Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН) фтиан

Последние новости 22.09.2020    В рамках проекта РФФИ в период с 15 сентября по 15 ноября 2020г. ФТИАН им.К.А.Валиева доступны научно-исследовательские базы данных EBSCO:        Inspec и Inspec Analytics.        Доступ осуществляется по ссылке http://search.ebscohost.com.        Задача данного проекта оценить потребность Института в научно-исследовательской информации. По результатам тестового доступа РФФИ будет анализировать статистику использования предоставленных информационных ресурсов EBSCO для принятия решения о целесообразности их включения в централизованную подписку и предоставления регулярного доступа вашей организации в 2021г. за счет средств РФФИ.        С расписанием вебинаров по базам EBSCO можно ознакомиться на сайте РФФИ по ссылке https://podpiska.rfbr.ru/storage/events.html        Для получения удаленного доступа к БД Inspec и Inspec Analytics просьба обращаться к ученому секретарю И.А.Хорину и в дирекцию 09.09.2020    Работа сотрудника ФТИАН им. Валиева РАН Алексея Мельникова была отмечена как Featured Article и удостоилась чести быть опубликованной в качестве первой исследовательской статьи первого номера нового журнала семейства Physical Review - PRX Quantum. 18.08.2020    Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:    - Директора Ярославского Филиала ФТИАН им. К.А. Валиева РАН;    - Заместителя Директора Ярославского Филиала ФТИАН им. К.А. Валиева РАН    Конкурс будет проводиться 23 сентября 2020 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.    Дата окончания приема заявок 14.00 08.09.2020 г.        Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)125-76-20     16.07.2020     Работа сотрудников ФТИАН им. Валиева РАН, Алексея Мельникова и Леонида Федичкина, попала на обложку престижного журнала по квантовым технологиям.    Редакция журнала Advanced Quantum Technologies приняла статью Machine Learning Transfer Efficiencies for Noisy Quantum Walks    к публикации и выбрала её для обложки журнала. В статье авторы представили новый нейросетевой подход компьютерного зрения для нахождения условий квантового преимущества в квантовых блужданиях с шумами. Созданный алгоритм машинного обучения позволил эффективно классифицировать и характеризовать процессы квантовых блужданий.         01.05.2020    ВНИМАНИЕ! В связи с пандемией COVID-19 и связанной с ней неопределенностью ситуации, Оргкомитет ICMNE-2020 принял решение о переносе сроков очередной конференции на период 4-8 октября 2021 года.    Берегите себя. Надеемся увидеть вас на нашей конференции в 2021 году. 22.04.2020    С 20 апреля 2020 года открывается регистрация заявок на конкурс на соискание премии Правительства Москвы молодым учёным за 2020 год.        Победителям присуждаются премии в размере 2 млн. рублей каждая, а также вручаются дипломы лауреатов.        Для участия в конкурсе необходимо зарегистрироваться на официальном сайте Конкурса https://nauka.mos.ru/control/registration, заполнить необходимые данные в личном кабинете, загрузить файлы.        Подробнее о материалах, которые необходимо подать, можно узнать в разделе «Документы» на сайте http://nauka.mos.ru 28.03.2020    Уважаемые сотрудники!        Согласно Указу Президента РФ от 25 марта 2020 года № 206 "Об объявлении в Российской Федерации нерабочих дней" в целях обеспечения санитарно-эпидемиологического благополучия населения на территории Российской Федерации установлены с 30 марта по 30 апреля 2020 г. установлены нерабочие дни с сохранением за работниками заработной платы.                Дирекция ФТИАН им.К.А.Валиева РАН просит Вас во избежание распространения коронавирусной инфекции в указанный период соблюдать домашний режим, ограничить контакты и посещение общественных мест. В случае заражения Вас или членов Вашей семьи просим обеспечить режим самоизоляции для всех членов семьи с немедленным оповещением своего непосредственного руководителя.        Дирекция ФТИАН им.К.А.Валиева РАН Архив новостей

Полезные ссылки Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Все ссылки  Голосование Всего голосов:0 Посмотреть результаты

   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович.
   Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. Среди учеников К. А. Валиева — члены-корреспонденты РАН, доктора наук, руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

   В настоящее время академик Камиль Ахметович Валиев является советником РАН и научным руководителем института.

Среди фундаментальных проблем:

• физика и элементная база квантовых компьютеров;
• физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
• рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
• исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
• исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
• научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
• модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.

• разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
• разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
• разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
• разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
• разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
• разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
• разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;

В составе института работают пять лабораторий:

• Лаборатория физики квантовых компьютеров (академик К. А. Валиев);
• Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
• Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
• Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (член-корреспондент РАН А. М. Афанасьев);
• Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
• Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
• Учебно-научный центр ФТИАН-МГУ им. М. В. Ломоносова;

• базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• кафедра квантовой информатики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• аспирантура;
• специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);