Skip to content
 Версия сайта для слабовидящих
  • Русский
  • English (US)

ФТИАН

VALIEV INSTITUTE OF PHYSICS AND
TECHNOLOGY Of russian academy of sciences VALIEV IPT RAS

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Primary Navigation Menu
Menu
  • Home
  • Institute
    • Official information
    • Historical reference
    • Directorate
    • Laboratories
      • Laboratory for Microstructuring and Submicron Devices
      • Laboratory of ion-beam technologies
      • Micro and nanosystem technology laboratory
      • Laboratory of Surface Physics of Microelectronic Structures
      • Laboratory for Mathematical Modeling of Physical and Technological Processes in Microelectronics
      • Laboratory of Physics of Quantum Computers
      • High Performance Computing Systems Architecture Lab
    • Institute structure
    • Equipment
      • Современное аналитическое оборудование ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
      • Технологическое оборудование для проведения процессов литографии
      • Технологическое оборудование для создания микро- и наноэлектронных структур
    • Job contests
    • Госзакупки
    • Документы
  • The science
    • Main directions of research
    • Международное сотрудничество
    • Важнейшие результаты
    • Projects
    • Publications
    • Диссертации и ученые степени сотрудников
    • Научные мероприятия
      • Conferences
      • Семинары
    • Издательская деятельность
    • Библиотека
  • Education
    • Сотрудничество с ВУЗами
    • Научно-образовательный центр «Демидовский Центр нанотехнологий и инноваций» ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
    • Центр коллективного пользования «Диагностика микро- и наноструктур» в ЯФ ФТИАН
    • Defense of dissertations
  • Разработки
    • Инновации
    • New technologies
    • Patents
  • News
  • Профсоюз
  • Contacts
    • Реквизиты института
Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

Транзисторные Fin и NW-структуры на подложках SOI. Основа нового поколения наноразмерных транзисторов с затвором GAA

By: admin-ftian
On: March 19, 2022
In: Важнейшие результаты
Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

Сравнительное исследование ICP плазмы газов CF4, CBrF3, C2Br2F4

By: admin-ftian
On: March 19, 2022
In: Важнейшие результаты
Разработка технологии изготовления чувствительного элемента микрогироскопа для систем навигации

Разработка технологии изготовления чувствительного элемента микрогироскопа для систем навигации

By: admin-ftian
On: January 25, 2022
In: New technologies
Развитие технологий плазменных процессов формирования трехмерных микро-и наноструктур

Развитие технологий плазменных процессов формирования трехмерных микро-и наноструктур

By: admin-ftian
On: January 25, 2022
In: New technologies
Плазмохимические процессы травления высокоаспектных структур в кремнии

Плазмохимические процессы травления высокоаспектных структур в кремнии

By: admin-ftian
On: January 25, 2022
In: New technologies
Разработка конструкций и технологий создания чувствительных элементов для систем инерциальной навигации, построенных на микромеханических  сенсорах

Разработка конструкций и технологий создания чувствительных элементов для систем инерциальной навигации, построенных на микромеханических  сенсорах

On: December 1, 2021
In: New technologies
Important results

Решение уравнения Шредингера на квантовом компьютере методом Залки-Визнера с учетом квантовых шумов

On: October 18, 2021
In: Важнейшие результаты
Important results

Многослойные гетероструктуры кремний-сегнетоэлектрик (Silicon-on-Ferroelectric)

On: August 18, 2021
In: Важнейшие результаты
Important results

Теория стабильности интерфейсов в проблемах надежности и долговечности ИС

On: May 18, 2021
In: Важнейшие результаты

НОВОСТИ

View All

Геннадий Яковлевич Красников новый президент РАН

By: Ольга
On: September 23, 2022
In: News

20 сентября 2022 года на Общем собрании РАН новым президентом Российской академии наук избран академик Геннадий Яковлевич Красников.

Санкции США в отношении ФТИАН им. К.А. Валиева РАН

By: Ольга
On: September 23, 2022
In: News

15 сентября Минфин США ввел санкции против очередной группы российских технологических компаний и научных институтов. Под санкции попали следующие академические учреждения: Институт прикладной физики РАН, Физический

Всемирный день русского единения отметят в Парке Горького

By: Ольга
On: September 19, 2022
In: News

21 сентября в столичном Парке Горького пройдет гала-концерт, приуроченный к Всемирному дню русского единения. На главной сцене для зрителей выступят популярные современные артисты, танцевальные коллективы,

СЕМИНАРЫ

View All

Физические механизмы сухого электронно-лучевого травления

By: Ольга
On: September 28, 2022
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

