Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Home | Dissertation council | Library | Developments | Publications | Seminars | Contacts

Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН)
фтиан

 Последние новости

28.03.2020
   Уважаемые сотрудники!
   
   Согласно Указу Президента РФ от 25 марта 2020 года № 206 "Об объявлении в Российской Федерации нерабочих дней" в целях обеспечения санитарно-эпидемиологического благополучия населения на территории Российской Федерации установлены с 30 марта по 30 апреля 2020 г. установлены нерабочие дни с сохранением за работниками заработной платы.
   
   
   
   Дирекция ФТИАН им.К.А.Валиева РАН просит Вас во избежание распространения коронавирусной инфекции в указанный период соблюдать домашний режим, ограничить контакты и посещение общественных мест. В случае заражения Вас или членов Вашей семьи просим обеспечить режим самоизоляции для всех членов семьи с немедленным оповещением своего непосредственного руководителя.
   
   Дирекция ФТИАН им.К.А.Валиева РАН

20.03.2020
   Мероприятия по противодействию распространения коронавируса COVID-19
   
   План мероприятий по предупреждению распространения коронавирусной инфекции (СОVID-19)
   

05.03.2020
   Информация о конкурсах и конференциях:


    Всероссийский научный конкурс «Инновации в реализации приоритетных направлений развития науки и технологий» с 05.03.2020 по 30.05.2020
Организатор: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет» (РТУ МИРЭА)
Конкурс проводится по приоритетным направлениям развития науки и техники в соответствии с Государственной программой «Научно-технологическое развитие Российской Федерации» (постановление Правительства Российской Федерации от 29 марта 2019 года № 377) и Программой фундаментальных научных исследований государственных академий наук на 2013-2020 годы (распоряжение Правительства Российской Федерации от 3 декабря 2012 г. № 2237-р).
К участию в конкурсе приглашаются коллективы, под руководством молодых ученых (от 18 до 39 лет).
Участие в конкурсе бесплатное.
первый этап – заочный (отборочный), проходит в online-режиме
   с 05 марта 2020 года по 15 апреля 2020 года.
   
http://innov.mirea.ru/



02.03.2020
   Информация о конкурсах и конференциях:


   15-ая международная конференция "Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors" (BIAMS) пройдет с 19 по 24 июля 2020 г. в Санкт-Петербурге (гостиница «Россия»).
Конференция посвящена методам, основанным на взаимодействии пучка (электронного, оптического, зондового, ионного) с твердым телом. Области применения методов: лазерные структуры, фотовольтаика, микро- и наноэлектроника, деградация устройств, дефекты в полупроводниках, реверс-инжиниринг, нанофотоника, квантовая оптика и т.д.
BIAMS2020.org
Контакты:
   email: info@BIAMS2020.org
   тел.: +7(931)-346-77-43

МФТИ
03 апреля 2020

   

17.02.2020
   Научный семинар
   «Моделирование физико-технологических процессов микро- и наноэлектроники»
   Проводится еженедельно по пятницам в 12-00, Мал. корпус ФТИАН, к. 203, тел. +79167903219.

13.02.2020
   Информация о конкурсах и конференциях:


   15-ая международная конференция "Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors" (BIAMS) пройдет с 19 по 24 июля 2020 г. в Санкт-Петербурге (гостиница «Россия»).
Конференция посвящена методам, основанным на взаимодействии пучка (электронного, оптического, зондового, ионного) с твердым телом. Области применения методов: лазерные структуры, фотовольтаика, микро- и наноэлектроника, деградация устройств, дефекты в полупроводниках, реверс-инжиниринг, нанофотоника, квантовая оптика и т.д.
Архив новостей
 Полезные ссылки

Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова
Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН

Все ссылки

 Голосование

Каким броузером вы пользуетесь?
Internet explorer
Firefox
Opera
Maxthon (myIE)
Другим


Всего голосов:1277

Посмотреть результаты




   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович.
Валиев Камиль Ахметович    Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. Среди учеников К. А. Валиева — члены-корреспонденты РАН, доктора наук, руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

   В настоящее время академик Камиль Ахметович Валиев является советником РАН и научным руководителем института.

Орликовский Александр Александрович    Директором ФТИАН избран Орликовский А. А.
   Орликовский Александр Александрович, родился 12 июня 1938 года, доктор технических наук, профессор, академик, зав. лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов.
   Работает в институте со дня его образования. В 1961 году закончил Московский инженерно-физический институт по кафедре электроники. До 1981 года разрабатывал физические и схемотехнические проблемы полупроводниковой памяти, что получило внедрение в электронной промышленности, выполнил ряд пионерских работ в этой области.
   С 1981 года работает в области физических основ технологических процессов микро- и наноэлектроники. Это циклы работ по технологии молекулярно-пучковой эпитаксии арсенида галлия на кремнии, по проблеме силидизации контактов в КМОП-технологии, технологии плазмохимического осаждения и травления (теория и эксперимент), мониторингу плазмохимических процессов, технологии имплантации сверхмелкозалегающих р-п переходов, разработке широкоапертурных источников плотной плазмы, разработке полностью автоматизированного плазмохимического оборудования, в том числе, плазмо-иммерсионных имплантеров.
   Последние годы А. А. Орликовский работает также над созданием технологии твердотельных квантовых компьютеров и технологии МДП-транзисторов с длинами канала порядка 10 нм, включая квантовое описание характеристик таких транзисторов.
   А. А. Орликовский – автор более 250 научных статей и монографии, является председателем Научного совета «Перспективные технологии и приборы микро- и наноэлектроники, элементы квантовых компьютеров» Отделения информационных технологий и вычислительных систем РАН, членом бюро Отделения, заместителем главного редактора журнала «Микроэлектроника».

