Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН) фтиан

Последние новости 01.07.2018    Информация о конкурсах:    Конкурс 2018-2019 года на лучшие научные проекты, выполняемые молодыми учеными под руководством кандидатов и докторов наук    Российский фонд фундаментальных исследований объявляет конкурс на лучшие научные проекты, выполняемые молодыми учеными под руководством кандидатов и докторов наук в научных организациях Российской Федерации. Задача Конкурса – привлечение молодых ученых из России и других стран для участия в научных исследованиях, проводимых в российских научных организациях, создание молодым ученым условий для получения результатов, необходимых для завершения диссертации на соискание ученой степени PhD или кандидата наук.         21.05.2018    Информация о конкурсах:        Всероссийский молодежный конкурс научно-технических работ «Орбита молодежи» 2018 года        Основной целью проведения Конкурса является выявление и привлечение в российскую космическую программу (РКП) молодых ученых и специалистов, поиск и отбор потенциальных инновационных проектов, формирование творческих связей между молодыми специалистами организаций РКП. Авторы могут принять участие в конкурсе индивидуально или в составе авторских коллективов.            Конкурс на лучшие научные проекты фундаментальных исследований 2019-2020 гг (совместный конкурс РФФИ - Лондонское королевское общество)        Российский фонд фундаментальных исследований и Лондонское Королевское Общество объявляют о проведении конкурса на лучшие научные проекты фундаментальных исследований. В конкурсе могут участвовать коллективы численностью не менее 2 человек и не более 10 человек, состоящие из граждан Российской Федерации, а также иностранных граждан и лиц без гражданства. 25.04.2018    16 мая 2018 года состоится очередное заседание научной сессии Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук (ОНИТ РАН). В рамках заседания планируется выступление К.В. Руденко и В.В. Вьюркова с докладом «Теоретические и экспериментальные исследования перспективного квантового регистра в канале нанотранзистора с FIN-каналом». Подробную информацию можно найти на сайте ОНИТ РАН     15.04.2018    Международная конференция "Микро- и наноэлектроника – 2018" (ICMNE-2018), включающая расширенную сессию "Квантовая информатика" (QI-2018), будет проводиться 1-5 октября 2018 года. Она продолжает серию Всероссийских конференций МНЕ-1999, МНЕ-2001, КИ-2002 и международных конференций ICMNE-2003, QI-2004, ICMNE-2005, QI-2005, ICMNE-2007, QI-2007, ICMNE-2009, QI-2009, ICMNE-2012, QI-2012, SOI-2012, ICMNE-2014, QI-2014, ICMNE-2016, QI-2016.            Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает наиболее важные области физики и технологии приборов микро- и наноэлектроники, а также квантовой информатики. ICMNE-2018 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. В рамках конференции будет организован российско-японский круглый стол с участием ведущих ученых. Кроме того, на конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектроники. 12.02.2018    Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:    - младшего научного сотрудника по специальности моделирование технологических процессов, микро- и наноэлектроника;    - старшего научного сотрудника по специальности квантовая информатика;    - старшего научного сотрудника по специальности микро- и наноэлектроника, физика наноструктур;    - старшего научного сотрудника по специальности плазменные технологии наноэлектроники.    Конкурс будет проводиться 12 апреля 2018 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН РАН.    Дата окончания приема заявок 10.00 28.03.2018 г.        Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)129-54-15     15.08.2017    Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности научного сотрудника по специальности моделирование магнитной динамики наномагнетиков.    Конкурс будет проводиться 26 сентября 2017 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН РАН.    Дата окончания приема заявок 12.00 12.09.2017 г.        Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)129-54-15     19.06.2017    В соответствии с приказом №446 п/о Федерального агентства научных организаций (ФАНО) от 26 мая 2017 года директором Физико-технологического института с 26 мая 2017 года назначен член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук Владимир Фёдорович Лукичёв. Архив новостей

Полезные ссылки Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Все ссылки  Голосование Каким броузером вы пользуетесь? Internet explorer Firefox Opera Maxthon (myIE) Другим Всего голосов:1227 Посмотреть результаты

   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович.
   Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. Среди учеников К. А. Валиева — члены-корреспонденты РАН, доктора наук, руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

   В настоящее время академик Камиль Ахметович Валиев является советником РАН и научным руководителем института.

Среди фундаментальных проблем:

• физика и элементная база квантовых компьютеров;
• физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
• рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
• исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
• исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
• научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
• модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.

• разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
• разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
• разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
• разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
• разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
• разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
• разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;

В составе института работают пять лабораторий:

• Лаборатория физики квантовых компьютеров (академик К. А. Валиев);
• Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
• Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
• Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (член-корреспондент РАН А. М. Афанасьев);
• Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
• Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
• Учебно-научный центр ФТИАН-МГУ им. М. В. Ломоносова;

• базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• кафедра квантовой информатики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
• аспирантура;
• специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);