазменных процессов микротехнологии / А.В.Постников, И.Н.Косолапов, А.Н.Куприянов, И.И.Амиров, А.Н.Магунов // Приборы и техника эксперимента. 2008. №2. С.173-176.
  6. Bogdanov, Yu.I. Quantum theory with hidden variables and dynamic chaos / Yu.I.Bogdanov // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7023. – P.702303.
  7. Богданов, Ю.И. Исследование статистической природы неравенств Белла / Ю.И.Богданов // Микроэлектроника. 2008. Т.37. №5. С. 352- 369.
  8. Bogdanov, Yu.I. INVESTIGATION INTO THE STATISTICAL NATURE OF BELL’S INEQUALITIES // Russian Microelectronics. 2008. V. 37. № 5. P. 308-321.
  9. Богданов, А.Ю.Томографический метод моделирования квантовых систем / А.Ю.Богданов, Ю.И. Богданов, А.К. Гавриченко // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. – Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C. 23 – 46.
  10. Moreva, E. V. Optimal protocol for polarization ququart state tomography / E.V. Moreva, Yu I.Bogdanov, A.K.Gavrichenko, I.V.Tikhonov and S.P.Kulik // Applied Mathematics & Information Sciences 2009; LANL report quant-ph/0811.1927.
  11. Аверичкин, П.А. Структурные превращения винилсилсесквиоксанов в пленках при термообработке в различных газовых средах / П.А.Аверичкин, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев, С.Л.Шевчук, А.А.Шлёнский // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C.78-86.
  12. Брук, М.А. Свойства тонких пленок из политетрафторэтилена, нанесенных на твердые субстраты методом электронно-лучевой полимеризации из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов // Высокомолекулярные соединения. 2008. Т.50. N8. С.1566-1571.
  13. Bruk, M.A. PROPERTIES OF THIN POLY (TETRAFLUOROETHYLENE) FILMS DEPOSITED ON SOLID SUBSTRATES BY ELECTRON BEAM POLYMERIZATION FROM VAPOR PHASE / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, T E.N.eleshov, E.N.Zhikharev, V.A.Kal’nov // Polymer Science. Series B. 2008. V. 50. № 7-8. P. 204-208.
  14. Брук, М.А. Прямое безрезистное нанесение изображения литографической маски электронно-лучевым осаждением из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Журнал физической химии. 2008. Т.82. N10. С.1943-1949.
  15. Брук, М.А. Нанесение маскирующего изображения методом электронно-лучевого осаждения из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Химия высоких энергий. 2008. Т.42. №2. С.134-142.
  16. Bruk, M.A. Mask image formation by electron beam deposition from vapor phase / M.A.Bruk, E.N.Zhikharev, S.L.Shevchuk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, V.A.Kalnov, Yu.P.Maishev // Proc. SPIE. – 2008. – V.7025. – P.702508.
  17. Брук, М.А. Некоторые закономерности безрезистного формирования маскирующего изображения методом электронно-лучевого осаждения из паровой фазы / М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, С.Л.Шевчук, И.А.Волегова, А.В.Спирин, Э.Н.Телешов, В.А.Кальнов, Ю.П.Маишев // Химия высоких энергий. 2008. Т.42. №5. С.407-412.
  18. Bruk, M.A. FORMATION OF MASKING PATTERN BY ELECTRON BEAM-INDUCED VAPOR DEPOSITION / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, S.L.Shevchuk, V.A.Kal’nov, Yu.P.Maishev // High Energy Chemistry. 2008. Т. 42. № 2. С. 105-112.
  19. Bruk, M.A. A NEW TYPE OF NANOSTRUCTURE IN SI/C COMPOSITE ELECTRODES FOR LITHIUM-ION BATTERIES / M.A.Bruk, A.V.Klochikhina, Yu.E.Roginskaya, V.A.Bespalov, B.A.Loginov, V.B.Loginov, N.A.Degtyarev, I.D.Zefirov, V.A.Kal’nov, T.L.Kulova, A.V.Skundin // Inorganic Materials. 2008. Т. 44. № 10. С. 1086-1090.
  20. Брук, М.А. НОВЫЙ ТИП НАНОСТРУКТУРЫ В SI/C-ЭЛЕКТРОДАХ ДЛЯ ЛИТИЙ-ИОННЫХ АККУМУЛЯТОРОВ / М.А.Брук, В.А.Беспалов, Б.А.Логинов, В.Б.Логинов, Н.А.Дегтярев, Н.А.Дегтярев, И.Д.Зефиров, В.А.Кальнов, А.В.Клочихина, Т.Л.Кулова, Ю.Е.Рогинская, А.М. Скундин // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 10. С. 1213-1217.
  21. Roginskaya, Yu.E. A NEW TYPE OF THE NANOSTRUCTURED COMPOSITE SI/C ELECTRODES / Yu.E.Roginskaya, T.L.Kulova, A.M.Skundin, E.N.Zhikharev, V.A.Kal’Nov, V.B.Loginov, M.A.Bruk // Russian Journal of Electrochemistry. 2008. Т. 44. № 11. С. 1197-1203.
  22. Рогинская, Ю.Е. НОВЫЙ ТИП НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ КОМПОЗИТНЫХ SI/C ЭЛЕКТРОДОВ / Ю.Е.Рогинская, Т.Л.Кулова, А.М.Скундин, М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, В.А.Кальнов, В.Б.Логинов // Электрохимия. 2008. Т. 44. № 11. С. 1289-1296.
