Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Home | Dissertation council | Library | Developments | Publications | Seminars | Contacts

Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН)
фтиан

 Последние новости

22.09.2020
   В рамках проекта РФФИ в период с 15 сентября по 15 ноября 2020г. ФТИАН им.К.А.Валиева доступны научно-исследовательские базы данных EBSCO:
   
   Inspec и Inspec Analytics.
   
   Доступ осуществляется по ссылке http://search.ebscohost.com.
   
   Задача данного проекта оценить потребность Института в научно-исследовательской информации. По результатам тестового доступа РФФИ будет анализировать статистику использования предоставленных информационных ресурсов EBSCO для принятия решения о целесообразности их включения в централизованную подписку и предоставления регулярного доступа вашей организации в 2021г. за счет средств РФФИ.
   
   С расписанием вебинаров по базам EBSCO можно ознакомиться на сайте РФФИ по ссылке https://podpiska.rfbr.ru/storage/events.html
   
   Для получения удаленного доступа к БД Inspec и Inspec Analytics просьба обращаться к ученому секретарю И.А.Хорину и в дирекцию

09.09.2020
   Работа сотрудника ФТИАН им. Валиева РАН Алексея Мельникова была отмечена как Featured Article и удостоилась чести быть опубликованной в качестве первой исследовательской статьи первого номера нового журнала семейства Physical Review - PRX Quantum.

18.08.2020
   Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:
   - Директора Ярославского Филиала ФТИАН им. К.А. Валиева РАН;
   - Заместителя Директора Ярославского Филиала ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
   Конкурс будет проводиться 23 сентября 2020 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.
   Дата окончания приема заявок 14.00 08.09.2020 г.
   
   Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)125-76-20
   

16.07.2020
    Работа сотрудников ФТИАН им. Валиева РАН, Алексея Мельникова и Леонида Федичкина, попала на обложку престижного журнала по квантовым технологиям.
   Редакция журнала Advanced Quantum Technologies приняла статью Machine Learning Transfer Efficiencies for Noisy Quantum Walks
   к публикации и выбрала её для обложки журнала. В статье авторы представили новый нейросетевой подход компьютерного зрения для нахождения условий квантового преимущества в квантовых блужданиях с шумами. Созданный алгоритм машинного обучения позволил эффективно классифицировать и характеризовать процессы квантовых блужданий.
   
   

01.05.2020
   ВНИМАНИЕ! В связи с пандемией COVID-19 и связанной с ней неопределенностью ситуации, Оргкомитет ICMNE-2020 принял решение о переносе сроков очередной конференции на период 4-8 октября 2021 года.
   Берегите себя. Надеемся увидеть вас на нашей конференции в 2021 году.

22.04.2020
   С 20 апреля 2020 года открывается регистрация заявок на конкурс на соискание премии Правительства Москвы молодым учёным за 2020 год.
   
   Победителям присуждаются премии в размере 2 млн. рублей каждая, а также вручаются дипломы лауреатов.
   
   Для участия в конкурсе необходимо зарегистрироваться на официальном сайте Конкурса https://nauka.mos.ru/control/registration, заполнить необходимые данные в личном кабинете, загрузить файлы.
   
   Подробнее о материалах, которые необходимо подать, можно узнать в разделе «Документы» на сайте http://nauka.mos.ru

28.03.2020
   Уважаемые сотрудники!
   
   Согласно Указу Президента РФ от 25 марта 2020 года № 206 "Об объявлении в Российской Федерации нерабочих дней" в целях обеспечения санитарно-эпидемиологического благополучия населения на территории Российской Федерации установлены с 30 марта по 30 апреля 2020 г. установлены нерабочие дни с сохранением за работниками заработной платы.
   
   
   
   Дирекция ФТИАН им.К.А.Валиева РАН просит Вас во избежание распространения коронавирусной инфекции в указанный период соблюдать домашний режим, ограничить контакты и посещение общественных мест. В случае заражения Вас или членов Вашей семьи просим обеспечить режим самоизоляции для всех членов семьи с немедленным оповещением своего непосредственного руководителя.
   
