Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН) фтиан

Последние новости 12.03.2019    Фонд развития теоретической физики и математики «БАЗИС» проводит грантовые конкурсы 2019 года «PostDoc», «Junior PostDoc» и «PhD Student»    Дедлайн: 25 апреля 2019    Поддержка талантливых кандидатов наук, аспирантов и молодых ученых без степени, проводящих теоретические исследования в области фундаментальной физики.    Заявки принимаются через электронную систему по адресу https://basis-foundation.ru/application. 12.03.2019    Конференции:        1) XVI Международная конференция «Спектроскопия координационных соединений»    Конференция посвящена актуальным вопросам состояния и перспектив развития спектроскопических методов исследования координационных соединений.    Дедлайн: 15 апреля 2019    Дата проведения:16-21 сентября 2019    Подробности на сайте конференции.        2) 7-я Международная школа для молодых учёных RACIRI-2019    Организатор: НИЦ «Курчатовский институт»    Дата проведения: 4-11 августа 2019    Подробности на сайте школы. 08.02.2019    Поздравление Министра науки и высшего образования Российской Федерации Михаила Котюкова с Днем российской науки     07.02.2019    В соответствии с поручением Министра науки и высшего образования Российской Фудерации М. М. Котюкова приводим следующую информацию:    Профилактика гриппа и ОРВИ    Основные факты о гриппе     04.02.2019    Информация о конкурсах:        1. Открытый конкурсный отбор интердисциплинарных научных проектов        Организатор: Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО)    Дедлайн конкурса: 28 февраля 2019        Проект должен удовлетворять критерию интердисциплинарности, то есть объединять над решением единой задачи специалистов, работающих не менее чем в двух из следующих областей:    -Фотоника, оптика, лазеры, оптические материалы и технологии;    -Информационные технологии, программирование, информационные и компьютерные сети;    -Управление, робототехника, мехатроника, навигация, электропривод;    -Биотехнологии, пищевые технологии, фармацевтика;    -Урбанистика, архитектура, логистика;    -Медицина, генетика, науки о жизни.        Подробности на сайте http://news.ifmo.ru/ru/contest/48845/            2. Исследовательские гранты 2019 года в области фундаментальной физики для научных групп        Организатор: Фонд развития теоретической физики и математики «БАЗИС»    Дедлайн конкурса: 20 марта 2019        В рамках конкурса поддержку могут получить научные группы, состоящие из ведущего ученого (Руководитель) и работающих под его руководством молодых кандидатов наук, аспирантов, молодых ученых без степени и студентов старших курсов (Молодой участник).    Минимальное количество молодых участников научной группы – 2 человека, максимальное – 4 человека, в том числе не более 1 кандидата наук, не более 2 аспирантов или молодых ученых без степени и не более 3 студентов.        Подробности на сайте https://basis-foundation.ru/general-competitions/theorphysics/research-grants/leader/     26.12.2018    Новогоднее поздравление Министра науки и высшего образования Российской Федерации Михаила Котюкова руководству и сотрудникам научных организаций 25.12.2018    Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности заместителя директора по научной работе Ярославского филиала ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.    Конкурс будет проводиться 07 февраля 2019 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.    Дата окончания приема заявок 10.00 29.01.2019 г.        Телефон для справок: (499)125-76-20, (499)129-49-57     Архив новостей

Полезные ссылки Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Все ссылки  Голосование Каким броузером вы пользуетесь? Internet explorer Firefox Opera Maxthon (myIE) Другим Всего голосов:1245 Посмотреть результаты

   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович.
   Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. Среди учеников К. А. Валиева — члены-корреспонденты РАН, доктора наук, руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

   В настоящее время академик Камиль Ахметович Валиев является советником РАН и научным руководителем института.

Среди фундаментальных проблем:

• физика и элементная база квантовых компьютеров;
• физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
• рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
• исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
• исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
• научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
• модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.

• разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
• разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
• разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
• разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
• разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
• разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
• разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;

В составе института работают пять лабораторий:

• Лаборатория физики квантовых компьютеров (академик К. А. Валиев);
• Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
• Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
• Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (член-корреспондент РАН А. М. Афанасьев);
• Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
• Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
• Учебно-научный центр ФТИАН-МГУ им. М. В. Ломоносова;

• базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• кафедра квантовой информатики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• аспирантура;
• специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);