Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН) фтиан

Последние новости 26.12.2018    Новогоднее поздравление Министра науки и высшего образования Российской Федерации Михаила Котюкова руководству и сотрудникам научных организаций 25.12.2018    Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности заместителя директора по научной работе Ярославского филиала ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.    Конкурс будет проводиться 07 февраля 2019 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.    Дата окончания приема заявок 10.00 29.01.2019 г.        Телефон для справок: (499)125-76-20, (499)129-49-57     17.12.2018    Совет международного союза физиков проводит конкурс работ молодых ученых в области физики магнитных явлений (для исследователей, у которых стаж научной работы после кандидатской не превышает 8 лет).        Премия победителям - 1000 €    Крайний срок подачи заявок: 31 января 2019 г.        Объявление о конкурсе можно загрузить по данной ссылке. 14.12.2018     Международная научная конференция "Микро- и наноэлектроника 2018" (ICMNE-2018) проходила с 1 по 5 октября 2018 года в пансионате "Ершово" Одинцовского района. Эта регулярная конференция, организованная Физико-технологическим институтом имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН) совместно с АО "НИИМЭ", посвящена фундаментальным аспектам исследований в области электронной компонентной базы перспективных информационных систем. Традиционными её спонсорами, в том числе в 2018 году, выступили РФФИ, ОНИТ РАН, АО "НИИМЭ", компания "TechnoInfo Ltd.", компьютерная компания "НИКС".     На конференции ICMNE-2018, , было представлено около 100 устных докладов и более 80 стендовых докладов (рабочий язык английский). Эти доклады отражают состояние теоретических, поисковых и прикладных исследований в области актуальных задач микро- и наноэлектроники, которые проводятся в институтах РАН, университетах, исследовательских организациях электронной промышленности России, а также учеными стран дальнего и ближнего зарубежья.     23.11.2018     Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности:    - старшего научного сотрудника по специальности микро- и наноэлектроника, физика наноструктур.        Конкурс будет проводиться 20 декабря 2018 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.    Дата окончания приема заявок 10.00 10.12.2018 г.        Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)125-76-20     27.09.2018    Информация о конференциях:        1. Молодёжная конференция в рамках НСКФ-2018.    Конференция проходит на площадке Национального Суперкомпьютерного Форума 26-го ноября 2018, г. Переславль-Залесский.    Крайний срок подачи заявок 05 октября 2018 г. Подробная информация и подача заявок на сайте http://4students.nscf.ru/.        2. Всероссийская научно-техническая конференция «Антенны и распространение радиоволн 2018»    Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» и компания Keysight Technologies приглашают принять участие во Всероссийской научно-технической конференции «Антенны и распространение радиоволн», которая состоится 16-19 октября 2018 г. в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» по адресу: Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, д.5.    Подробная информация на сайте https://antennaconf.ru/.     25.09.2018    Согласно приказу Министерства науки и высшего образования Российской Федерации №701 от 18 сентября 2018 года:        Федеральному государственному бюджетному учреждению Физико-технологическому институту Российской академии наук присвоено имя Камиля Ахметовича Валиева.        Федеральное государственное бюджетное учреждение Физико-технологический институт Российской академии наук переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук.     Архив новостей

Полезные ссылки Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Все ссылки  Голосование Каким броузером вы пользуетесь? Internet explorer Firefox Opera Maxthon (myIE) Другим Всего голосов:1237 Посмотреть результаты

   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович.
   Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. Среди учеников К. А. Валиева — члены-корреспонденты РАН, доктора наук, руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

   В настоящее время академик Камиль Ахметович Валиев является советником РАН и научным руководителем института.

Среди фундаментальных проблем:

• физика и элементная база квантовых компьютеров;
• физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
• рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
• исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
• исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
• научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
• модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.

• разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
• разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
• разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
• разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
• разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
• разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
• разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;

В составе института работают пять лабораторий:

• Лаборатория физики квантовых компьютеров (академик К. А. Валиев);
• Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
• Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
• Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (член-корреспондент РАН А. М. Афанасьев);
• Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
• Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
• Учебно-научный центр ФТИАН-МГУ им. М. В. Ломоносова;

• базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• кафедра квантовой информатики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• аспирантура;
• специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);