Патенты

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2796239 C9

«Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление»

Аверкин С.Н., Кузьменко В.О., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 17 ноября 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.05.2023

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2790304 C1

“Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения”

Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.

Приоритет от 07 июня 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 16.02.2023

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2787544 C1

«Пролетный диод с распределенной индуктивной компенсацией емкости для генерации излучения в терагерцовом диапазоне»

Вьюрков В.В., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф., Симонов Н.А.

Приоритет от 07 июня 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 10.01.2023

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2785367 C1

«ВЧ-источник плазмы с планарным индуктором для обработки полупроводниковых пластин диаметром до 600 мм»

Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 07 апреля 2022 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 06.12.2022

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2771009 C1

«Способ и устройство для повышения латеральной однородности и плотности низкотемпературной плазмы в широкоапертурных технологических реакторах микроэлектроники»

Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 01 июня 2021 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 25.04.2022

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2376677 C2

«Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой»

Орликовский А.А., Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д.

Приоритет от 23 июля 2007 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 20 декабря 2009 г.

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2717157 C2

«Способ изготовления туннельного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки»

Авторы:  Аверкин С.Н., Вьюрков В.В., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Свинцов Д.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 07 июня 2018 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.03.2020

On:
In: Патенты

Патент на изобретение RU 2691758 C1

«Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом двухшаговом процессе окисление-травление»

Авторы: Аверкин С.Н., Антипов А.П., Лукичев В.Ф., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Рылов А.А., Семин Ю.Ф.

Приоритет от 17 августа 2018 г.

Зарегистрировано в Госреестре РФ 18.06.2019