   Дирекция ФТИАН им.К.А.Валиева РАН


Архив новостей
 Полезные ссылки

Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова
Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН

Все ссылки

 Голосование




Всего голосов:0

Посмотреть результаты




   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович.
Валиев Камиль Ахметович    Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. Среди учеников К. А. Валиева — члены-корреспонденты РАН, доктора наук, руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

   В настоящее время академик Камиль Ахметович Валиев является советником РАН и научным руководителем института.

Орликовский Александр Александрович    Директором ФТИАН избран Орликовский А. А.
   Орликовский Александр Александрович, родился 12 июня 1938 года, доктор технических наук, профессор, академик, зав. лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов.
   Работает в институте со дня его образования. В 1961 году закончил Московский инженерно-физический институт по кафедре электроники. До 1981 года разрабатывал физические и схемотехнические проблемы полупроводниковой памяти, что получило внедрение в электронной промышленности, выполнил ряд пионерских работ в этой области.
   С 1981 года работает в области физических основ технологических процессов микро- и наноэлектроники. Это циклы работ по технологии молекулярно-пучковой эпитаксии арсенида галлия на кремнии, по проблеме силидизации контактов в КМОП-технологии, технологии плазмохимического осаждения и травления (теория и эксперимент), мониторингу плазмохимических процессов, технологии имплантации сверхмелкозалегающих р-п переходов, разработке широкоапертурных источников плотной плазмы, разработке полностью автоматизированного плазмохимического оборудования, в том числе, плазмо-иммерсионных имплантеров.
   Последние годы А. А. Орликовский работает также над созданием технологии твердотельных квантовых компьютеров и технологии МДП-транзисторов с длинами канала порядка 10 нм, включая квантовое описание характеристик таких транзисторов.
   А. А. Орликовский – автор более 250 научных статей и монографии, является председателем Научного совета «Перспективные технологии и приборы микро- и наноэлектроники, элементы квантовых компьютеров» Отделения информационных технологий и вычислительных систем РАН, членом бюро Отделения, заместителем главного редактора журнала «Микроэлектроника».

 

Лукичев Владимир Федорович    Лукичев Владимир Федорович - заместитель директора ФТИАН по научной работе, доктор физико-математических наук.
   Родился 12 ноября 1954 года, в 1978 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.
   В институте работает со дня его основания, с апреля 2005 года – в должности заместителя директора по научной работе. Автор более 70 научных публикаций, ответственный секретарь журнала «Микроэлектроника», член ВАК РФ.

 

Кальнов Владимир Александрович    Кальнов Владимир Александрович, ученый секретарь института, родился в г. Москве 13 мая 1944 года. В 1969 году окончил Московский энергетический институт по специальности «Полупроводниковые приборы». С 1969 года по 1991 работал в НИИ «Сапфир». В 1989 году защитил кандидатскую диссертацию по проблеме ионно-лучевого травления в промышленной технологии создания функциональных элементов СБИС ЗУ ЦМД.
   С 1991 года и по настоящее время Кальнов В. А. работает в Физико-технологическом институте РАН на должности старшего научного сотрудника, в 1998 году избран ученым секретарем ФТИАН.
   Научные интересы Кальнова В. А. связаны с исследованиями в технологии микроэлектроники ВУФ излучения, в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем с полной диэлектрической изоляцией на основе кремниевых мембран, в прецизионной технологии осаждения тонких пленок для рентгеновских зеркал, в технологии микромеханики, в частности, для создания подвижных дифракционных решеток для малогабаритных акселерометров и спектрометров.
   Является автором более 80 научных работ и ряда изобретений. Является ученым секретарем секции «Информационные технологии и вычислительные системы» по присуждению премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники.

 

Скалкин Сергей Иванович    Скалкин Сергей Иванович, заместитель директора по общим вопросам, родился 17 марта 1951 года, в 1980 году окончил ВТУЗ при Московском автомобильном заводе им. И. А. Лихачева по специальности «Двигатели внутреннего сгорания». В Физико-технологическом институте работает с 2004 г., представляет интересы института в органах государственной власти и коммерческих структурах по вопросам финансово-хозяйственной деятельности и управления имуществом. Курирует деятельность отделов: материально-технического снабжения, эксплуатационно-технического, производственно-транспортного.




Институт ведет исследования как фундаментального, так и прикладного характера.