05 октября 2022 в 15-00 Физические механизмы сухого электронно-лучевого травления (по материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук) Докладчик: Сидоров Федор Алексеевич (ФТИАН

Диагностика электродуговых и высокочастотно-индукционных газоразрядных приборов

By: Ольга
On: September 21, 2022
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

04 октября 2022 в 15-00 Диагностика электродуговых и высокочастотно-индукционных газоразрядных приборов (по материалам диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук) Докладчик: Рябый Валентин Анатольевич

Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах

By: Ольга
On: September 2, 2022
In: Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники, Семинары

13 сентября 2022 в 15-00 Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах (по материалам диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук)

Буклет 25 лет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
ФТИАН РАН организован в соответствии с постановлением Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.

Наряду с научной деятельностью ФТИАН им. К.А. Валиева РАН ведет научно-организационную работу, являясь организатором международной конференции ICMNE. Редакция журнала «Микроэлектроника» сейчас функционирует на базе ФТИАН им. К.А. Валиева РАН. В настоящее время каждый номер журнала переводится на английский язык, его переводная версия выходит под названием “Russian Microelectronics” (издательство Springer), имеет более 7000 подписчиков и индексируется в международной базе цитирования SCOPUS.

ИЗДАНИЯ И ПУБЛИКАЦИИ

2021

By: Ольга
On: June 3, 2022
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2021 год Статьи: Afanasyev, V. About chemical modifications of finite dimensional qed models / Afanasyev V.,

2020

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2020 год Статьи: Asadov, M.M. Ab Initio Calculations of the Electronic Properties and the Transport Phenomena in Graphene

2019

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева за 2019 год Статьи: Amirov, I. I. Formation of metallic nanowire and nanonet structures on the surface of SiO2

2018

By: admin-ftian
On: October 4, 2021
In: Публикации

Список публикаций сотрудников ФТИАН им. К.А. Валиева РАН за 2018 год Статьи: Alymov, G. Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects. / G. Alymov,

ИННОВАЦИИ

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и осаждения пленок из инертных и химически активных газов

In: Инновации

Разработана серия источников ионов для реактивного травления и осаждения тонких пленок. Достоинства и технологические  возможности ионно-лучевых технологий: высокая направленность воздействия, обеспечивающая высокую прецизионность; возможность получения 

Подробнее

Источник пучков быстрых атомарных и  молекулярных нейтральных частиц

Автоматизированные средства мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники

In: Инновации

Развита концепция применения невозмущающих методов мониторинга и диагностики плазменных технологических процессов, основанная на контроле параметров плазмы и приповерхностных слоев пластины в реакторе. Разработаны методы, средства

Подробнее

Валиев Камиль Ахметович

Со дня организации и до февраля 2005 года Институт возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав. лабораторией физики квантовых компьютеров.

Подробнее

Орликовский Александр Александрович

Орликовский Александр Александрович, В Академии наук работал с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН РАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).

Подробнее

Владимир Федорович Лукичев

В 2017 году директором Физико-технологического института назначен доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев.
Автор более 200 научных публикаций, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника».

Подробнее

Руденко Константин Васильевич

Руденко Константин Васильевич, заместитель директора института по научной работе, доктор физико-математических наук (2008), автор и соавтор более 180 научных трудов, соавтор разделов в 2 монографиях.

Подробнее

Хорин Иван Анатольевич

Хорин Иван Анатольевич, ученый секретарь института, кандидат физико-математических наук. С 2005 года занимается педагогической деятельностью, является доцентом кафедры наноэлектроники МИРЭА – Российского технологического университета.

Подробнее

Родненкова Ольга Николаевна

Родненкова Ольга Николаевна Заместитель директора — контрактный управляющий. Образование: Экономический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Имеет ученую степень кандидата экономических наук.

Подробнее
2021-10-02
Contact Information

Меню сайта

  • Home
  • Institute
  • The science
  • Education
  • Development
  • News
  • Contact Information
  • Противодействие коррупции

Рубрики

  • Важнейшие результаты
  • Издания
  • Инновации
  • Квантовые компьютеры
  • News
  • New technologies
  • Patents
  • Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
  • Публикации
  • Семинары

Контакты

Адрес института: 117218, Россия, Москва,
Нахимовский проспект д.36 к.1
Телефон: +7 (499) 129-54-92
Факс: +7 (499) 125-38-26
E-mail: ftian.director@bk.ru
lukichev@ftian.ru
Реквизиты института

© 2001-2022 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФТИАН им. К.А. Валиева Российской академии наук