Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН) фтиан

Последние новости 13.09.2021    Информация о грантах:        Гранты Президента Российской Федерации для государственной поддержки ведущих научных школ Российской Федерации    Организатор: Совет по грантам Президента РФ    Дедлайн: 07 октября 2021    Подробности: https://grants.extech.ru/docs/NSH_2022.PDF        Гранты Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук и докторов наук    Организатор: Совет по грантам Президента РФ    Дедлайн: 07 октября 2021    Подробности: https://grants.extech.ru/docs/MK_2022.PDF        Стипендии Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых ученых и аспирантов    Организатор: Совет по грантам Президента РФ    Дедлайн: 07 октября 2021    Подробности: https://grants.extech.ru/docs/SP_2022.PDF 27.04.2021    14-я Международная конференция "Микро- и наноэлектроника – 2021" (ICMNE-2021), включающая расширенную сессию "Квантовая информатика – 2021" (QI-2021), будет проводиться с 4 по 8 октября 2021 г. в очно-заочной форме в доме отдыха "Ершово", Звенигород, Московская обл. Стартовав, по предложению академика К.А. Валиева, в 1994 г. как Всероссийская конференция "Микроэлектроника" с участием зарубежных ученых, она приобрела популярность у специалистов в этой области, и к 1999 г. трансформировалась в международную, проводящуюся на английском языке, конференцию "International Conference on Micro- and Nanoelectronics" (ICMNE), на которой с приглашенными докладами выступают ведущие ученые Европы, Японии, США (архив конференции на страничке icmne.ftian.ru).        Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей физики микро- и наноразмерных приборов, а также микро- и наноэлектронных технологий. ICMNE-2021 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. В программу конференции будет входить специальная сессия, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию, предназначенному для применения в микро- и наноэлектронике.        Рабочий язык конференции ICMNE-2021 ‑ английский. Сайт конференции: icmne.ftian.ru. 06.04.2021    Министерство науки и высшего образования Российской Федерации информирует о начале регистрации на четвёртый конкурс «Лидеры России» – флагманский проект президентской платформы «Россия – страна возможностей»: среди специальных треков – трек «Наука».    Подать заявку можно с 31 марта до 26 апреля.    Более подробно о требованиях к участникам и о порядке проведения Конкурса можно ознакомиться в сети интернет:    Конкурс "Лидеры России"    Трек "Наука"    Материалы и пресс-кит Конкурса 30.03.2021     Информация о конференциях и выставках-конкурсах:         32-я Международная научно-техническая конференция "Экстремальная робототехника" (ЭР-2021)     Организатор: Государственный научный центр Российской Федерации «Центральный научно-исследовательский и опытно-конструкторский институт робототехники и технической кибернетики» (ГНЦ РФ ЦНИИ РТК)     Дедлайн: До 15 мая 2021г.     Подробности: https://er.rtc.ru/ru/         X Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника и микроэлектроника СВЧ»     Организатор: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») ОАО «НПП «Исток» им. Шокина»     Дедлайн: До 19 апреля 2021г.     Подробности: https://mwelectronics.etu.ru/2021/ru/         Конкурсы Всероссийского фестиваля NAUKA 0+     Организатор: Всероссийский фестиваль NAUKA 0+     Дедлайн: май- сентябрь (в зависимости от конкурса) Подробности: festivalnauki.ru         Международная выставка «Идеи - Изобретения - Новые Продукты» IENA-2021, г. Нюрнберг, Германия     Дедлайн: 25 сентября 2021     Подробности: http://www.iena.de         Международная ярмарка инноваций SIIF, Сеул     Дедлайн: 1 октября 2021     Подробности: http://www.siif.org 11.03.2021    5 декабря 2020 года Президент Российской Федерации Владимир Путин подписал Указ о проведении в 2021 году в России Года науки и технологий. Актуальная информация о главных событиях и открытиях этого года публикуется на специальной странице официального сайта Минобрнауки России         29.01.2021    В соответствии с пунктом 3 распоряжения Правительства Российской Федерации от 16 августа 2018 г. № 1697-р и пунктом 3 распоряжения Правительства Российской Федерации от 18 октября 2018 г. № 2258-р вышел Приказ Об утверждении Положения об организации во ФТИАН им. К.А. Валиева РАН системы внутреннего обеспечения соответствия требованиям антимонопольного законодательства. 15.11.2020    Сотрудник ФТИАН им. Валиева РАН Николай Анатольевич Симонов отмечен в 2020 году премией Piergiorgio LE Uslenghi Letters Prize Paper Award за лучшую публикацию 2019 года в IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters. Архив новостей

Полезные ссылки Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Все ссылки  Голосование Всего голосов:0 Посмотреть результаты

   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович.
   Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. Среди учеников К. А. Валиева — члены-корреспонденты РАН, доктора наук, руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

   В настоящее время академик Камиль Ахметович Валиев является советником РАН и научным руководителем института.

Среди фундаментальных проблем:

• физика и элементная база квантовых компьютеров;
• физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
• рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
• исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
• исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
• научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
• модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.

• разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
• разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
• разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
• разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
• разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
• разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
• разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;

В составе института работают пять лабораторий:

• Лаборатория физики квантовых компьютеров (академик К. А. Валиев);
• Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
• Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
• Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (член-корреспондент РАН А. М. Афанасьев);
• Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
• Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
• Учебно-научный центр ФТИАН-МГУ им. М. В. Ломоносова;

• базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• кафедра квантовой информатики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• аспирантура;
• специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);