Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН) фтиан

Последние новости 19.06.2017    В соответствии с приказом №446 п/о Федерального агентства научных организаций (ФАНО) от 26 мая 2017 года директором Физико-технологического института с 26 мая 2017 года назначен член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук Владимир Фёдорович Лукичёв. 25.05.2017    В целях исполнения постановления Правительства Российской Федерации от 08.04.2009 № 312 и письма ФАНО России от 04.05.2017 № 007-18.2-11/МК-138 ФТИАН РАН публикует сведения о результатах деятельности Института для экспертной оценки за период 2013-2015 гг. 25.04.2017     Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:    - заместителя директора по научной работе;    - старшего научного сотрудника по специальности квантовая оптика и квантовая информатика;    - младшего научного сотрудника по специальности квантовая информатика.    Конкурс будет проводиться 27 июня 2017 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН РАН.    Дата окончания приема заявок 15.06.2017 г.        Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)129-54-15     10.04.2017    12 апреля 2017 г. в зале заседаний ФТИАН РАН (ком.601) с 12-00 до 16-00 состоятся выборы директора (руководителя) Института. Избирателями являются все сотрудники ФТИАН РАН имеющие с Институтом трудовой договор.    13 апреля 2017 г. в зале заседаний ФТИАН РАН (ком.601) в 12-00 состоится общее собрание коллектива ФТИАН РАН по утверждению протокола избирательной комиссии по выборам директора (руководителя) ФТИАН РАН. 27.03.2017    Выборы директора ФТИАН РАН:    Распоряжение ФАНО России    Положение о выборах руководителя ФТИАН РАН     26.01.2017    Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:    - главного научного сотрудника по специальности рентгеновская диагностика многослойных полупроводниковых структур со слоями нанометрового размера;        - главного научного сотрудника по специальности математическое моделирование физико-технологических процессов микро- и наноэлектроники;        - главного научного сотрудника по специальности квантовые компьютеры и квантовые методы обработки информации;        - главного научного сотрудника по специальности теоретические и экспериментальные работы по совершенствованию источника быстрых нейтральных частиц для развития технологии травления и осаждения тонких пленок для изделий наноэлектроники;        - ведущего научного сотрудника по специальности квантовая информатика;        - младшего научного сотрудника по специальности квантовая информатика.        Конкурс будет проводиться 22 марта 2017 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН РАН.    Дата окончания приема заявок 20.03.2017 г.        Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)129-54-15     22.12.2016    На основании приказа ФАНО России от 19 декабря 2016 г. № 677 объявляется о начале приема документов кандидатов на должность руководителя научной организации (Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института Российской академии наук, ФТИАН РАН), подведомственной Федеральному агентству научных организаций. Рассмотрение кандидатов на эту должность будет происходить на заседании Ученого совета ФТИАН РАН 27 декабря 2016 года в 14-00. (зал заседаний 6 этаж). Архив новостей

Полезные ссылки Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Все ссылки  Голосование Каким броузером вы пользуетесь? Internet explorer Firefox Opera Maxthon (myIE) Другим Всего голосов:1193 Посмотреть результаты

   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович.
   Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. Среди учеников К. А. Валиева — члены-корреспонденты РАН, доктора наук, руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

   В настоящее время академик Камиль Ахметович Валиев является советником РАН и научным руководителем института.

Среди фундаментальных проблем:

• физика и элементная база квантовых компьютеров;
• физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
• рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
• исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
• исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
• научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
• модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.

• разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
• разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
• разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
• разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
• разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
• разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
• разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;

В составе института работают пять лабораторий:

• Лаборатория физики квантовых компьютеров (академик К. А. Валиев);
• Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
• Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
• Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (член-корреспондент РАН А. М. Афанасьев);
• Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
• Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
• Учебно-научный центр ФТИАН-МГУ им. М. В. Ломоносова;

• базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• кафедра квантовой информатики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• аспирантура;
• специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);