 

Лукичев Владимир Федорович    Лукичев Владимир Федорович - заместитель директора ФТИАН по научной работе, доктор физико-математических наук.
   Родился 12 ноября 1954 года, в 1978 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.
   В институте работает со дня его основания, с апреля 2005 года – в должности заместителя директора по научной работе. Автор более 70 научных публикаций, ответственный секретарь журнала «Микроэлектроника», член ВАК РФ.

 

Кальнов Владимир Александрович    Кальнов Владимир Александрович, ученый секретарь института, родился в г. Москве 13 мая 1944 года. В 1969 году окончил Московский энергетический институт по специальности «Полупроводниковые приборы». С 1969 года по 1991 работал в НИИ «Сапфир». В 1989 году защитил кандидатскую диссертацию по проблеме ионно-лучевого травления в промышленной технологии создания функциональных элементов СБИС ЗУ ЦМД.
   С 1991 года и по настоящее время Кальнов В. А. работает в Физико-технологическом институте РАН на должности старшего научного сотрудника, в 1998 году избран ученым секретарем ФТИАН.
   Научные интересы Кальнова В. А. связаны с исследованиями в технологии микроэлектроники ВУФ излучения, в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем с полной диэлектрической изоляцией на основе кремниевых мембран, в прецизионной технологии осаждения тонких пленок для рентгеновских зеркал, в технологии микромеханики, в частности, для создания подвижных дифракционных решеток для малогабаритных акселерометров и спектрометров.
   Является автором более 80 научных работ и ряда изобретений. Является ученым секретарем секции «Информационные технологии и вычислительные системы» по присуждению премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники.

 

Скалкин Сергей Иванович    Скалкин Сергей Иванович, заместитель директора по общим вопросам, родился 17 марта 1951 года, в 1980 году окончил ВТУЗ при Московском автомобильном заводе им. И. А. Лихачева по специальности «Двигатели внутреннего сгорания». В Физико-технологическом институте работает с 2004 г., представляет интересы института в органах государственной власти и коммерческих структурах по вопросам финансово-хозяйственной деятельности и управления имуществом. Курирует деятельность отделов: материально-технического снабжения, эксплуатационно-технического, производственно-транспортного.




Институт ведет исследования как фундаментального, так и прикладного характера.

Среди фундаментальных проблем:

  • физика и элементная база квантовых компьютеров;
  • физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
  • рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
  • исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
  • исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
  • научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
  • модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.
Среди прикладных задач:
  • разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
  • разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
  • разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
  • разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
  • разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
  • разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
  • разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;
   В составе Института работают один академик, два члена-корреспондента РАН, 12 докторов и 22 кандидатов наук. Общая численность сотрудников института 100 чел.

Структура института

В составе института работают пять лабораторий:

  • Лаборатория физики квантовых компьютеров (академик К. А. Валиев);
  • Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
  • Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
  • Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (член-корреспондент РАН А. М. Афанасьев);
  • Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
  • Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
  • Учебно-научный центр ФТИАН-МГУ им. М. В. Ломоносова;
При институте работают:
  • базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
  • кафедра квантовой информатики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
  • аспирантура;
  • специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);
                              В рамках программы «Интеграция» ФТИАН сотрудничает с Московским инженерно-физическим институтом, Московским институтом электронной техники (ТУ), Московским государственным университетом им. М. В. Ломоносова.

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Международная конференция «Квантовая информатик»
Международная конференция «Квантовая информатика»


 26.03.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)


()

Семинар отменен

 24.03.2020 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

-
(-)

СЕМИНАР ОТМЕНЕН

 12.03.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Г. И. Стручалин
(Центр квантовых технологий МГУ имени М. В. Ломоносова)

Теневая томография

 27.02.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Эталонное оценивание методов квантовой томографии


Г. В. Авосопянц
(Центр квантовых технологий МГУ имени М. В. Ломоносова)

Характеризация линейно-оптических интегральных схем посредством корреляционных измерений тепловых полей

 25.02.2020 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Н. А. Симонов
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Концепция пятен для задач искусственного интеллекта и построения нейроморфных систем

 18.02.2020 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Спектроскопическое измерение зарядового кубита на двойной квантовой точке с помощью фотонной молекулы

 21.11.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

С. В. Винцкевич
(ИОФАН, МФТИ)

Лоренц инвариантная масса классических импульсов излучения и перепутанных состояний бифотонов
(По материалам кандидатской диссертации)

 12.09.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. С. Трушечкин
(МИАН)

Стойкость протокола квантовой криптографии ВВ84 при несовпадающих эффективностях однофотонных детекторов

 25.06.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Д. А. Абдуллаев
(РТУ МИРЭА)

Вакуумно-плазменное травление тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца и структур на их основе

 28.05.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

К. В. Егоров
(МФТИ (ГУ))

Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением

 16.05.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

В. М. Акулин.
(Университет Орсе)

Нелинейное взаимодействие двух оптических фотонов через коллективную моду прозрачного сверхпроводника

 16.04.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

Измерение зарядового кубита с помощью одноэлектронного транзистора на тройной квантовой точке

 11.04.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Томография квантовых процессов с неидеальными измерениями

 19.02.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Ю. М. Чесноков
(Национальный исследовательский центр Курчатовский институт)

Определение микроструктуры материалов кремниевой микро- и оптоэлектроники методами электронной микроскопии


Архив семинаров
На главную страницу
Написать письмо
Версия для PDA 

© 2001-2020 Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования