Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН) фтиан

Последние новости 01.05.2020    ВНИМАНИЕ! В связи с пандемией COVID-19 и связанной с ней неопределенностью ситуации, Оргкомитет ICMNE-2020 принял решение о переносе сроков очередной конференции на период 4-8 октября 2021 года.    Берегите себя. Надеемся увидеть вас на нашей конференции в 2021 году. 22.04.2020    С 20 апреля 2020 года открывается регистрация заявок на конкурс на соискание премии Правительства Москвы молодым учёным за 2020 год.        Победителям присуждаются премии в размере 2 млн. рублей каждая, а также вручаются дипломы лауреатов.        Для участия в конкурсе необходимо зарегистрироваться на официальном сайте Конкурса https://nauka.mos.ru/control/registration, заполнить необходимые данные в личном кабинете, загрузить файлы.        Подробнее о материалах, которые необходимо подать, можно узнать в разделе «Документы» на сайте http://nauka.mos.ru 28.03.2020    Уважаемые сотрудники!        Согласно Указу Президента РФ от 25 марта 2020 года № 206 "Об объявлении в Российской Федерации нерабочих дней" в целях обеспечения санитарно-эпидемиологического благополучия населения на территории Российской Федерации установлены с 30 марта по 30 апреля 2020 г. установлены нерабочие дни с сохранением за работниками заработной платы.                Дирекция ФТИАН им.К.А.Валиева РАН просит Вас во избежание распространения коронавирусной инфекции в указанный период соблюдать домашний режим, ограничить контакты и посещение общественных мест. В случае заражения Вас или членов Вашей семьи просим обеспечить режим самоизоляции для всех членов семьи с немедленным оповещением своего непосредственного руководителя.        Дирекция ФТИАН им.К.А.Валиева РАН 20.03.2020    Мероприятия по противодействию распространения коронавируса COVID-19        План мероприятий по предупреждению распространения коронавирусной инфекции (СОVID-19)     05.03.2020    Информация о конкурсах и конференциях:     Всероссийский научный конкурс «Инновации в реализации приоритетных направлений развития науки и технологий» с 05.03.2020 по 30.05.2020 Организатор: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет» (РТУ МИРЭА) Конкурс проводится по приоритетным направлениям развития науки и техники в соответствии с Государственной программой «Научно-технологическое развитие Российской Федерации» (постановление Правительства Российской Федерации от 29 марта 2019 года № 377) и Программой фундаментальных научных исследований государственных академий наук на 2013-2020 годы (распоряжение Правительства Российской Федерации от 3 декабря 2012 г. № 2237-р). К участию в конкурсе приглашаются коллективы, под руководством молодых ученых (от 18 до 39 лет). Участие в конкурсе бесплатное. первый этап – заочный (отборочный), проходит в online-режиме    с 05 марта 2020 года по 15 апреля 2020 года.     http://innov.mirea.ru/ 02.03.2020    Информация о конкурсах и конференциях:    15-ая международная конференция "Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors" (BIAMS) пройдет с 19 по 24 июля 2020 г. в Санкт-Петербурге (гостиница «Россия»). Конференция посвящена методам, основанным на взаимодействии пучка (электронного, оптического, зондового, ионного) с твердым телом. Области применения методов: лазерные структуры, фотовольтаика, микро- и наноэлектроника, деградация устройств, дефекты в полупроводниках, реверс-инжиниринг, нанофотоника, квантовая оптика и т.д. BIAMS2020.org Контакты:    email: info@BIAMS2020.org    тел.: +7(931)-346-77-43 МФТИ 03 апреля 2020     Архив новостей

Полезные ссылки Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Все ссылки  Голосование Каким броузером вы пользуетесь? Internet explorer Firefox Opera Maxthon (myIE) Другим Всего голосов:1281 Посмотреть результаты

   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович.
   Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. Среди учеников К. А. Валиева — члены-корреспонденты РАН, доктора наук, руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

   В настоящее время академик Камиль Ахметович Валиев является советником РАН и научным руководителем института.

Среди фундаментальных проблем:

• физика и элементная база квантовых компьютеров;
• физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
• рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
• исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
• исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
• научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
• модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.

• разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
• разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
• разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
• разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
• разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
• разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
• разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;

В составе института работают пять лабораторий:

• Лаборатория физики квантовых компьютеров (академик К. А. Валиев);
• Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
• Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
• Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (член-корреспондент РАН А. М. Афанасьев);
• Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
• Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
• Учебно-научный центр ФТИАН-МГУ им. М. В. Ломоносова;

• базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• кафедра квантовой информатики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• аспирантура;
• специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);