  23. Bruk, M.A. FEATURES OF RESIST-FREE FORMATION OF MASKING PATTERN BY ELECTRON BEAM-INDUCED VAPOR DEPOSITION / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, .L.Shevchuk, V.A.Kal’nov, Yu.P.Maishev // High Energy Chemistry. 2008. Т. 42. № 5. С. 360-365.
  24. Рогинская, Ю.Е. ВНЕДРЕНИЕ ЛИТИЯ В КРЕМНИЕВЫЕ ПЛЕНКИ, ПОЛУЧЕННЫЕ МАГНЕТРОННЫМ НАПЫЛЕНИЕМ / Ю.Е.Рогинская, Т.Л.Кулова, А.М.Скундин, М.А.Брук, Е.Н.Жихарев, В.А.Кальнов // Электрохимия. 2008. Т. 44. № 9. С. 1069-1078.
  25. Roginskaya, Yu.E. THE STRUCTURE AND PROPERTIES OF A NEW TYPE OF NANOSTRUCTURED COMPOSITE SI/C ELECTRODES FOR LITHIUM ION ACCUMULATORS / Yu.E.Roginskaya, M.A.Bruk, A.V.Klochikhina, N.V.Kozlova, T.L.Kulova, A.M.Skundin, V.A.Kal’Nov, B.A. Loginov // Russian Journal of Physical Chemistry A. 2008. Т. 82. № 10. С. 1655-1662.
  26. Bruk, M.A. THE DIRECT RESIST-FREE DEPOSITION OF A LITHOGRAPHIC MASK FROM VAPOR INITIATED BY AN ELECTRON BEAM / M.A.Bruk, I.A.Volegova, A.V.Spirin, E.N.Teleshov, E.N.Zhikharev, S.L.Shevchuk, V.A.Kal’nov, Y.P.Maishev // Russian Journal of Physical Chemistry A. 2008. Т. 82. № 10. С. 1742-1747.
  27. Валиев, К.А. Поиск оптимальной маски в проекционной фотолитографии, как решение обратной задачи (теоретические исследования) / К.А.Валиев, А.А.Кокин // В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – С.113-138.
  28. Vyurkov, V.V. All-quantum simulation of an ultra-small SOI MOSFET / V.V.Vyurkov, I.Semenikhin, V.Lukichev, A.Burenkov, A.Orlikovsky // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025. – P.70251K. ( ISSN: 0277-786X; ISBN: 978-0-8194-7238-0. doi: 10.1117/12.802532).
  29. Вьюрков, В.В. Квантовое моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский, И. А.Семенихин, А.Н.Хомяков // – В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C.195-216.
  30. Vyurkov, V.V. Effect of Coulomb scattering on graphene conductivity / V.V.Vyurkov, V.Ryzhii // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2008. V. 88. № 5. P. 322-325.
  31. Вьюрков, В.В. Международная конференция по микро-наноэлектронике (ICMNE-2007) / В.В.Вьюрков, В.Ф.Лукичев, К.В.Руденко, А.А.Орликовский // Интеграл. 2008. – № 1. – С. 4-5.
  32. Ефремов, М.Д. Вариация края поглощения света в пленках SiNx с кластерами кремния / М.Д.Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Попов // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 2. С.202-207.
  33. Arzhannikova, S.A. Photoinduced variation of capacitance characteristics of MDS-structures with three-layer SiNx dielectrics / S.A.Arzhannikova,M.D. Efremov, V.A. Volodin, G.N. Kamaev, D.V. Marin, V.S. Shevchuk, S.A. Kochubei, A.A. Popov, Yu.A. Minakov // Solid State Phenomena. 2008. V.131-133. P. 461-466.
  34. Semenikhin, I. Effect of nonrelativistic interface Hamiltonian on optical transitions in broken-gap heterostructures / I.Semenikhin, A.Zakharova, K.A.Chao // Phys. Rev. B. 2008. V.77. 113307.
  35. Semenikhin, I. Intersubband optical transitions in InAs/GaSb broken-gap quantum wells / I.Semenikhin, A.Zakharova, K.Nilsson, K.A.Chao // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025. – P. 70250K.
  36. Zakharova, A. Optical absorption of polarized light in InAs/GaSb quantum wells / A.Zakharova, I.Semenikhin, K.A. Chao // Semiconductor Science and Technology. 2008. V. 23. № 12. P.5044.
  37. Kokin, A.A. An investigation of the antiferromagnet-based NMR quantum register in inhomogeneous magnetic field / A.A.Kokin, B.A.Kokin // Proc. SPIE. – 2008.- V. 7023. – P. 70230B.
  38. Костюченко, В.В. Обменные взаимодействия и спиновые состояния в магнитном молекулярном нанокластере V15. / В.В.Костюченко, М.В.Костюченко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2008. Т.134. N 4(10). С. 697–705.
  39. Kostyuchenko, V.V. Finite size effects in antiferromagnetic multilayers / V.V.Kostyuchenko // Proc. SPIE. – 2008. – V. 7025. – P. 70250T.
  40. Кудря, В.П. Процессы ионизации электронным ударом в плазме BF3 / В.П.Кудря // – В кн: Труды ФТИАН: Квантовые компьютеры, микро и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика, моделирование. Том 19; гл.ред. К.А.Валиев; отв.ред. В.Ф.Лукичев. – М.: Наука, 2008. – 247c . – ISBN 978-5-02-036641-1. – C.170-184.

Pages: 1 2 3 4

Leave a Reply

Your email address will not be published.

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.