Среди фундаментальных проблем:

  • физика и элементная база квантовых компьютеров;
  • физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
  • рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
  • исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
  • исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
  • научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
  • модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.
Среди прикладных задач:
  • разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
  • разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
  • разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
  • разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
  • разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
  • разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
  • разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;
   В составе Института работают один академик, два члена-корреспондента РАН, 12 докторов и 22 кандидатов наук. Общая численность сотрудников института 100 чел.

Структура института

В составе института работают пять лабораторий:

  • Лаборатория физики квантовых компьютеров (академик К. А. Валиев);
  • Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
  • Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
  • Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (член-корреспондент РАН А. М. Афанасьев);
  • Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
  • Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
  • Учебно-научный центр ФТИАН-МГУ им. М. В. Ломоносова;
При институте работают:
  • базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
  • кафедра квантовой информатики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
  • аспирантура;
  • специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);
                              В рамках программы «Интеграция» ФТИАН сотрудничает с Московским инженерно-физическим институтом, Московским институтом электронной техники (ТУ), Московским государственным университетом им. М. В. Ломоносова.

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Международная конференция «Квантовая информатик»
Международная конференция «Квантовая информатика»


 29.09.2020 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Ф. А. Сидоров
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Физические механизмы сухого электронно-лучевого травления
(Семинар состоится в режиме ОНЛАЙН. Для записи обращайтесь к Андрею Мяконьких miakonkikh@ftian.ru)

 18.06.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичев
(ФТИАН)

Томография квантовых систем в условиях ограниченной статистической устойчивости
(Онлайн семинар Для записи обращайтесь к Юрий Кузнецову yurii.a.kuznetsov@gmail.com)

 16.06.2020 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

С.А. Двинин, О. А. Синкевич, Д. К. Солихов и З. А. Кодирзода
(МГУ имени М.В. Ломоносова)

Особенности возбуждения электромагнитного поля в емкостном ВЧ разряде
(Семинар состоится в режиме ОНЛАЙН. Для записи обращайтесь к Андрею Мяконьких miakonkikh@ftian.ru)

 11.06.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. А. Семериков
(ФИАН)

Ионная платформа для квантовых вычислений
(Онлайн семинар)

 28.05.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Е. О. Киктенко
(РКЦ)

Применение кудитов в квантовых вычислениях
(Онлайн семинар )

 21.05.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. А. Лучников
(МФТИ)

Тензорные сети и машинное обучение для динамических и стационарных квантовых систем (по материалам кандидатской диссертации)
(Онлайн-семинар )

 14.05.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А.И. Зенчук
(Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка)

Квантовые корреляции в процессах переноса и создания квантовых состояний в системах частиц со спином ½ (по материалам докторской диссертации)
(Онлайн семинар )

 07.05.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Д.В. Фастовец, Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, В.Ф. Лукичев
(ФТИАН)

Разложение Шмидта и когерентность многомерных состояний кота Шредингера
(Онлайн семинар )

 30.04.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Ю.И. Богданов, Н.А. Богданова, К.Г. Катамадзе, Г.В. Авосопянц, В.Ф. Лукичев
(ФТИАН)

Гиперпуассоновская статистика фотонов
(Онлайн семинар )

 23.04.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш, А. Ю. Чернявский, Ю. И. Богданов
(ФТИАН)

Сравнение методов томографии чистых и почти чистых квантовых состояний
(Онлайн семинар )

 12.03.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Г. И. Стручалин
(Центр квантовых технологий МГУ имени М. В. Ломоносова)

Теневая томография

 27.02.2020 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Эталонное оценивание методов квантовой томографии


Г. В. Авосопянц
(Центр квантовых технологий МГУ имени М. В. Ломоносова)

Характеризация линейно-оптических интегральных схем посредством корреляционных измерений тепловых полей

 25.02.2020 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Н. А. Симонов
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Концепция пятен для задач искусственного интеллекта и построения нейроморфных систем

 18.02.2020 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Спектроскопическое измерение зарядового кубита на двойной квантовой точке с помощью фотонной молекулы


Архив семинаров
На главную страницу
Написать письмо
Версия для PDA 

© 2001-2020 Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования